一种铝钪合金靶材的制备方法.pdf
Ja****20
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铝钪合金靶材的制备方法.pdf
本发明实施例公开了一种铝钪合金靶材的制备方法,所述方法包括将金属钪和金属铝按一定配比投入熔炼炉中,在真空或惰性气氛下,熔炼得到铝钪合金熔体;将所述铝钪合金熔体浇铸到待加压铸造模具中,并将所述待加压铸造模具转移到挤压装置中,启动所述挤压装置,得到铸压坯体;将所述铸压坯体在真空退火炉中退火。采用本发明可以制备任意配比的铝钪合金靶材,获得的铝钪合金靶材具有组织和化学成分均匀,气孔、夹杂等缺陷小,相对密度高,加工性能好等优点,适合压电薄膜、传感器、微电子、半导体芯片、光伏等高端产业的需要。
一种铝钪合金靶材的制备方法.pdf
本发明揭示了一种铝钪合金靶材的制备方法,包括以下步骤:将铝原料和钪原料通过冷坩埚悬浮熔炼,得到铝钪合金熔体;将铝钪合金熔体浇铸到模具上冷却成型,得到铝钪合金铸锭;将铝钪合金铸锭置于真空坩埚炉内,升温使铸锭熔融成为铝钪合金液;将铝钪合金液进行雾化后得到铝钪合金粉末;将铝钪合金粉末进行烧结后得到铝钪合金靶坯;将铝钪合金靶坯进行机加工得到铝钪合金靶材。本发明提供的一种铝钪合金靶材的制备方法,根据铝和钪的金属熔点相差悬殊特点,将铝原料分批次加入钪原料中进行熔炼,可以使合金靶材熔炼至完全合金化,而且采用熔化雾化的方
一种环形高钪铝钪合金靶材及其制备方法.pdf
本发明公开了一种环形高钪铝钪合金靶材及其制备方法,属于靶材技术领域,环形高钪铝钪合金靶材的制备方法,包括以下步骤:(1)将铝钪靶材用胶带保护;(2)将靶材准备腐蚀穿孔的位置的胶带去除,露出需要穿孔的圆形靶材表面,将腐蚀容器垂直于圆形靶材表面,并固定,将圆形靶材表面的背面与腐蚀容器对应的位置的胶带去除,并将背面露出部分与胶带的接触处密封;(3)将靶材放置于容器中,冰水混合物没过靶材,将酸液加入到腐蚀容器中,隔0.5~2小时将酸液吸出,用水清洗腐蚀位置并吸出,再加入酸液,重复操作,直至靶材腐蚀穿孔。本发明用酸
高含钪量铝钪合金靶材及靶材前级材料制备方法.pdf
高含钪量铝钪合金靶材及靶材前级材料制备方法,步骤包括(1)制取自耗熔炼的坯棒:将铝颗粒与块状钪混合后压坯,获得坯棒;该坯棒的密度是60%—70%,铝颗粒与块状钪的用量为坯棒合金化后合金中钪含量为30at%—45at%;(2)自耗熔炼:将坯棒置入自耗真空电弧熔炼炉进行自耗熔炼,获得粗坯;(3)电子轰击熔炼炉熔炼:将所述粗坯置入电子轰击熔炼炉进行熔炼,获得高钪铝钪合金靶材或粉末冶金制靶前级材料。本发明通过集成创新工艺,克服了现有技术工艺存在的诸多缺陷,利用各相关工艺的优点实现协同作用,可以制备出高品质的高钪铝
一种铝钪合金靶材的制备工艺.pdf
本发明公开了一种铝钪合金靶材的制备工艺,涉及半导体靶材制备领域,旨在解决目前钪合金靶材的制备质量不够高的问题,其技术方案要点是:选用纯度为99.999%的金属铝和纯度为99.99%的金属钪,将铝钪原料投入真空熔炼炉中,将真空熔炼炉加热,使熔炼炉中的铝钪合金原料熔化;向真空熔炼炉中通入惰性气体,去除气体杂质最终得到合金;在真空状态下进行浇铸,冷却定型得到合金铸锭,使用热轧机进行轧制操作;在300℃~500℃条件下对校平后的高纯铝钪合金靶材进行退火处理;使用扩散焊接法使其贴合于背板上,获得高纯低氧铝钪合金靶材