氢化嵌段共聚物的制造方法、由该制造方法得到的氢化嵌段共聚物及其组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102459359102459359B(45)授权公告日2015.02.11(21)申请号201080024806.4C08F8/04(2006.01)(22)申请日2010.06.03(56)对比文件(30)优先权数据JP第2611717号B2,1997.05.21,全文.2009-1344942009.06.03JPJP特开2009-91498A,2009.04.30,全文.JP平3-72538A,1991.03.27,全文.(85)PCT国际申请进入国家阶段日JP特开第3681854号B2,2005.08.10,全2011.12.05文.(86)PCT国际申请的申请数据JP特开2009-120647A,2009.06.04,全文.PCT/JP2010/0594462010.06.03WO2007/114203A1,2007.10.11,全文.(87)PCT国际申请的公布数据审查员刘雅婷WO2010/140658JA2010.12.09(73)专利权人可乐丽股份有限公司地址日本冈山县(72)发明人西川崇明城后洋祐森口信弘前田瑞穗(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人孙秀武高旭轶(51)Int.Cl.C08F8/00(2006.01)权利要求书2页权利要求书2页说明书18页说明书18页(54)发明名称氢化嵌段共聚物的制造方法、由该制造方法得到的氢化嵌段共聚物及其组合物(57)摘要本发明涉及氢化嵌段共聚物的制造方法以及由该制造方法得到的氢化嵌段共聚物和含有该氢化嵌段共聚物的组合物，所述制造方法包含以下工序：(a)使具有特定结构的活性聚合物与具有特定结构的双硅烷偶联剂反应，形成嵌段共聚物的工序；(b)将上述嵌段共聚物加氢，形成氢化嵌段共聚物的工序；以及(c)回收所得氢化嵌段共聚物的工序；工序(c)中回收的氢化嵌段共聚物中的来自偶联剂的官能基团数目是每1分子嵌段共聚物为1.5个以下。CN102459359BCN1024593BCN102459359B权利要求书1/2页1.氢化嵌段共聚物的制造方法，该制造方法包含以下工序：(a)使式(I)所示的活性聚合物与式(II)所示的偶联剂反应，形成嵌段共聚物的工序：P-X(I)式中，P表示具有1个以上芳族乙烯基化合物聚合物链段(A)和1个以上共轭二烯聚合物链段(B)的共聚物链，X表示活性阴离子聚合物的活性末端，11RmY3-mSi-A-SiY3-mRm(II)式中，R1各自独立，表示具有6-12个碳原子的芳基，具有1-12个碳原子的直链或支链烷基或氢原子，Y各自独立，表示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、烷氧基、羧基或羧酸酯基，A表示单键或具有1-20个碳原子的直链亚烷基，m为0或1；(b)将上述嵌段共聚物加氢，形成氢化嵌段共聚物的工序；以及(c)回收所得氢化嵌段共聚物的工序；工序(c)中回收的氢化嵌段共聚物中的来自偶联剂的官能基团的数目是每1分子嵌段共聚物为1.5个以下。2.权利要求1的氢化嵌段共聚物的制造方法，其中，上述Y为OR2所示的烷氧基，式中R2各自独立，表示具有1-12个碳原子的直链或支链烷基。3.权利要求2的氢化嵌段共聚物的制造方法，其中，上述偶联剂为双二烷氧基烷基甲硅烷基烷烃。4.权利要求3的氢化嵌段共聚物的制造方法，其中，上述偶联剂为双二乙氧基甲基甲硅烷基乙烷。5.权利要求1-4中任一项的氢化嵌段共聚物的制造方法，其中，上述氢化嵌段共聚物中来自偶联剂的官能基团为与Si原子直接键合的羟基。6.权利要求3或4的氢化嵌段共聚物的制造方法，该方法进一步包含以下工序：(d)在工序(c)之前，使上述嵌段共聚物或氢化嵌段共聚物中的存在于偶联剂残基上的未反应的官能基团Y失活的工序。7.权利要求1-4中任一项的氢化嵌段共聚物的制造方法，其中，氢化嵌段共聚物的支化系数为2.3以上。8.氢化嵌段共聚物，该氢化嵌段共聚物含有通式P’和(P’)n-Z所示的共聚物，支化系数为2.3以上，过渡金属含量为100ppm以下，前述式中P’表示具有1个以上芳族乙烯基化合物聚合物链段(A)和1个以上氢化共轭二烯聚合物链段(B)的共聚物链，(P’)n-Z所示的共聚物表示式(I)所示的活性聚合物与式(II)所示的偶联剂反应而形成嵌段共聚物，对该嵌段共聚物进行加氢而成的氢化嵌段共聚物，n表示1-6的整数，P-X(I)式中，P表示具有1个以上芳族乙烯基化合物聚合物链段(A)和1个以上共轭二烯聚合物链段(B)的共聚物链，X表示活性阴离子聚合物的活性末端，11RmY3-mSi-A-SiY3-mRm(II)式中，R1各自独立，表示具有6-12个碳原子的芳基，具有1-12个碳原子的直链或支链烷基或氢原子，Y各自独