高分子片材及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102292204A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102292204A(43)申请公布日2011.12.21(21)申请号201080005303.2(51)Int.Cl.(22)申请日2010.01.21B29C47/88(2006.01)B29C47/14(2006.01)(30)优先权数据C08J5/18(2006.01)2009-0132602009.01.23JPB29L7/00(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日2011.07.22(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2010/0003172010.01.21(87)PCT申请的公布数据WO2010/084750JA2010.07.29(71)申请人桑奥乐默株式会社地址日本东京都(72)发明人彦坂正道冈田圣香渡边香织鹫山润一郎木村秀治山田浩司中岛武大坪彰博(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司11262代理人武晶晶郑霞权利要求书3页说明书21页附图14页(54)发明名称高分子片材及其制造方法(57)摘要本发明的高分子片材是以高分子纳米取向晶体为主体的高分子片材，其满足下述(I)、(II)和(III)的条件。(I)结晶度为70％以上。(II)拉伸破坏强度为100MPa以上，且拉伸弹性率为3GPa以上。(III)平均厚度为0.15mm以上。根据本发明，可以提供一种机械强度、耐热性、雾度(透明性)等特性优越的高分子片材，特别是可以提供一种在以聚丙烯为主的通用塑料中机械强度、耐热性、雾度(透明性)等特性优异的高分子片材。CN10294ACCNN110229220402292221A权利要求书1/3页1.一种高分子片材，其以高分子纳米晶体为主体，其特征在于，可以满足下述(I)、(II)和(III)的条件，即：(I)结晶度为70％以上；(II)拉伸破坏强度为100MPa以上，且拉伸弹性率为3GPa以上；(III)平均厚度为0.15mm以上。2.如权利要求1所述的高分子片材，其中，所述高分子为聚烯烃。3.如权利要求1所述的高分子片材，其中，所述高分子为聚丙烯。4.如权利要求3所述的高分子片材，其中，通过试样尺寸直读法测定的耐热温度为160℃以上。5.如权利要求1～4中任一项所述的高分子片材，其中，通过雾度(透明性)测定法测定的雾度值(厚度0.3mm)为10％以下。6.如权利要求3～5中任一项所述的高分子片材，其中，含有由平行排列的纳米取向晶体构成的直径300nm以下的棒状高次结构。7.如权利要求3～6中任一项所述的高分子片材，其中，在晶体结构中，含有α2分率为0.3以上的纳米取向晶体，所述α2分率表示高有序度相即α2相的体积分率。8.如权利要求3～7中任一项所述的高分子片材，其中，所述高分子片材含有取向函数fc为0.7以上的纳米取向晶体，所述取向函数fc表示晶体内高分子链的取向度。9.如权利要求1～8中任一项所述的高分子片材，其中，如下制造所述高分子片材，即，将过冷状态下的高分子的熔体夹在一对夹持轧辊，以临界伸长应变速度以上的伸长应变速度进行轧制伸长，并使其结晶化。10.如权利要求9所述的高分子片材，其中，当将所述夹持轧辊的半径设为R、将轧制伸长后的高分子片材的平均厚度设为L、将夹持轧辊的片材引出速度设为V、将片材厚度方向的平均伸长应变速度设为ε(R，L，V)时，通过以片材厚度方向的平均伸长应变速度ε(R，L，V)为临界伸长应变速度ε*(R，L，V)以上的方式使用下述近似式(式i)设定夹持轧辊的半径R、轧制伸长后的高分子片材的平均厚度L、及夹持轧辊的片材引出速度V，制造高分子片材。(式i)[数1]11.如权利要求10所述的高分子片材，其中，所述临界伸长应变速度ε*(R，L，V)用下述近似式(式ii)算出：(式ii)[数2]2CCNN110229220402292221A权利要求书2/3页其中，所述临界点的片材引出速度V*是供给过冷状态下的高分子熔体，通过夹在半径为R的一对夹持轧辊并将该高分子的熔体以片材引出速度V进行轧制伸长，使其向由纳米取向晶体构成的厚度L的高分子片材进行结晶化时结构完全改变的临界点的片材引出速度V。12.如权利要求10所述的高分子片材，其中，所述临界伸长应变速度ε*(R，L，V)使用下述近似式(式iii)算出：(式iii)[数3]其中，所述临界点的高分子片材的厚度L*是供给过冷状态下的高分子熔体，通过夹在半径为R的一对夹持轧辊并将该高分子的熔体以片材引出速度V进行轧制伸长，使其向由纳米取向晶体构成的厚度L的高分子片材进行结晶化时结构完全改变的临界点的高分子片材的厚度L。13.一种多层体，其中，至少一层是权利要求1～12中任一项所述的高分子片材。14.一种高分子片材的制造方法