铝钪合金靶坯及其制备方法及应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107841639A(43)申请公布日2018.03.27(21)申请号201711310758.5(22)申请日2017.12.11(71)申请人基迈克材料科技（苏州）有限公司地址215200江苏省苏州市吴江区汾湖高新区汾杨路东侧(72)发明人程银兵庄志杰顾宗慧庄猛(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人王乐(51)Int.Cl.C22C1/02(2006.01)C22C21/00(2006.01)C22F1/04(2006.01)C23C14/14(2006.01)C23C14/34(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称铝钪合金靶坯及其制备方法及应用(57)摘要本发明涉及一种铝钪合金靶坯及其制备方法及应用，其中，铝钪合金靶坯包括：0.1-15重量份的钪，85-99.9重量份的铝，铝钪合金靶坯的含氧量小于等于160ppm。上述铝钪合金靶坯具有含氧量低，进而使得制备的靶坯不会发生异常放电或粒子溅疤，能够保证后期高品质成膜。此外，上述铝钪合金靶坯还具有靶坯晶粒粒度均匀的优点。CN107841639ACN107841639A权利要求书1/1页1.一种铝钪合金靶坯，其特征在于，所述铝钪合金靶坯包括：0.1-15重量份的钪，85-99.9重量份的铝，所述铝钪合金靶坯的含氧量小于等于160ppm。2.根据权利要求1所述的铝钪合金靶坯，其特征在于，所述铝钪合金靶坯的晶粒平均粒度为50-100μm。3.一种铝钪合金靶坯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将钪金属和铝金属按配比投入所述熔炼炉中，抽真空至真空度为0.1-1.0Pa；然后充入惰性保护气体进行熔炼；所述钪金属与所述铝金属的质量比为0.1-15:85-99.9；然后在惰性气氛下浇铸成型，冷却后得到合金铸锭；将所述合金铸锭进行反复轧制、然后退火。4.根据权利要求3所述的铝钪合金靶坯的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在所述反复轧制后，对所述合金铸锭进行校平。5.根据权利要求3所述的铝钪合金靶坯的制备方法，其特征在于，所述反复轧制的道次为15-30道次。6.根据权利要求3所述的铝钪合金靶坯的制备方法，其特征在于，所述反复轧制为热轧制，热轧制的温度为400℃-600℃。7.根据权利要求6所述的铝钪合金靶坯的制备方法，其特征在于，所述热轧制的时间为0.5h-1.5h。8.一种铝钪合金靶材，其特征在于，包括背板、以及贴合于所述背板上的铝钪合金靶坯，所述铝钪合金靶坯为权利要求1或2所述的铝钪合金靶坯。9.一种铝钪合金靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将权利要求1或2所述的铝钪合金靶坯贴合于背板上，从而得到铝钪合金靶材。10.一种包括权利要求1或2所述的铝钪合金靶坯在微型机电系统制备中的应用。2CN107841639A说明书1/5页铝钪合金靶坯及其制备方法及应用技术领域[0001]本发明涉及一种铝钪合金材料领域，特别是涉及一种铝钪合金靶坯及其制备方法及应用。背景技术[0002]在诸多场合中需要溅射形成铝钪合金，例如，集微型传感器、执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的微型机电系统(MEMS)的制备过程中。一般采用铝钪合金靶坯作为溅射源溅射形成铝钪薄膜。[0003]目前，传统的铝钪合金靶坯，容易发生异常放电或粒子溅疤，并且成膜质量差。发明内容[0004]基于此，有必要针对上述问题，提供一种不容易发生异常放电或粒子溅疤、且成膜性好的铝钪合金靶坯。[0005]一种铝钪合金靶坯，所述铝钪合金靶坯包括：[0006]0.1-15重量份的钪，85-99.9重量份的铝，所述铝钪合金靶坯的含氧量小于等于160ppm。[0007]上述铝钪合金靶坯具有含氧量低，进而使得制备的靶坯不会发生异常放电或粒子溅疤，能够保证后期高品质成膜。[0008]在其中一个实施例中，所述铝钪合金靶坯的晶粒平均粒度为50-100μm。[0009]本发明还提供了一种铝钪合金靶坯的制备方法。[0010]一种铝钪合金靶坯的制备方法，包括如下步骤：[0011]将钪金属和铝金属按配比投入所述熔炼炉中，抽真空至真空度为0.1-1.0Pa；然后充入惰性保护气体进行熔炼；所述钪金属与所述铝金属的质量比为0.1-15:85-99.9；[0012]然后在惰性气氛下浇铸成型，冷却后得到合金铸锭；[0013]将所述合金铸锭进行反复轧制、然后退火。[0014]该铝钪合金靶坯的制备方法具有操作简单，有利于产业化应用。通过此法制备的铝钪合金靶坯具有含氧量低、靶坯晶粒粒度均匀、细化的特点，进而能够满足溅射靶坯的特性需求。制备的靶坯不会发生异常放电或粒子溅疤，能够保证后期高品质成膜。[0015]在其中一个实施例中，所