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半导体器件及其制造方法.pdf
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相关资料
半导体器件及其制造方法.pdf
本发明属于半导体器件的制造技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制造方法。随着半导体器件由32层向64层发展，线边缘粗糙度的问题也愈发突出，本发明在阶梯刻蚀过程中，通过严格控制光刻胶的边缘轮廓的形状，来解决台阶边缘粗糙度的问题，由于改善了阶梯的线边缘粗糙度,因而可以增加连接孔刻蚀关键尺寸的制程窗口。
2023-09-01
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半导体器件及其制造方法.pdf
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。通过在制作栅极的过程中，先去除电极材料的一部分，使电极槽内保留的电极材料与第一隔离层之间形成隔离沟槽，同时隔离沟槽内可以再制作第二隔离层。如此，第一隔离层和第二隔离层的厚度之和会明显大于第一氧化层的厚度，从而使得第一电极和场板之间的隔离层的总体质量得到提高，使得半导体器件的栅源最大电压的极限值更高，同时可以解决器件的IGSS/HTGB失效问题，可以提高电极间的坚固性，提高器件的可靠性，器件的制作流程简单，隔离层的厚度可控，制作成本较低。
2023-11-15
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半导体器件及其制造方法.pdf
本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法，涉及微电子技术领域。该半导体器件包括半导体基底、源极、栅极和漏极。源极、栅极和漏极制作于所述半导体基底一侧，在源极所在区域预留有通孔区域并在该通孔区域制作有刻蚀阻挡层；位于所述刻蚀阻挡层下方设置有贯穿所述半导体基底的通孔。通过在源极中设置通孔区域，并在通孔区域内设置刻蚀阻挡层，使得在进行与源极对应的通孔刻蚀时，能减少对通孔区域源极金属的刻蚀损伤。在刻蚀过程中，可以更容易的判断刻蚀进度，降低通孔刻蚀的工艺难度。同时可以提高通孔刻蚀时的刻蚀选择比，减少刻蚀过程中刻蚀
2023-11-15
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半导体器件及其制造方法.pdf
本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件的性能得到改进。在用于制造半导体器件的方法中，在控制栅极电极的表面处顺序地形成第一绝缘膜、导电膜、包含硅的第二绝缘膜、和由硅形成的第三膜。然后，对第三膜进行回蚀刻，以经由第一绝缘膜、导电膜和第二绝缘膜将第三膜保留在控制栅极电极的侧表面处，从而形成间隔件。然后，对导电膜进行回蚀刻，以在间隔件与控制栅极电极之间、以及在间隔件与半导体衬底之间，形成由导电膜形成的存储器栅极电极。
2023-11-20
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半导体器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构两侧的鳍片中形成第一源漏凹槽；在鳍片中第一源漏凹槽下方形成第二源漏凹槽，以及在第二源漏凹槽侧面形成第三源漏凹槽；在第二源漏凹槽和第三源漏凹槽中形成绝缘隔离层；在第一源漏凹槽中形成源漏区，源漏区之间的鳍片构成沟道区；在器件上形成层间介质层；去除假栅极堆叠结构，在层间介质层中留下栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过横向刻蚀源漏区
2023-11-23
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