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元件静电敏感度元器件静电敏感度等级静电敏感器件静电敏感度静电敏感度等级特一级特二级一级二级三级静电耐受能力0V-500V500V-1000V1000V-2000V2000V-4000V4000V-8000V「器件、光发送接CMO罪成二极管、三极阻容器件、开关、代表器件GaAsTTL集成电路受器件、电路管、继电器变压器管芯一般规定静电损伤电压不小丁16000V的为静电不敏感器件小于16000V的为静电敏感器件。静电敏感度分级：1级：不大丁1999V2级：2000〜3999V3级：4000〜15999VESDST品及其组件应有ESD保护电路其最低要求应耐ESD电压值为：组件：不低丁2000V产品：不低丁4000V电子元器件静电敏感度的分级：1级（V1999VESD饥器件a.微波器件（萧特基二极管点接触二极管和f>1GHZ的检波二极管）;b.MO舫效应晶体管（MOSFET;c.结型场效应晶体管（JFET»;d.声表面波器件（SAW;e.电荷藕合器件（CCD；f.精密稳压二极管（线性或负载电压调整率小丁0.5%）;g.运算放大器（OPAMP;h.集成电路（IC）;i•混合电路（由1级ESD饥器件组成）；j.特高速集成电路（VHSIC;k.薄膜电阻器1.可控硅整流器（Pt<100mWIc<100mA）。2级（2000〜3999VESDS^件：a.MOSg效应晶体管；b.结型场效应晶体管；c.运算放大器；d.集成电路；e.特高速效应晶体管；f.精密电阻网络（RZ型）；g.混合电路（2级ESD饥器件组成）;h.低功率双极型晶体管（Pt<100mWIc<100mA）。3级（4000〜15999VESD再器件：a.MOSg效应晶体管；b.结型场效应晶体管；c.运算放大器；d.集成电路；e.特高速集成电路；f•ESDS1®或2级不包括的所有其他电子元器件；g.小信号二极管（P<1WI<1A）；h.一般硅整流器；i.可控硅整流器（I>0.175A）;j.小功率双极型晶体管（350mW<P<100rftW400mW<P<100mWk.光电器件（光电二极管、光电晶体管、光电耦合器）；l.片状电阻器；m混合电路（3级ESD饥器件组成）;n.压电晶体。1.1易受损伤的器件和部位结构上有下述特点的器件易受静电损伤：芯片尺寸小、热容量小、小信号器件、高频器件、微细金届化、浅EB结、薄栅氧化层等。器件易受损伤的部位有：输入电路、输出电路的高阻部分扩散区边缘金届化区边缘等区域。Welcome!!!欢迎您的下载资料仅供参考!