一种阵列基板及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111640766A(43)申请公布日2020.09.08(21)申请号202010572313.X(22)申请日2020.06.22(71)申请人武汉华星光电技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋(72)发明人汪才树曹志浩(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人李新干(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称一种阵列基板及其制作方法(57)摘要本申请提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括：层叠设置的衬底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、金属层；其中，栅极绝缘层形成有凹槽，金属层在有源层上方图案化形成栅极，金属层在凹槽内图案化形成公共电极，栅极和公共电极在水平方向上形成有高度差。本申请通过栅极和公共电极之间形成有高度差，缓解了金属层在刻蚀时，刻蚀液容易在栅极和公共电极之间残留的问题。CN111640766ACN111640766A权利要求书1/2页1.一种阵列基板，其特征在于，包括；衬底；缓冲层，形成在所述衬底之上；有源层，形成在所述缓冲层远离所述衬底的一侧；栅极绝缘层，形成在所述有源层远离所述缓冲层的一侧，图案化形成有凹槽，所述凹槽设置在所述栅极绝缘层远离所述缓冲层的一侧；金属层，形成在所述栅极绝缘层远离所述缓冲层的一侧，所述金属层的厚度小于所述凹槽的深度；其中，所述金属层在所述有源层上方图案化形成栅极，所述金属层在所述凹槽内图案化形成公共电极，所述栅极和所述公共电极在水平方向上形成有高度差，所述公共电极与所述有源层之间绝缘。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在水平方向上，所述凹槽与所述有源层边缘的距离在30纳米到50纳米之间。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽贯穿所述栅极绝缘层至所述缓冲层表面。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的深度为所述栅极绝缘层的二分之一到三分之一。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的形状包括倒梯形。6.一种阵列基板的制作方法，用于制作权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板上依次形成衬底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层涂布一层光阻；对所述光阻进行曝光显影后，所述栅极绝缘层上形成有凹槽；在所述栅极绝缘层上沉积金属层，所述金属层图案化形成栅极和公共电极。7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述对所述光阻进行曝光显影后，在所述栅极绝缘层上形成有凹槽的步骤包括：提供一掩膜板，所述掩膜版形成有凹槽图案；用所述掩膜版对所述光阻进行曝光显影，所述光阻在所述凹槽图案的位置上形成有通孔；对所述栅极绝缘层进行刻蚀，在所述通孔内，所述栅极绝缘层形成有凹槽；剥离剩余的光刻胶。8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述对所述栅极绝缘层进行刻蚀，在所述通孔内，所述栅极绝缘层形成有凹槽的步骤包括：采用湿刻蚀法形成所述凹槽。9.如权利要求6所述的制作方法，所述在所述栅极绝缘层上沉积金属层，所述金属层图案化形成栅极和公共电极的步骤包括：在所述栅极绝缘层上沉积金属层，所述金属层经过一次构图工艺形成栅极和公共电极，所述公共电极形成在所述凹槽内。10.如权利要求6所述的制作方法，所述在所述栅极绝缘层上沉积金属层，所述金属层2CN111640766A权利要求书2/2页图案化形成栅极和公共电极的步骤包括：在所述凹槽内沉积第一金属层，所述第一金属层图案化形成公共电极；在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层，所述第二金属层图案化形成栅极。3CN111640766A说明书1/6页一种阵列基板及其制作方法技术领域[0001]本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法。背景技术[0002]在大尺寸的低温多晶硅薄膜晶体管的制程中，常常采用栅极和公共电极的双走线设计来平衡公共电极的电压。由于在双走线设计中，栅极和公共电极设置在同一水平面，这样金属层刻蚀形成栅极和公共电极时，容易在栅极和公共电极之间造成刻蚀液残留。由于残留的刻蚀液无法排除，造成栅极和公共电极线在后续制程中持续刻蚀，从而导致栅极和公共电极走线过细容易断线，从而造显示面板显示不良。[0003]因此，现有技术在双走线设计的薄膜晶体管阵列基板中，存在栅极和公共电极之间残留刻蚀液影响显示面板良率的问题。发明内容[0004]本申请实施例提供一种阵列基板及其制作方法，可以有效缓解现有技术在双走线设计的薄膜晶体管阵列基板中，存在栅极和公共电极之间残留刻蚀液影响显示面板良率的问题。[0005]为解决以上问题，本申请提供的技术方案如下：[0