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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110880943A(43)申请公布日2020.03.13(21)申请号201910736260.8(22)申请日2019.08.09(71)申请人上海猎芯半导体科技有限公司地址200083上海市虹口区花园路66弄1号嘉和国际大厦1号楼2608室(72)发明人赵卫军王小保(74)专利代理机构北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442代理人柳岩(51)Int.Cl.H04B1/401(2015.01)H04B1/00(2006.01)权利要求书3页说明书12页附图6页(54)发明名称一种射频前端芯片(57)摘要本发明公开了一种射频前端芯片,包括第一基板和设置在第一基板上的逻辑控制IC电路、射频放大IC电路、以及开关切换IC电路;射频放大IC电路包括第二基板和设置在第二基板上的多个射频放大电路,多个射频放大电路分别对应于不同的主频段,主频段包括多个子频段;开关切换IC电路具有多个射频信号输出端,开关切换IC电路的多个射频信号输出端分别对应于不同的子频段;射频放大IC电路输出的射频信号经由开关切换IC电路的射频信号输出端输出。CN110880943ACN110880943A权利要求书1/3页1.一种射频前端芯片,其特征在于,所述射频前端芯片包括第一基板和设置在所述第一基板上的逻辑控制IC电路、射频放大IC电路、以及开关切换IC电路;所述逻辑控制IC电路被配置为用于控制所述射频放大IC电路和所述开关切换IC电路的工作;所述射频放大IC电路包括第二基板和设置在所述第二基板上的多个射频放大电路,所述多个射频放大电路分别对应于不同的主频段,所述主频段包括多个子频段;所述开关切换IC电路具有多个射频信号输出端,所述开关切换IC电路的多个射频信号输出端分别对应于不同的所述子频段;所述射频放大IC电路输出的射频信号经由所述开关切换IC电路的射频信号输出端输出。2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述逻辑控制IC电路、所述射频放大IC电路、以及所述开关切换IC电路呈“品”字形排布在所述第一基板上。3.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述逻辑控制IC电路的逻辑控制输出管脚和所述射频放大IC电路的逻辑控制输入管脚之间的连接方式为管脚到管脚的引线键合连接。4.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述逻辑控制IC电路的逻辑控制输出管脚和所述开关切换IC电路的逻辑控制输入管脚之间的连接方式为管脚到管脚的引线键合连接。5.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述射频放大IC电路的射频信号输出管脚和所述开关切换IC电路的射频信号输入管脚之间的连接方式为管脚到管脚的引线键合连接。6.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述第一基板的金属层的层数为2层。7.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述不同的主频段包括:高频段、中频段、低频段。8.根据权利要求7所述的芯片,其特征在于,所述低频段的范围包括700MHz-950MHz;所述中频段的范围包括1700MHz-2000MHz;所述高频段的范围包括2300MHz-2700MHz。9.根据权利要求1-8任一项所述的芯片,其特征在于,所述多个射频放大电路包括低频段射频放大电路、中频段射频放大电路、以及高频段射频放大电路。10.根据权利要求9所述的芯片,其特征在于,所述低频段射频放大电路、所述中频段射频放大电路、以及所述高频段射频放大电路被设置为使得所述低频段射频放大电路中的射频信号传输方向分别与所述中频段射频放大电路中的射频信号传输方向、所述高频段射频放大电路中的射频信号传输方向垂直。11.根据权利要求9所述的芯片,其特征在于,所述低频段射频放大电路、所述中频段射频放大电路、以及所述高频段射频放大电路被设置为使得所述低频段射频放大电路中的功率管中的射频信号传输方向分别与所述中频段射频放大电路中的功率管中的射频信号传输方向、所述高频段射频放大电路中的功率管中的射频信号传输方向垂直。12.根据权利要求1-8任一项所述的芯片,其特征在于,所述芯片还包括与所述多个射频放大电路一一对应的多个射频匹配电路;所述射频匹配电路包括第一电容、第二电容、第一电感、以及第二电感;所述射频匹配电路的第一电容、第二电容、以及第一电感集成在所述射频放大IC电路2CN110880943A权利要求书2/3页中;所述射频匹配电路的第二电感设置在所述射频放大IC电路的外部。13.根据权利要求12所述的芯片,其特征在于,所述第一电容和/或所述第二电容为MIM电容。14.根据权利要求12所述的芯片,其特征在于,所述第一电感的电感值小于所述第二电感的电感值。15.根据权利要求12所述的芯片,其特征在于,所述第二电感为设置所述第一基板上的绕线电感或者为设置在