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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110808336A(43)申请公布日2020.02.18(21)申请号201911101232.5(22)申请日2019.11.12(71)申请人杭州追猎科技有限公司地址310030浙江省杭州市西湖区三墩镇西园八路2号8幢2603室(72)发明人吴宝昕(74)专利代理机构北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司11642代理人何平(51)Int.Cl.H01L51/50(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种有机发光面板及其制备方法(57)摘要本发明提供一种有机发光面板及其制备方法,该有机发光面板包括空穴注入层(120);该空穴注入层(120)为高分子化合物(220)掺杂金属氧化物颗粒(210);其中,金属氧化物颗粒(210)在高分子化合物中的掺杂浓度从接近基板(100)的表面到远离基板(100)的表面逐渐减少,且从空穴注入层的远离基板(100)的表面向空穴注入层的内部的一定距离内不掺杂有金属氧化物颗粒,该距离大于等于金属氧化物颗粒(210)晶粒尺寸分布的最大值对应的晶粒尺寸(CEN),且小于等于金属氧化物颗粒(210)晶粒尺寸分布的最小值对应的晶粒尺寸(MAX)。金属氧化物颗粒(210)在空穴注入层(120)的这种掺杂分布有利于降低空穴注入层表面的粗糙度,从而不仅减少空穴注入层和空穴传输层(或有机发光层)的界面处的表面态,也同时降低了OLED器件阳极和阴极短路的风险。CN110808336ACN110808336A权利要求书1/1页1.一种有机发光面板,该有机发光面板包括基板(100),以及依次设置在基板(100)上的阳极(110)、空穴注入层(120)、有机发光层(140)和阴极(170);其特征在于,空穴注入层(120)为高分子化合物(220)掺杂金属氧化物颗粒(210);其中,金属氧化物颗粒(210)在高分子化合物中的掺杂浓度从接近基板(100)的表面到远离基板(100)的表面逐渐减少,且从空穴注入层的远离基板(100)的表面向空穴注入层的内部的一定距离内不掺杂有金属氧化物颗粒,该距离大于等于金属氧化物颗粒(210)晶粒尺寸分布的最大值对应的晶粒尺寸(CEN),且小于等于金属氧化物颗粒(210)晶粒尺寸分布的最小值对应的晶粒尺寸(MAX)。2.根据权利要求1所述的有机发光面板,其特征在于,高分子化合物(220)可为PEDOT、Poly-TPD、PVK中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的有机发光面板,其特征在于,金属氧化物颗粒(210)可以为氧化钌、氧化钼、氧化钒、氧化钨中的一种或多种。4.一种如权利要求1所述的有机发光面的制备方法,该制备方法包括:S310,配制制备空穴注入层所需的有机高分子化合物溶液;S320,将金属氧化物颗粒与有机高分子溶液混合,制备金属氧化物颗粒含量不同混合溶液;S330:将金属氧化物颗粒含量不同的混合液依次涂布在阳极上,形成空穴注入层;其中,金属氧化物颗粒在高分子化合物中的掺杂浓度从接近基板的表面到远离基板的表面逐渐减少,且从空穴注入层的远离基板的表面向空穴注入层的内部的一定距离内不掺杂有金属氧化物颗粒,该距离大于等于金属氧化物颗粒晶粒尺寸分布的最大值对应的晶粒尺寸CEN,且小于等于金属氧化物颗粒晶粒尺寸分布的最小值对应的晶粒尺寸MAX;S340:将上述制备好的空穴注入层进行退火处理,其温度为80-120℃,时间为20-40min。5.根据权利要求4所述的有机发光面的制备方法,其特征在于,高分子化合物可为PEDOT、Poly-TPD、PVK中的一种或多种。6.根据权利要求5所述的有机发光面的制备方法,其特征在于,金属氧化物颗粒可以为氧化钌、氧化钼、氧化钒、氧化钨中的一种或多种。2CN110808336A说明书1/3页一种有机发光面板及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及有机发光技术领域,尤其涉及一种有机发光面板及其制备方法。背景技术[0002]有机发光二极管(organiclightemittingdiode,OLED)具有轻薄、主动发光、相应速度快、可视角度大等优点,使得有机发光二极管作为面光源技术越来越受到照明以及显示产业界的关注。现有的常见高性能OLED结构通常在阳极和空穴传输层或有机发光层之间增加空穴注入层,该空穴注入层能有效调节阳极和空穴传输层之间或者阳极和有机发光层之间的势垒,从而对OLED的电流密度、亮度以及发光效率产生影响。同时,为了进一步提高空穴注入层的空穴注入能力,通常在空穴注入层中掺杂金属氧化物颗粒,例如氧化钌、氧化钼、氧化钒以及氧化钨。[0003]然而,金属氧化物颗粒的掺入将会导致空穴注入层的表面粗糙度增加。该表面粗糙度的增加,