一种射频前端集成芯片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112491438A(43)申请公布日2021.03.12(21)申请号202011192472.3(22)申请日2020.10.30(71)申请人西安科锐盛创新科技有限公司地址710065陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场（B座）第2幢1单元22层12202号房51号(72)发明人王华林(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230代理人王海栋(51)Int.Cl.H04B1/401(2015.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称一种射频前端集成芯片(57)摘要本发明公开了一种射频前端集成芯片，包括：天线、耦合式单刀双掷开关、第一滤波器、第二滤波器和射频收发器，其中，耦合式单刀双掷开关，包括第一端口、第二端口、第三端口、多耦合线圈电路和晶体管控制电路，多耦合线圈电路用于隔离第一端口、第二端口以及第三端口；晶体管控制电路用于利用其控制电平实现第一端口与第二端口的导通，或者第一端口与第三端口的导通，以及控制多耦合线圈电路的负载实现较低的插入损耗。本发明的射频前端集成芯片采用的耦合式单刀双掷开关，具有较高的隔离度和较低的插入损耗，更利于射频前端集成芯片向高集成、小型化、高性能的趋势发展。CN112491438ACN112491438A权利要求书1/2页1.一种射频前端集成芯片，其特征在于，包括：天线、耦合式单刀双掷开关、第一滤波器、第二滤波器和射频收发器，其中，耦合式单刀双掷开关，包括第一端口(P1)、第二端口(P2)、第三端口(P3)，所述第一端口(P1)连接所述第一滤波器的一端，所述第二端口(P2)连接所述第二滤波器的一端；所述第一滤波器的另一端和所述第二滤波器的另一端分别连接所述射频收发器；所述耦合式单刀双掷开关还包括多耦合线圈电路和晶体管控制电路，所述多耦合线圈电路包括三个线圈，分别连接所述第一端口(P1)、所述第二端口(P2)以及所述第三端口(P3)，用于隔离所述第一端口(P1)、所述第二端口(P2)以及所述第三端口(P3)；所述晶体管控制电路包括第一控制电路、第二控制电路和第三控制电路，用于利用所述第一控制电路的控制电平来控制所述多耦合线圈电路的输入负载，以及利用所述第二控制电路和第三控制电路的控制电平实现所述第一端口(P1)与所述第二端口(P2)，或者所述第一端口(P1)与所述第三端口(P3)之间的导通。2.根据权利要求1所述的射频前端集成芯片，其特征在于，所述多耦合线圈电路包括：第一线圈(L1)、第二线圈(L2)和第三线圈(L3)，所述第一线圈(L1)设置在所述第二线圈(L2)和所述第三线圈(L3)之间，所述第一线圈(L1)的一端与所述第一端口(P1)连接，所述第二线圈(L2)与所述第二端口(P2)连接，所述第三线圈(L3)与第三端口(P3)连接。3.根据权利要求2所述的射频前端集成芯片，其特征在于，所述第一控制电路与所述第一线圈(L1)的另一端连接，所述第二控制电路连接在所述第二线圈(L2)和所述第三控制电路的一端之间，所述第三控制电路的另一端与所述第三线圈(L3)连接。4.根据权利要求2所述的射频前端集成芯片，其特征在于，还包括：控制端口(VC)、反相器(INV)；所述控制端口(VC)与所述第三控制电路连接；用于为所述第三控制电路提供控制电平；所述反相器连接在所述控制端口(VC)与所述第二控制电路之间，以及所述控制端口(VC)与所述第一控制电路之间，用于将所述控制端口(VC)的电平相位翻转180度之后为所述第二控制电路、所述第一控制电路提供控制电平。5.根据权利要求1所述的射频前端集成芯片，其特征在于，所述第一控制电路包括第一晶体管(M1)、第一栅极偏置电阻(R1)以及所述第一晶体管(M1)的源极间的第一外接电阻(Rsub1)，所述第一栅极偏置电阻(R1)连接在所述第一晶体管(M1)的栅极与所述控制端口(VC)之间，所述第一晶体管(M1)的漏极与所述第二端口(P2)并联，所述第一晶体管(M1)的源极接地，所述第一外接电阻(Rsub1)的一端与所述第一晶体管(M1)的衬底连接，所述第一外接电阻(Rsub1)的另一端接地。6.根据权利要求4所述的射频前端集成芯片，其特征在于，所述第二控制电路包括第二晶体管(M2)、第二栅极偏置电阻(R2)以及所述第二晶体管(M2)的源极间的第二外接电阻(Rsub2)，所述第二栅极偏置电阻(R2)连接在所述第二晶体管(M2)的栅极与所述反相器(INV)的输出端之间，所述第二晶体管(M2)的漏极与所述第三端口(P3)并联，所述第二晶体管(M2)的源极接地，所述第二外接电阻(Rsub2)的一端与所述第二晶体管(M2)的衬底连接，所述第二外接电阻(Rsub2)的另