晶圆支撑装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109461691A(43)申请公布日2019.03.12(21)申请号201710796170.9(22)申请日2017.09.06(71)申请人富士迈半导体精密工业（上海）有限公司地址201600上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号申请人京鼎精密科技股份有限公司(72)发明人邱义君黄俊凯吕至诚陈春忠傅承祖蔡升富(74)专利代理机构深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334代理人刘永辉郑杏芳(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称晶圆支撑装置(57)摘要本发明涉及一种晶圆支撑装置，其包括：承载主体，所述承载主体包括有承载面，所述承载面开设有多个排气槽；所述排气槽将所述承载面分成多个承载区，每个承载区开设有容纳槽以及与每个所述容纳槽相连通的气流入口；多个非接触式吸盘，所述每个容纳槽设置有一个所述非接触式吸盘；中空圆柱筒，所述中空圆柱筒环绕所述承载主体设置；所述中空圆柱筒与所述承载主体形成环形的气流排出通道，所述气流排出通道的延伸方向与所述气流排气槽的延伸方向垂直且与所述排气槽的一端连通；以及多个吸附支撑件，所述吸附支撑件设置在所述承载面上，所述吸附支撑件的高度稍高于所述非接触式吸盘。CN109461691ACN109461691A权利要求书1/1页1.一种晶圆支撑装置，其包括：承载主体，所述承载主体包括有承载面，所述承载面开设有多个排气槽；所述排气槽将所述承载面分成多个承载区，每个承载区开设有容纳槽以及与每个所述容纳槽相连通的气流入口；多个非接触式吸盘，所述非接触式吸盘设置在每个所述容纳槽中；中空圆柱筒，所述中空圆柱筒环绕所述承载主体设置；所述中空圆柱筒与所述承载主体之间设置有气流排出通道，所述气流排出通道的延伸方向与所述中空圆柱筒的轴向方向平行且与所述排气槽相连通；以及多个吸附支撑件，所述吸附支撑件设置在承载面上，所述吸附支撑件的高度稍高于所述非接触式吸盘；每个气流入口通入气流后能为所述非接触式吸盘提供正压以使所述非接触式吸盘吸附晶圆，所述非接触式吸盘排出的气流能通过所述排气槽流至所述气流排出通道排出；所述气流入口通入气流直至所述晶圆接触所述吸附支撑件时，所述气流入口停止通入气流，并将气流排出通道关闭；且切换成向所述吸附支撑件通以负压，以利用所述吸附支撑件吸附支撑所述晶圆，使所述晶圆背面皆受负压吸附并平贴附于所述吸附支撑件。2.如权利要求1所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述承载面的尺寸与所述晶圆的尺寸相一致。3.如权利要求1所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述圆柱筒的高度稍高于所述承载面。4.如权利要求3所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述承载主体大致呈圆柱形状且包括有中心轴，所述承载面为圆形，所述排气槽包括有环绕所述中心轴的第一环形排气槽、靠近所述承载主体边缘的第二环形排气槽以及以辐射状形式从所述第一环形排气槽延伸至所述第二环形排气槽的条形排气槽。5.如权利要求4所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述第一环形排气槽、所述第二环形排气槽及所述条形排气槽将所述第一环形排气槽与第二环形排气槽围合的区域分为多个所述承载区，每个承载区设置有至少一个吸盘。6.如权利要求1所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述吸附支撑件在所述承载主体上均匀分布。7.如权利要求6所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述吸附支撑件的高度与所述中空圆柱筒的高度相一致，所述吸附支撑件包括圆柱中空件及套设在所述圆柱中空件顶端的支撑盘。8.如权利要求7所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述圆柱中空件的剖面为倒T形状，所述支撑盘的剖面为梯形。9.如权利要求8所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述承载面上还设置有与所述承载面尺寸相一致的垫片，所述垫片显露所述排气槽及所述非接触式吸盘，所述圆柱中空件贯穿所述垫片，所述支撑盘的底部承靠所述垫片。10.如权利要求8所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述承载主体还开设贯穿所述承载主体的、且与每个所述吸附支撑件一一对应相通的通孔，所述通孔与排气装置相连用于为所述晶圆支撑装置提供真空。2CN109461691A说明书1/6页晶圆支撑装置技术领域[0001]本发明涉及集成电路器件制造装置，尤其涉及一种晶圆支撑装置。背景技术[0002]于集成电路制造过程中，微影制程是采用曝光机台对晶圆上的曝光区域进行照射，而将光罩图案转移至晶圆。在这个过程中，利用晶圆载台以真空吸附的方式将晶圆承载固定以防晶圆位置偏移。直接使用真空吸附晶圆，对二维的晶圆无问题，但针对三维封裝晶圆或者因经薄化与镀金属膜的晶圆，常因内应力造成晶圆严重变形中间凸或中间凹，如此会造成晶圆无法吸附贴平于晶圆载台。发明内容[000