充放电控制装置、半导体芯片、电池管理系统及用电设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113675925A(43)申请公布日2021.11.19(21)申请号202110992856.1(22)申请日2021.08.27(71)申请人珠海迈巨微电子有限责任公司地址519000广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层147室(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11807代理人韩德凯李晓辉(51)Int.Cl.H02J7/00(2006.01)H02J7/06(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称充放电控制装置、半导体芯片、电池管理系统及用电设备(57)摘要本公开提供了一种充放电控制装置，包括：充电开关，电池装置充电时，充电开关被驱动导通；充电开关驱动器，充电开关基于充电开关驱动器的驱动信号被驱动导通；放电开关，电池装置放电时，放电开关被驱动导通；放电开关驱动器，放电开关基于放电开关驱动器的驱动信号被驱动导通；以及变压装置，对电池装置的端电压进行变压，至少生成第一电压以及第二电压，第二电压小于第一电压，充电开关驱动器基于第一电压生成驱动信号，放电开关驱动器基于第二电压生成驱动信号。本公开还提供了半导体芯片、电池管理系统及用电设备。CN113675925ACN113675925A权利要求书1/2页1.一种充放电控制装置，其特征在于，包括：充电开关，电池装置充电时，所述充电开关被驱动导通；充电开关驱动器，所述充电开关基于所述充电开关驱动器的驱动信号被驱动导通；放电开关，电池装置放电时，所述放电开关被驱动导通；放电开关驱动器，所述放电开关基于所述放电开关驱动器的驱动信号被驱动导通；以及变压装置，所述变压装置对电池装置的端电压进行变压，至少生成第一电压以及第二电压，所述第二电压小于所述第一电压，所述充电开关驱动器基于所述第一电压生成驱动信号，所述放电开关驱动器基于所述第二电压生成驱动信号。2.根据权利要求1所述的充放电控制装置，其特征在于，所述充电开关以及所述放电开关均为场效应晶体管。3.根据权利要求2所述的充放电控制装置，其特征在于，所述变压装置包括电荷泵以及电压缓冲器，所述电荷泵将电池装置的端电压变换至所述第一电压，所述第一电压作为所述电压缓冲器的供电电压，所述电压缓冲器输出所述第二电压。4.根据权利要求3所述的充放电控制装置，其特征在于，所述电荷泵包括第一开关、第二开关、第三开关、第一电容以及第二电容，所述第一开关设置在所述第一电容的第一端与电池装置的正极端之间，所述第二开关设置在所述第一电容的第二端与电池装置的负极端之间，所述第三开关设置在所述第一电容的第二端与电池装置的正极端之间，所述第二电容设置在电池装置的正极端与电池装置的负极端或接地端之间。5.根据权利要求3所述的充放电控制装置，其特征在于，所述电压缓冲器包括主动电路；所述主动电路包括第三P型MOS管、第四P型MOS管、第二N型MOS管、第一P型MOS管，所述第三P型MOS管的源极端与所述第四P型MOS管的源极端连接所述变压装置的输出电压；所述第三P型MOS管的栅极端与所述第四P型MOS管的栅极端连接；所述第二N型MOS管的漏极端分别与所述第三P型MOS管的漏极端和栅极端连接；所述第一P型MOS管的源极端与所述第四P型MOS管的漏极端连接；所述第二N型MOS管的源极端与所述第一P型MOS管的漏极端连接且接地；所述第二N型MOS管的栅极端被施加偏置电压以导通所述第二N型MOS管、第三P型MOS管和第四P型MOS管；所述第一P型MOS管的栅极端被施加参考电压以导通所述第一P型MOS管，使用串联电阻将所述参考电压进行抬高并提供至所述第一P型MOS管的源极端，以作为输出的缓冲电压。6.根据权利要求5所述的充放电控制装置，其特征在于，所述电压缓冲器还包括至少一个从动电路，所述从动电路对所述主动电路的第一P型MOS管的源极端的电压进行复制，以作为另外的放电开关驱动器的驱动信号；优选地，所述从动电路包括第五P型MOS管、第六P型MOS管、第一N型MOS管、第二P型MOS管，所述第五P型MOS管的源极端与所述第六P型MOS管的源极端连接所述变压装置的输出电压；所述第五P型MOS管的栅极端与所述第六P型MOS管的栅极端连接；所述第一N型MOS管的漏极端分别与所述第五P型MOS管的漏极端和栅极端连接；2CN113675925A权利要求书2/2页所述第二P型MOS管的源极端与所述第六P型MOS管的漏极端连接；所述第一N型MOS管的源极端与所述第二P型MOS管的漏极端连接且接地；所述第一N型MOS管的栅极端被施加所述偏置电压以导通所述第一N型MOS管、第五P型MOS管和第六P型MOS管；所述第二P型MO