一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111710671A(43)申请公布日2020.09.25(21)申请号202010768651.0(22)申请日2020.08.03(71)申请人全球能源互联网研究院有限公司地址102209北京市昌平区未来科技城滨河大道18号(72)发明人王亮石浩杜玉杰(74)专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250代理人秦广成(51)Int.Cl.H01L25/18(2006.01)H01L23/04(2006.01)H01L23/48(2006.01)H01L21/50(2006.01)权利要求书3页说明书11页附图4页(54)发明名称一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法(57)摘要一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法，高压功率半导体芯片的封装结构包括：基板；位于所述基板上的高压功率半导体芯片，所述高压功率半导体芯片与所述基板相背的一面具有栅极；覆盖所述高压功率半导体芯片的第一封装框盖，所述第一封装框盖具有第一顶板，所述第一顶板中具有栅极预留口；栅极引出部，所述栅极引出部的一端位于所述栅极预留口中且与所述栅极电学连接。所述高压功率半导体芯片的封装结构的寄生电感降低。CN111710671ACN111710671A权利要求书1/3页1.一种高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上的高压功率半导体芯片，所述高压功率半导体芯片与所述基板相背的一面具有栅极；覆盖所述高压功率半导体芯片的第一封装框盖，所述第一封装框盖具有第一顶板，所述第一顶板中具有栅极预留口；栅极引出部，所述栅极引出部的一端位于所述栅极预留口中且与所述栅极电学连接。2.根据权利要求1所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述栅极引出部的顶面面积大于所述栅极的顶面面积。3.根据权利要求1所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述栅极预留口的开口面积小于所述栅极的顶面面积。4.根据权利要求3所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述栅极预留口的开口面积为所述栅极的顶面面积的0.8倍～0.9倍。5.根据权利要求2所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述栅极引出部的顶面包括测试连接区域，所述测试连接区域的面积为所述栅极的顶面面积的2倍～8倍。6.根据权利要求2所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述栅极预留口贯穿所述第一顶板；所述第一顶板中还具有位于所述第一顶板部分厚度的附加槽，所述附加槽的开口背向所述高压功率半导体芯片，所述附加槽位于所述栅极预留口的侧部且与所述栅极预留口连通；所述栅极引出部还位于所述附加槽中。7.根据权利要求6所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述栅极引出部包括第一引出部和第二引出部，所述第二引出部的一端与所述第一引出部的一端连接，所述第一引出部和所述第二引出部构成“L”形，所述第一引出部位于所述栅极预留口中且与所述栅极电学连接，所述第二引出部位于所述附加槽中。8.根据权利要求6所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，还包括：第一测试电极组件，所述第一测试电极组件包括第一电极连接件和与所述第一电极连接件连接的第一主测试电极，所述第一电极连接件位于所述第一封装框盖上且分别与所述栅极引出部电学连接。9.根据权利要求8所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述第一电极连接件覆盖所述栅极引出部的整个顶面。10.根据权利要求2所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述栅极预留口位于部分厚度的所述第一顶板中，所述栅极预留口的开口朝向所述高压功率半导体芯片；所述栅极引出部包括弹簧探针和与弹簧探针连接的导电片，所述弹簧探针位于所述栅极预留口中且与所述栅极电学连接，所述导电片嵌入在所述第一顶板内部；所述第一顶板中还具有位于所述导电片部分区域上的栅连接槽。11.根据权利要求10所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，还包括：第一测试电极组件，所述第一测试电极组件包括第一电极连接件、若干第二电极连接件、以及第一主测试电极，所述第二电极连接件位于所述栅连接槽中且与所述导电片电学连接，所2CN111710671A权利要求书2/3页述第一电极连接件位于所述第一封装框盖上且分别与所述第二电极连接件连接，所述第一主测试电极与所述第一电极连接件连接。12.根据权利要求8或11所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述第一电极连接件呈矩形环状结构，所述第一主测试电极与所述第一电极连接件的部分内环侧壁连接。13.根据权利要求1所述的高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，还包括：位于所述栅极引出部的一端和所述栅极之间的栅极烧结镀层。14.根据权利要求1所述的高压