一种高压芯片的封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114597197A(43)申请公布日2022.06.07(21)申请号202210223912.X(22)申请日2022.03.09(71)申请人合肥矽迈微电子科技有限公司地址230088安徽省合肥市高新区习友路3699号(72)发明人张光耀谭小春(51)Int.Cl.H01L23/60(2006.01)H01L23/485(2006.01)H01L23/482(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种高压芯片的封装结构(57)摘要本发明提供的一种高压芯片的封装结构，包括高压芯片，与所述高压芯片的背面连接的第一铜垫，与第一铜垫连接的第一外引脚，与所述高压芯片的有源面连接的第二外引脚，所述高压芯片与所述第一铜垫之间设有铜薄膜层，所述高压芯片通过所述铜薄膜层与所述第一铜垫连接；设置一包封体，所述高压芯片、第一铜垫、第一外引脚、第二外引脚、铜薄膜层均设置于一包封体内，且所述第一外引脚与所述第二外引脚裸露在所述包封体外表面。CN114597197ACN114597197A权利要求书1/1页1.一种高压芯片的封装结构，其特征在于，包括高压芯片(10)，与所述高压芯片(10)的背面连接的第一铜垫(20)，与第一铜垫(20)连接的第一外引脚(30)，与所述高压芯片(10)的有源面连接的第二外引脚(40)，所述高压芯片(10)与所述第一铜垫(20)之间设有铜薄膜层(50)，所述高压芯片(10)通过所述铜薄膜层(50)与所述第一铜垫(20)连接；设置一包封体(60)，所述高压芯片(10)、第一铜垫(20)、第一外引脚(30)、第二外引脚(40)、铜薄膜层(50)均设置于一包封体(60)内，且所述第一外引脚(30)与所述第二外引脚(40)裸露在所述包封体(60)外表面。2.根据权利要求1所述的一种高压芯片的封装结构，其特征在于，所述铜薄膜层(50)是通过电镀的方式电镀到所述高压芯片(10)的背面。3.根据权利要求1所述的一种高压芯片的封装结构，其特征在于，所述高压芯片(10)的有源面与第二外引脚(40)之间通过金属线(a1)连接。4.根据权利要求1所述的一种高压芯片的封装结构，其特征在于，所述高压芯片(10)的有源面上设有重布线层(a2)，所述高压芯片(10)与第二外引脚(40)之间通过所述重布线层(a2)连接。5.根据权利要求4所述的一种高压芯片的封装结构，其特征在于，所述第二外引脚(40)与重布线层(a2)之间通过设置金属通道(a3)连接。6.根据权利要求5所述的一种高压芯片的封装结构，其特征在于，所述包封体(60)上的第二外引脚(40)与重布线层(a2)之间通过激光通孔的方式形成通道(61)，在所述通道(61)的内壁上通过电镀的方式形成所述金属通道(a3)。7.根据权利要求6所述的一种高压芯片的封装结构，其特征在于，所述金属通道(a3)与所述第二外引脚(40)之间设有第二铜垫(70)，所述金属通道(a3)通过所述第二铜垫(70)与所述第二外引脚(40)连接。2CN114597197A说明书1/3页一种高压芯片的封装结构技术领域[0001]本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种高压芯片的封装结构。背景技术[0002]半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片(Die)，然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板架(引线框架)的小岛上，再利用超细的金属(金、锡、铜、铝等)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(BondPad)连接到基板的相应引脚(Lead)，并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试，通常经过入检Incoming、测试Test和包装Packing等工序，最后入库出货。[0003]现有技术中，高压芯片的结构比较特殊，如图1所示，图1为现有技术中的高压芯片的结构示意图，高压芯片的有源面四周的边沿处和背面四周的边沿处均设有一圈凹陷区域，将其结构设计成这种形状，是为了使芯片能够耐高压。[0004]在将芯片背面粘贴到与引脚连接的第一铜垫片上时，通常芯片都是通过采用点胶的方式贴装到第一铜垫片上，但是这种方式胶水很容易从芯片的四周溢出，并到达芯片背面四周的凹陷环形区域，甚至在胶水过量的时候，或者贴装压力过大时，很容易将胶水挤出，并接触到芯片的侧壁以及有源面上，如图2和图3所示，图2为少剂量胶水溢出的结构示意图，图3为多剂量胶水溢出的结构示意图，当胶水接触到芯片的侧壁以及有源面上时，容易导致芯片的有源面或侧壁与背面导通，容易导致芯片漏电的现象发生，从而导致芯片失效。发明内容[0005]本