一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107331793A(43)申请公布日2017.11.07(21)申请号201710614191.4(22)申请日2017.07.25(71)申请人南京迈智芯微光电科技有限公司地址210006江苏省南京市秦淮区牵牛巷16号(72)发明人季渊沈伟星(74)专利代理机构上海旭诚知识产权代理有限公司31220代理人郑立(51)Int.Cl.H01L51/52(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图8页(54)发明名称一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法(57)摘要本发明公开了一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法，涉及硅基有机发光领域，其中硅基有机发光器件底电极包括第一金属层、连接孔、透明绝缘膜、有机接触层，硅基底中含有金属氧化物半导体场效应晶体管，连接孔设置于透明绝缘膜中，有机接触层通过连接孔连接至第一金属层，第一金属层连接至金属氧化物半导体场效应晶体管的输出端。连接第一金属层和有机接触层的连接孔设置在底电极的边缘位置或四角位置且突出于发光区。绝缘钝化物包覆有机接触层的外围边缘。本发明的硅基有机发光器件底电极结构将反光层下移，通孔偏置并且对电极进行覆盖绝缘钝化物处理，极大提高了有机发光层铺设时的平整度并减小了电极厚度，提高了发光效率和良品率。CN107331793ACN107331793A权利要求书1/2页1.一种硅基有机发光器件底电极结构，包括硅基底，其特征在于，所述底电极包括第一金属层、连接孔、透明绝缘膜、有机接触层，所述硅基底中含有金属氧化物半导体场效应晶体管，所述连接孔设置于透明绝缘膜中，所述有机接触层通过所述连接孔连接至第一金属层，所述第一金属层连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管的输出端，所述有机接触层的材料为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物。2.如权利要求1所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述底电极还包括第二金属层，所述第二金属层设置于所述有机接触层和所述第一金属层之间，所述连接孔与所述第二金属层在同一水平高度错开设置且不相连接，所述第二金属层被透明绝缘膜所包含。3.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述有机接触层呈透明或半透明状态，且其厚度不超过50nm。4.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述透明绝缘膜的材料为氧化硅或氮化硅，且厚度不超过2μm。5.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料为Al或Ag，且厚度不小于50nm；所述第一金属层和第二金属层的上边缘和/或下边缘可选择性地包覆有硅基接触层，所述硅基接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、W或其氧化物或氮化物或上述材料的任意比例的混合物，且厚度不大于100nm。6.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述有机接触层的外围边缘由绝缘钝化物包覆，使所述有机接触层中未被包覆的区域形成发光区，所述绝缘钝化物为氧化硅、氮化硅、光致抗蚀剂中的一种或其混合物。7.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，连接所述第一金属层和所述有机接触层的连接孔设置在所述底电极的边缘位置或四角位置且突出于所述发光区。8.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述底电极具有凹陷部，所述凹陷部与相邻底电极的突出部相嵌。9.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述连接孔上的底电极部分被所述绝缘钝化物包覆。10.如权利要求1-9任意一种硅基有机发光器件底电极结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在所述硅基底上生长所述金属氧化物半导体场效应晶体管；步骤2、在所述金属氧化物半导体场效应晶体管上方生长所述第一金属层；步骤3、在所述第一金属层上方生长第一氧化硅或氮化硅层；步骤4、在所述第一氧化硅或氮化硅层中制作所述连接孔；步骤5、在所述第一氧化硅或氮化硅层上方制作所述有机接触层；若所述底电极中含有所述第二金属层，则在步骤3和步骤4之间还包含：步骤3.1、在所述第一氧化硅或氮化硅层中生长所述第二金属层；步骤3.2、在所述第二金属层上生长第二氧化硅或氮化硅层；所述第一氧化硅或氮化硅层和所述第二氧化硅或氮化硅层形成所述透明绝缘膜；2CN107331793A权利要求书2/2页若所述底电极中含有所述绝缘钝化物，则在步骤5之后