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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112039144A(43)申请公布日2020.12.04(21)申请号202010816275.8(22)申请日2020.08.14(71)申请人珠海迈巨微电子有限责任公司地址519000广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层147室(72)发明人周号(74)专利代理机构北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11807代理人李伟波韩德凯(51)Int.Cl.H02J7/00(2006.01)H02H7/18(2006.01)权利要求书3页说明书15页附图6页(54)发明名称充放电控制电路、电池管理芯片及电设备(57)摘要本公开提供了一种充放电控制电路,控制电路用于控制电池的充电电流和放电电流,其中通过第一连接端和第二连接端为电池进行充电和放电,通过控制充放电控制开关来控制充电和放电,充放电控制开关包括充电控制开关和放电控制开关,充电控制开关和放电控制开关串联在电池与第一连接端之间的或者电池与第二连接端之间的电流路径上。本公开还提供了一种电池管理芯片及电设备。CN112039144ACN112039144A权利要求书1/3页1.一种充放电控制电路,其特征在于,所述控制电路用于控制电池的充电电流和放电电流,其中通过第一连接端和第二连接端为所述电池进行充电和放电,通过控制充放电控制开关来控制所述充电和放电,所述充放电控制开关包括充电控制开关和放电控制开关,所述充电控制开关和放电控制开关串联在所述电池与所述第一连接端之间的或者所述电池与第二连接端之间的电流路径上,所述控制电路包括:充放电控制单元,所述充放电控制单元包括检测单元和比较单元,所述比较单元的第一输入端连接与所述检测单元的第一端的电压相关的电压,所述比较单元的第二输入端连接与所述充放电控制开关的第一端的电压相关的电压,所述检测单元的第二端与所述充放电控制开关的第二端连接;以及控制逻辑单元,所述控制逻辑单元根据所述比较单元所输出的比较结果来对充电控制开关和放电控制开关进行控制,其中,所述充放电控制开关的导通阻抗值与所述检测单元的导通阻抗值之间的阻抗比值保持恒定。2.如权利要求1所述的充放电控制电路,其特征在于,流经所述充放电控制开关的电流与流经所述检测单元的电流之间的电流比值保持恒定,或者流经所述充放电控制开关的电流与流经所述检测单元的电流之间的电流比值独立于系统电压及系统温度,或者所述充电控制开关和所述放电控制开关分别为MOS晶体管,或者所述检测单元包括一个或多个MOS晶体管,所述检测单元的MOS晶体管与所述充电控制开关和放电控制开关为相同类型的MOS晶体管。3.如权利要求1所述的充放电控制电路,其特征在于,所述检测单元包括NMOS晶体管,并且所述充电控制开关和所述放电控制开关分别为NMOS晶体管,所述检测单元的NMOS晶体管与所述充电控制开关和放电控制开关的NMOS晶体管为相同类型的NMOS晶体管,或者在对放电电流进行控制的情况下,所述检测单元的NMOS晶体管的源极连接至所述充放电控制开关的第二端,所述检测单元的NMOS晶体管的漏极连接恒定电流,该恒定电流与电压及温度无关,并且放电电流从所述充放电控制开关的第一端流向第二端,或者当所述充放电控制开关的第一端的电压大于所述检测单元的NMOS晶体管的漏极侧的电压时,所述比较单元的比较结果翻转,并且所述控制逻辑单元控制所述放电控制开关的断开,或者在对充电电流进行控制的情况下,所述检测单元的NMOS晶体管的源极连接至所述充放电控制开关的第一端,所述检测单元的NMOS晶体管的漏极连接恒定电流,该恒定电流与电压及温度无关,并且放电电流从所述充放电控制开关的第二端流向第一端,当所述充放电控制开关的第二端的电压大于所述检测单元的NMOS晶体管的漏极侧的电压时,所述比较单元的比较结果翻转,并且所述控制逻辑单元控制所述充电控制开关的断开,或者2CN112039144A权利要求书2/3页所述检测单元的第一端的电压设定为与所述充放电控制开关的第一端的电压相同。4.如权利要求1所述的充放电控制电路,其特征在于,还包括镜像电路及比较器,在对放电电流进行控制的情况下,所述检测单元的NMOS晶体管的源极连接至所述充放电控制开关的第二端,所述检测单元的NMOS晶体管的漏极连接至镜像电路,所述检测单元的NMOS晶体管的漏极侧的电压设定为等于所述充放电控制开关的第一端的电压,放电电流从所述充放电控制开关的第二端流向第一端,当所述充放电控制开关的第一端的电压大于所述检测单元的NMOS晶体管的漏极侧的电压时,所述比较单元的比较结果翻转,并且控制所述镜像电路将流经所述检测单元的NMOS晶体管的电流进行镜像以生成镜像电流,并且基于所述镜像电流生成的电压输入至所述