充放电开关电路、充放电控制装置、芯片及电池管理系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112398192A(43)申请公布日2021.02.23(21)申请号202010906330.2(22)申请日2020.09.01(71)申请人珠海迈巨微电子有限责任公司地址519000广东省珠海市唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层147室(72)发明人周号(74)专利代理机构北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11807代理人李伟波韩德凯(51)Int.Cl.H02J7/00(2006.01)权利要求书3页说明书18页附图8页(54)发明名称充放电开关电路、充放电控制装置、芯片及电池管理系统(57)摘要本公开提供了一种充放电开关电路，用于对电池/电池的充电电流和/或放电电流进行控制，包括：第一MOS晶体管，第一MOS晶体管的栅极接收第一控制信号以便进行导通与关断，第一MOS晶体管为低耐压型MOS晶体管，第二MOS晶体管，第二MOS晶体管的栅极接收第二控制信号以便进行导通与关断，第二MOS晶体管为高耐压型MOS晶体管，以及开关，开关的一端连接第二MOS晶体管的栅极，开关的另一端连接第二MOS晶体管的源极，以便当第一MOS晶体管关断的情况下，开关导通以使得第二MOS晶体管在第一MOS晶体管关断之前进行关断或者在第一MOS晶体管关断的同时进行关断。还提供了一种充放电控制装置、芯片及电池管理系统。CN112398192ACN112398192A权利要求书1/3页1.一种充放电开关电路，用于对电池/电池的充电电流和/或放电电流进行控制，其特征在于，包括：第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管的栅极接收第一控制信号以便进行导通与关断，所述第一MOS晶体管为低耐压型MOS晶体管，所述第一MOS晶体管的源极或者漏极连接电池侧；第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管的栅极接收第二控制信号以便进行导通与关断，所述第二MOS晶体管为高耐压型MOS晶体管，所述第二MOS晶体管的源极或者漏极连接外部负载或外部充电器侧，所述第二MOS晶体管的漏极或者源极与所述第一MOS晶体管的漏极或者源极连接；以及开关，所述开关的一端连接所述第二MOS晶体管的栅极，所述开关的另一端连接所述第二MOS晶体管的源极，以便当所述第一MOS晶体管关断的情况下，所述开关导通以使得所述第二MOS晶体管在所述第一MOS晶体管关断之前进行关断或者在所述第一MOS晶体管关断的同时进行关断。2.如权利要求1所述的充放电开关电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管为放电MOS晶体管并且所述第一控制信号为放电控制信号，所述第二MOS晶体管为充电MOS晶体管并且所述第二控制信号为充电控制信号，所述第一MOS晶体管的源极连接电池侧，所述第二MOS晶体管的源极连接外部负载或外部充电器侧，所述第二MOS晶体管的漏极与所述第二MOS晶体管的漏极连接。3.如权利要求1所述的充放电开关电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管为充电MOS晶体管并且所述第一控制信号为放电控制信号，所述第二MOS晶体管为放电MOS晶体管并且所述第二控制信号为放电控制信号，所述第一MOS晶体管的漏极连接电池侧，所述第二MOS晶体管的漏极连接外部负载或外部充电器侧，所述第二MOS晶体管的源极与所述第二MOS晶体管的源极连接，或者，所述电池侧为电池的低压侧，所述外部负载或外部充电器侧为所述外部负载的低压侧或者所述外部充电器的低压侧，或者所述电池侧为电池的高压侧，所述外部负载或外部充电器侧为所述外部负载的高压侧或者所述外部充电器的高压侧，或者，所述第一MOS晶体管的源极与漏极之间连接有高压保护二极管，或者，所述第一MOS晶体管的导通阻抗小于所述第二MOS晶体管的导通阻抗。4.如权利要求1至3中任一项所述的充放电开关电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管为NMOS晶体管，或者，还包括第二电阻，所述开关为开关用NMOS晶体管，所述第二电阻的一端连接所述开关用NMOS晶体管的栅极并且所述第二电阻的另一端连接所述开关用NMOS晶体管的源极，所述开关用NMOS晶体管的栅极连接电流信号，所述开关用NMOS晶体管的漏极连接第二MOS管的栅极，所述开关用NMOS晶体管的源极连接所述第二MOS晶体管的源极，或者，2CN112398192A权利要求书2/3页当需要关断第二MOS晶体管时，所述电流信号被提供，通过在所述第二电阻上形成的电压使得所述第二MOS晶体管被快速关断，或者，还包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接所述第二MOS晶体管的栅极并且所述第一电阻的另一端连接所述第二MOS晶体管的源极，或者，还包括第二高压保护二极管，所述开关为开关用NMOS晶体管，所述第二高压保护二极管的正端连接所述开关用NMOS晶体管的栅极并且所述第二高压保护