具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105590953A(43)申请公布日2016.05.18(21)申请号201510768045.8(22)申请日2015.11.11(30)优先权数据10-2014-01566252014.11.12KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人金容玟金正五白正善南敬眞尹净基(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)H01L21/77(2006.01)H01L21/027(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图12页(54)发明名称具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法(57)摘要本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法，所述有机发光二极管显示器包括定义出发光区和非发光区的基板；设置在基板上的非发光区中的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的钝化层；在发光区中的第一存储电容器电极和叠加于其上的第二存储电容器电极，钝化层插入其间；设置在第二存储电容器电极上的覆盖层；和设置在覆盖层上的阳极，该阳极经由穿过覆盖层的覆盖层接触孔与第二存储电容器电极的一侧接触，且经由设置在覆盖层中且穿过钝化层的钝化层接触孔与部分薄膜晶体管接触。CN105590953ACN105590953A权利要求书1/1页1.一种有机发光二极管显示器，包括：定义出发光区和非发光区的基板；设置在基板上的非发光区中的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的钝化层；在发光区中的第一存储电容器电极和叠加于其上的第二存储电容器电极，钝化层插入它们之间；设置在第二存储电容器电极上的覆盖层；和设置在覆盖层上的阳极，所述阳极经由穿过覆盖层的覆盖层接触孔与第二存储电容器电极的一侧接触，并且经由设置在覆盖层接触孔中且穿过钝化层的钝化层接触孔与部分薄膜晶体管接触。2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中第一存储电容器电极和第二存储电容器电极含有透明导电材料。3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中覆盖层含有光敏绝缘材料。4.一种制造有机发光二极管显示器的方法，包括：在基板上限定发光区和非发光区；在基板上，在非发光区形成薄膜晶体管并且在发光区形成第一存储电容器电极；在其上形成有薄膜晶体管和第一存储电容器电极的基板的整个表面上形成钝化层；在钝化层上，在发光区中形成第二存储电容器电极；在其上形成有第一存储电容器电极的基板的整个表面上涂覆包括光敏绝缘材料的覆盖层；通过图案化覆盖层和钝化层形成用于暴露出部分薄膜晶体管的钝化接触孔，以及通过灰化覆盖层形成用于暴露出第二存储电容器电极的一侧和钝化层接触孔的覆盖层接触孔；和在覆盖层上，形成经由钝化层接触孔与部分薄膜晶体管接触并且同时经由覆盖层接触孔与第二存储电容器电极的一侧接触的阳极。2CN105590953A说明书1/10页具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法，该有机发光二极管显示器具有通过在发光区中使用透明导电材料形成存储电容器而提高的孔径比。此外，本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法，用于通过减少掩模工艺数量简化制造工艺。背景技术[0002]目前，与阴极射线管相比，已经开发出重量和体积降低的多种平板显示器。这样的平板显示器包括液晶显示器、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、电致发光器件(EL)等。[0003]EL分为无机EL和有机发光二极管显示器，且是自发光器件，具有高的响应速度、发光效率和亮度、以及宽视角的优势。[0004]图1示出了有机发光二极管的结构。如图1中所示，有机发光二极管包括有机电致发光化合物层，彼此相对的阴极和阳极，有机电致发光化合物层夹入阴极和阳极之间。有机电致发光化合物层包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。[0005]有机发光二极管根据通过来自激子的能量发光，该激子通过注入到阳极和阴极中的空穴和电子在EML中复合的过程产生。有机发光二极管显示器通过电控制在有机发光二极管的EML中产生的光量来显示图像，如图1中所示。[0006]使用作为电致发光器件的有机发光二极管特性的有机发光二极管显示器(OLEDD)分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(AMOLED)。[0007]AMOLED通过使用薄膜晶体管(以下称作TFT)控制流过有机发光二极管的电流显示图像。[0008]图2是示出有机发光二极管显示器的一个像素结构的等效电路图，图3是有机发光二极管显示器的一个像素结构的平面图，和图4是示出沿着图3的线I-I’取得的常