具有高开口率的有机发光二极管显示器及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105609528A(43)申请公布日2016.05.25(21)申请号201510778719.2(22)申请日2015.11.13(30)优先权数据10-2014-01583222014.11.13KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人尹净基金正五白正善南敬真金容玟(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李辉刘久亮(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)H01L21/77(2006.01)权利要求书1页说明书11页附图13页(54)发明名称具有高开口率的有机发光二极管显示器及其制造方法(57)摘要具有高开口率的有机发光二极管显示器及其制造方法。一种有机发光二极管显示器包括：基板，在该基板中限定了发光区域和非发光区域；顺序地层压在所述非发光区域上的第一透明导电层、遮光层、缓冲层和半导体层；栅极，该栅极叠置在所述半导体层的中心区域上；漏极，该漏极与所述半导体层的一侧接触；第一存储电容器电极，该第一存储电容器电极被布置在所述发光区域中的所述层间绝缘层下方并且由所述第一透明导电层形成；以及第二存储电容器电极，该第二存储电容器电极叠置在所述第一存储电容器电极上。CN105609528ACN105609528A权利要求书1/1页1.一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：基板，在该基板中限定了发光区域和非发光区域；顺序地层压在所述非发光区域上的第一透明导电层、遮光层、缓冲层和半导体层；栅极，该栅极叠置在所述半导体层的中心区域上，使栅绝缘层被插置在所述栅极与所述半导体层之间；漏极，该漏极与所述半导体层的一侧接触，使覆盖所述栅极的层间绝缘层被插置在所述漏极与所述半导体层之间，并且所述漏极由第二透明导电层和层压在该第二透明导电层上的金属层形成；第一存储电容器电极，该第一存储电容器电极被布置在所述发光区域中的所述层间绝缘层下方并且由所述第一透明导电层形成；以及第二存储电容器电极，该第二存储电容器电极叠置在所述第一存储电容器电极上，使所述层间绝缘层被插置在所述第二存储电容器电极与所述第一存储电容器电极之间，并且所述第二存储电容器电极由所述第二透明导电层形成。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器还包括：源极，该源极与所述半导体层的另一侧接触，使所述层间绝缘层被插置在所述源极与所述半导体层之间，所述源极由所述第二透明导电层和层压在所述第二透明导电层上的所述金属层形成，并且被布置在与所述漏极相距预定距离处，涂覆层，该涂覆层布置在所述源极、所述漏极和所述第二存储电容器电极上；以及阳极，该阳极布置在所述涂覆层上并且与所述漏极的一部分接触。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一透明导电层和所述第一存储电容器电极由同一材料形成并且布置在同一级上。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，按照所述漏极的所述第二透明导电层延伸至所述发光区域的方式来布置所述第二存储电容器电极。5.一种制造有机发光二极管显示器的方法，该方法包括以下步骤：分别利用第一透明导电材料、遮光材料、绝缘材料和半导体材料在基板的非发光区域上形成第一透明导电层、遮光层、缓冲层和半导体层，并且利用所述第一透明导电材料在所述基板的发光区域上形成第一存储电容器电极；形成叠置在所述半导体层的中心区域上的栅极，使栅绝缘层被插置在所述栅极与所述半导体层之间；在上面形成有所述栅极的所述基板的整个表面上形成层间绝缘层；以及在所述层间绝缘层上形成漏极、源极和第二存储电容器电极，其中，所述漏极与所述半导体层的一侧接触并且由第二透明导电层和层压在该第二透明导电层上的金属层形成，所述源极与所述半导体层的另一侧接触并且由所述第二透明导电层和层压在所述第二透明导电层上的所述金属层形成，并且所述第二存储电容器电极叠置在所述第一存储电容器电极上并且由所述漏极的延伸至所述发光区域的所述第二透明导电层形成。6.根据权利要求5所述的方法，该方法还包括以下步骤：在上面形成有所述源极、所述漏极和所述第二存储电容器电极的所述基板的整个表面上形成涂覆层；以及在所述涂覆层上形成与所述漏极的一部分接触的阳极。2CN105609528A说明书1/11页具有高开口率的有机发光二极管显示器及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及具有通过利用透明导电材料在发光区域中形成存储电容器而改进的开口率的有机发光二极管显示器及其制造方法。另外，本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法，该方法用于通过减少掩模工艺的数量来简化制造工艺。背景技术[0002]近来，已经开发了与阴极射线管相比具有重量和体积减小的各种平板显示器。这种平板显示器包括液