半导体发光设备及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102044605A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102044605A(43)申请公布日2011.05.04(21)申请号201010243553.1(22)申请日2010.07.30(30)优先权数据10-2009-01009222009.10.22KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人柳珉奇李久和李禄熙李根雨(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李辉王凯(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称半导体发光设备及其制造方法(57)摘要半导体发光设备及其制造方法。公开了一种半导体发光设备。该半导体发光设备包括：基板；以网状网形状形成在所述基板上的电流集中防止图案；形成在载有所述电流集中防止图案的所述基板上的n型覆层；依次形成在所述n型覆层上的有源层和p型覆层；形成在所述n型覆层的通过对所述p型覆层和有源层进行部分蚀刻而露出的一部分上的n型电极；以及形成在所述p型覆层上的p型电极。所述电流集中防止图案形成为双层结构，该双层结构包括由SiO和SiN中的一种材料形成在所述基板上的第一层、和由金属材料形成在所述第一层上的第二层。CN102465ACCNN110204460502044609A权利要求书1/2页1.一种半导体发光设备，该半导体发光设备包括：基板；以网状网形状形成在所述基板上的电流集中防止图案；形成在载有所述电流集中防止图案的所述基板上的n型覆层；依次形成在所述n型覆层上的有源层和p型覆层；形成在所述n型覆层的通过对所述p型覆层和有源层进行部分蚀刻而露出的一部分上的n型电极；以及形成在所述p型覆层上的p型电极，其中，所述电流集中防止图案形成为双层结构，该双层结构包括由SiO和SiN中的一种材料形成在所述基板上的第一层、和由金属材料形成在所述第一层上的第二层。2.根据权利要求1所述的半导体发光设备，其中，所述基板被构造成采用蓝宝石基板。3.根据权利要求1所述的半导体发光设备，其中，所述电流集中防止图案电连接到所述n型电极。4.根据权利要求1所述的半导体发光设备，其中，所述有源层由InGaN和GaN中的一种材料形成为多量子阱结构。5.根据权利要求1所述的半导体发光设备，该半导体发光设备还包括形成在所述基板与所述电流集中防止图案之间的缓冲层。6.一种半导体发光设备，该半导体发光设备包括：基板；形成在所述基板上的第一n型覆层；以网状网形状形成在所述第一n型覆层上的电流集中防止图案；形成在载有所述电流集中防止图案的所述第一n型覆层上的第二n型覆层；依次形成在所述第二n型覆层上的有源层和p型覆层；形成在所述第一n型覆层的通过对所述p型覆层、有源层和第二n型覆层进行部分蚀刻而露出的一部分上的n型电极；以及形成在所述p型覆层上的p型电极，其中，所述电流集中防止图案形成为双层结构，该双层结构包括由SiO和SiN中的一种材料形成在所述基板上的第一层、和由金属材料形成在所述第一层上的第二层。7.根据权利要求6所述的半导体发光设备，其中，所述基板被构造成采用蓝宝石基板。8.根据权利要求6所述的半导体发光设备，其中，所述电流集中防止图案电连接到所述n型电极。9.根据权利要求6所述的半导体发光设备，其中，所述有源层由InGaN和GaN中的一种材料形成为多量子阱结构。10.根据权利要求6所述的半导体发光设备，该半导体发光设备还包括形成在所述第一n型覆层和所述基板之间的缓冲层。11.一种制造半导体发光设备的方法，该方法包括以下步骤：提供覆盖有缓冲层的蓝宝石基板；在所述蓝宝石基板上首先生长硅氧化物层或硅氮化物层，并接着在所述硅氧化物层或硅氮化物层上生长金属层；2CCNN110204460502044609A权利要求书2/2页以网状网形状形成电流集中防止图案；在所述蓝宝石基板的具有所述电流集中防止图案的整个表面上依次形成n型覆层、有源层和p型覆层；在所述p型覆层上形成透明导电层；通过执行台面蚀刻工艺来部分地去除所述透明导电层、p型覆层和有源层，以露出所述n型覆层和所述电流集中防止图案的部分；以及以固定厚度蚀刻所述n型覆层的一部分，以露出所述电流集中防止图案的一部分，其中，在所述透明导电层上形成p型电极，并且在所述n型覆层与电流集中防止图案的露出部分上形成n型电极。12.一种制造半导体发光设备的方法，该方法包括以下步骤：提供覆盖有缓冲层的蓝宝石基板；在所述缓冲层上形成第一n型覆层；在所述第一n型覆层的整个表面上首先生长硅氧化物层或硅氮化物层，接着在所述硅氧化物层或硅氮化物层上生长金属层；以网状网形状形成电流集中防止图案；在所述蓝宝石基板的具有所述电流集中防止图案的整个表面上依次形成第二n型覆层、