导电锌-锡氧化物靶材及其制备方法与应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113087519A(43)申请公布日2021.07.09(21)申请号202110361835.XC04B35/636(2006.01)(22)申请日2021.04.02C23C14/08(2006.01)(71)申请人基迈克材料科技（苏州）有限公司地址215200江苏省苏州市吴江区汾湖经济开发区汾杨路东侧(72)发明人张玉玲甘志俭(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人李美(51)Int.Cl.C04B35/453(2006.01)C04B35/457(2006.01)C04B35/622(2006.01)C04B35/632(2006.01)C04B35/634(2006.01)权利要求书1页说明书9页(54)发明名称导电锌-锡氧化物靶材及其制备方法与应用(57)摘要本发明靶材制备领域，特别是涉及一种导电锌‑锡氧化物靶材及其制备方法与应用。本发明通过将5～20质量份的SnO粉体、80～95质量份的SnO2粉体和辅料进行预处理得到SnOx粉体，再将SnOx粉体与ZnO粉体混合造粒、加工成型、烧结，即可得到导电的锌‑锡氧化物靶材。SnO2是满价氧化物不导电，SnOx中由于失去一部分氧，造成氧空位缺陷，形成了P型半导体从而能实现导电；一定比例的用量可以将SnOx粉体中X的取值范围控制在1.80～1.95，从而将靶材电导率维持在合理范围内，因此，在将靶材运用在后续镀膜工序中时，既保证了镀膜效率，又能有效地控制镀膜成本，无需在镀膜工序中大量填充氧气，镀膜效果更好，且使用寿命更长。CN113087519ACN113087519A权利要求书1/1页1.一种导电锌‑锡氧化物靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a).将5～20质量份的SnO粉体、80～95质量份的SnO2粉体以及第一辅料混合后进行造粒、烧结，得到SnOx粉体；b).将所述SnOx粉体、ZnO粉体以及第二辅料混合后进行造粒，得到锌‑锡氧化物粉体；将所述锌‑锡氧化物粉体加工成型，得到锌‑锡氧化物靶材素坯；将所述锌‑锡氧化物靶材素坯进行烧结。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述造粒为喷雾造粒，所述喷雾造粒的温度为200℃～300℃。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述烧结的温度为600℃～800℃，所述烧结的时间为1h～2h。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，按质量份计，步骤b)中所述SnOx粉体的用量为30～50份，所述ZnO粉体的用量为50～70份。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述造粒为喷雾造粒，所述喷雾造粒的温度为220℃～350℃。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述烧结的温度为1200℃～1400℃，所述烧结的时间为6h～8h。7.根据权利要求1～6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一辅料包括第一分散剂、第一粘接剂和水；所述第二辅料包括第二分散剂、第二粘接剂和水；所述第一分散剂和所述第二分散剂独立地选自聚丙烯酰胺、聚羧酸铵盐、聚乙烯羧酸类和硬脂酸盐类中的至少一种；所述第一粘接剂和所述第二粘接剂独立地选自聚乙烯醇、丙烯酸乳液、羧甲基纤维素和聚丙烯酸酯中的至少一种。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，按质量份计，所述第一辅料包括：第一分散剂0.5～5份；第一粘接剂0.5～5份；以及水90～99份。9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，按质量份计，所述第二辅料包括：第二分散剂0.5～5份；第二粘接剂0.5～5份；以及水90～99份。10.一种导电锌‑锡氧化物靶材，其特征在于，由权利要求1～9任一项所述的制备方法制备而成。11.一种镀膜，其特征在于，由权利要求10所述的导电锌‑锡氧化物靶材制备而成。2CN113087519A说明书1/9页导电锌‑锡氧化物靶材及其制备方法与应用技术领域[0001]本发明靶材制备领域，特别是涉及一种导电锌‑锡氧化物靶材及其制备方法与应用。背景技术[0002]透明导电氧化物薄膜，简称TCO，由于优良的电导性，以及在可见和近红外光波段良好的光学透过率，被广泛应用于薄膜太阳能电池、大面积平板显示器、有机光发射二极管、低辐射(Low‑E)玻璃、透明薄膜晶体管及柔性电子器件等领域。目前，市场上应用的TCO材料大部分是ITO薄膜，ITO薄膜存在一定缺陷；氧化锌原材料丰富、无毒、无污染，易掺杂其他改性元素，适用于大面积制作ZnO基透明导电薄膜，ZnO基透明导电薄膜是一种优良的宽禁带半导体材料，与环境兼容性好，ZnO基透明导电薄膜稳定性要好于ITO薄膜，因此，ZnO基透明导电薄膜正在取代ITO薄膜逐渐成为首选材料。[0