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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105590951A(43)申请公布日2016.05.18(21)申请号201510762853.3H01L51/52(2006.01)(2006.01)(22)申请日2015.11.10H01L51/56H01L23/64(2006.01)(30)优先权数据10-2014-01557302014.11.10KR10-2015-01465042015.10.21KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人南敬真金容玟金正五白正善尹净基(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李辉刘久亮(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)权利要求书2页说明书16页附图20页(54)发明名称具有多模腔结构的有机发光二极管显示器(57)摘要具有多模腔结构的有机发光二极管显示器。一种有机发光二极管(OLED)显示器包括:基板,其被构造为具有在该基板中限定的发光区域和非发光区域;薄膜晶体管,其设置在该非发光区域中;第一存储电容器电极和第二存储电容器电极,该第一存储电容器电极和该第二存储电容器电极被构造为在发光区域中与在该第一存储电容器电极和该第二存储电容器电极之间插入的钝化层交叠;覆盖层,其被构造为覆盖薄膜晶体管和第二存储电容器电极;以及第一像素区域,其被构造为包括按与第二存储电容器电极交叠的方式顺序地堆叠在覆盖层上的第一阳极和绝缘层、以及设置在绝缘层上并且被构造为与薄膜晶体管和第一阳极接触的第二阳极。CN105590951ACN105590951A权利要求书1/2页1.一种有机发光二极管OLED显示器,该OLED显示器包括:基板,所述基板被构造为具有在所述基板中限定的发光区域和非发光区域;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置在所述非发光区域中;第一存储电容器电极和第二存储电容器电极,所述第一存储电容器电极和第二存储电容器电极被构造为在所述发光区域中与在所述第一存储电容器电极和所述第二存储电容器电极之间插入的钝化层交叠;覆盖层,所述覆盖层被构造为覆盖所述薄膜晶体管和所述第二存储电容器电极;以及第一像素区域,所述第一像素区域被构造为包括按与所述第二存储电容器电极交叠的方式顺序地堆叠在所述覆盖层上的第一阳极和绝缘层、以及设置在所述绝缘层上并且被构造为与所述薄膜晶体管和所述第一阳极接触的第二阳极。2.根据权利要求1所述的OLED显示器,所述OLED显示器还包括第二像素区域,所述第二像素区域被构造为包括设置在所述覆盖层上并且连接到所述薄膜晶体管的所述第二阳极。3.根据权利要求1所述的OLED显示器,其中,多个堆叠的第一阳极和绝缘层交替地堆叠。4.根据权利要求1所述的OLED显示器,其中,所述第一存储电容器电极、所述第二存储电容器电极、所述第一阳极和所述第二阳极由透明导电材料制成。5.根据权利要求1所述的OLED显示器,其中,所述绝缘层由无机绝缘材料制成。6.根据权利要求1所述的OLED显示器,其中,所述第一存储电容器电极、所述钝化层和所述第二存储电容器电极中的至少任何一个的折射率与所述第一存储电容器电极、所述钝化层和所述第二存储电容器电极中的另一个的折射率不同。7.根据权利要求1所述的OLED显示器,其中,所述第一阳极、所述绝缘层和所述第二阳极中的至少任何一个的折射率与所述第一阳极、所述绝缘层和所述第二阳极中的另一个的折射率不同。8.一种制造有机发光二极管OLED显示器的方法,该方法包括以下步骤:第一步骤,在基板上形成薄膜晶体管和第一存储电容器电极;第二步骤,形成与所述第一存储电容器电极交叠的第二存储电容器电极,其中覆盖所述第一存储电容器电极的钝化层插入在所述第二存储电容器电极和所述第一存储电容器电极之间;第三步骤,在所述第二存储电容器电极上形成滤色器;第四步骤,在覆盖所述滤色器的覆盖层上顺序地形成与所述第二存储电容器电极交叠的第一阳极和绝缘层,以及形成贯穿所述覆盖层和所述钝化层使所述薄膜晶体管的漏极暴露的像素接触孔;以及第五步骤,形成第二阳极,所述第二阳极与所述漏极和所述第一阳极接触并且在所述第二阳极和所述第一阳极之间插入所述绝缘层的情况下与所述第一阳极交叠。9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第四步骤包括以下步骤:形成覆盖层,所述覆盖层覆盖所述滤色器并且使所述钝化层的一部分暴露;以及在所述覆盖层上形成与所述第二存储电容器电极交叠的所述第一阳极和所述绝缘层,以及形成贯穿所述钝化层使所述漏极暴露的像素接触孔。10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第一步骤包括以下步骤:2CN105590951A权利要求书2/2页形成半导体层,所述半导体层设置在所述基板上并且被构造为具有在所述半导体层中限定的沟道层、源极区域和漏极区域;形成与