一种预包封基板及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115148695A(43)申请公布日2022.10.04(21)申请号202210874317.2(22)申请日2022.07.25(71)申请人合肥矽迈微电子科技有限公司地址230088安徽省合肥市高新区习友路3699号(72)发明人张光耀(51)Int.Cl.H01L23/492(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页(54)发明名称一种预包封基板及其制作方法(57)摘要本发明申请公开了一种预包封基板及其制作方法，包括预封层和载板，所述载板表面设置有铜膜，预封层设置在载板的正上方，其特征在于，所述预封层的内部包含至少一个凸起，每个凸起的上端暴露于预封层的表面，且下端设置有引脚，引脚与铜膜齐平，每个凸起的表面设置有凹陷口用以盛放焊料和倒装贴装，每个所述凸起的上端暴露于预封层表面的方式为研磨，预封层具体为环氧树脂塑封料，每个所述凸起的表面通过部分蚀刻的方式形成凹陷口，所述凹陷口为弧度内凹陷，其深度范围为10～50μm，本发明申请改变载板的材质为单面覆铜载板，整体工艺简单高效，成本降低，减少工艺流程，焊脚的形状也可以根据实际生产需要灵活的改变。CN115148695ACN115148695A权利要求书1/1页1.一种预包封基板，包括预封层（6）和载板（1），所述载板（1）表面设置有铜膜（2），预封层（6）设置在载板（1）的正上方，其特征在于，所述预封层（6）的内部包含至少一个凸起（3），每个凸起（3）的上端暴露于预封层（6）的表面，且下端设置有引脚（7），引脚（7）与铜膜（2）齐平，每个凸起（3）的表面设置有凹陷口（4）用以盛放焊料和倒装贴装。2.根据权利要求1所述的预包封基板，其特征在于，每个所述凸起（3）的上端暴露于预封层（6）表面的方式为研磨，预封层（6）具体为环氧树脂塑封料。3.根据权利要求2所述的预包封基板，其特征在于，每个所述凸起（3）的表面通过部分蚀刻的方式形成凹陷口（4）根据权利要求3所述的预包封基板，其特征在于，所述凹陷口（4）为弧度内凹陷，其深度范围为10～50μm。4.根据权利要求1所述的预包封基板，其特征在于，所述铜膜（2）通过压合形成在载板（1）的表面，所述铜膜（2）的厚度≥15μm。5.根据权利要求1所述的预包封基板，其特征在于，所述凸起（3）通过涂膜、光刻、显影和电镀的工艺形成。6.一种预包封基板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供一单面覆铜膜（2）的载板（1）；S2、在载板（1）的覆铜膜（2）表面通过涂膜、光刻、显影和电镀的方式形成至少一个凸起（3），其下端设置有引脚（7），引脚（7）与铜膜（2）齐平；S3、将每个凸起（3）包封成为预封层（6），并研磨暴露出；S4、部分蚀刻每个凸起（3）形成凹陷口（4）；S5、在凹陷口（4）表面形成防氧化层（5），此时预包封基板制备成功，入库待用；S6、使用焊料印刷机将凹陷口（4）填上焊料；S7、将芯片倒装贴片，芯片的植球对应凹陷口（4）贴装，后包封剥去载板（1），留下铜膜（2）蚀刻成焊脚，焊脚与引脚（7）连接。7.根据权利要求7所述的预包封基板制作方法，其特征在于，部分蚀刻每个凸起（3）形成凹陷口（4）后在凹陷口（4）的表面进行防氧化处理的方式为镀金或涂乙撑双油酸酰胺胶或涂有机保焊膜。2CN115148695A说明书1/5页一种预包封基板及其制作方法技术领域[0001]本发明申请属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种预包封基板及其制作方法。背景技术[0002]在近年的半导体封装工业中，各种封装方法层出不穷，实现了更高的密度、更强的功能、更忧的性能、更小的体积和更低的功耗等优势，MIS框架作为一种全新的基于框架基材的封装工艺应运而生，MIS框架（MoldedInterconnectedSystem）是基于电镀堆积和预塑封技术的框架制作工艺，其包含一层或多层预包封结构，每一层都通过电镀铜来进行互连，以提供在封装过程中的电性连接，为了提高封装效率，封装厂会预制出大批量的MIS框架入库备用，后续直接在MIS框架上贴装芯片并包封等完成封装工作。[0003]MIS框架的一般制作过程为使用特有的基板材料，即冷轧碳钢薄板及钢带为基板，基板研磨抛光提高基板表面粗糙度后氰铜电镀提高基板铁层与后续酸铜镀铜的结合力、酸铜电镀为后制程即正式电镀提供良好的生产界面，之后经过多次光刻显影后再普通电镀形成内部线路，包封为框架封装体，再将基板背面窗口蚀刻和防氧化处理，形成大批量的MIS框架入库待用，后续芯片直接贴装即可，MIS框架的制作成本较高，主要在于，首先使用的基板材料不同，钢带基板的造价肯定大幅度高于业内常用的玻璃环氧树脂等树脂类基板板材，其次氰铜电镀和酸铜电镀的基板表面