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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105702626A(43)申请公布日2016.06.22(21)申请号201510756077.6(22)申请日2015.11.09(30)优先权数据2014-2532272014.12.15JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京(72)发明人大野健一村田道昭大塚勤(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人顾红霞张芸(51)Int.Cl.H01L21/78(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图10页(54)发明名称制造半导体芯片的方法以及定位切割部件的方法(57)摘要本发明提供一种制造半导体芯片的方法以及定位切割部件的方法,制造半导体芯片的方法包括:沿着基板的切割区域在正面侧形成沟槽以及比正面侧的沟槽深的凹部,并且凹部用作用于切割部件的定位标记,切割部件沿着正面侧的沟槽从基板的背面执行切割;在基板的背面,使基板变薄以到达凹部而不到达正面侧的沟槽;利用在基板的背面露出的凹部作为定位标记,从基板的背面定位切割部件;以及利用被定位的切割部件从基板的背面侧朝向基板的正面侧的沟槽来执行切割。CN105702626ACN105702626A权利要求书1/2页1.一种制造半导体芯片的方法,包括:沿着基板的切割区域在正面侧形成沟槽以及比所述正面侧的所述沟槽深的凹部,并且所述凹部用作用于切割部件的定位标记,所述切割部件沿着所述正面侧的所述沟槽从所述基板的背面执行切割;在所述基板的所述背面,使所述基板变薄以到达所述凹部而不到达所述正面侧的所述沟槽;利用在所述基板的所述背面露出的所述凹部作为所述定位标记,从所述基板的所述背面定位所述切割部件;以及利用被定位的所述切割部件从所述基板的背面侧朝向所述基板的所述正面侧的所述沟槽来执行切割。2.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法,其中,所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是在同一步骤中通过同一蚀刻工序形成的。3.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法,其中,所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是在所述同一蚀刻工序中利用蚀刻速度差形成的。4.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法,其中,在用于蚀刻的保护膜的开口的宽度中,用于形成所述凹部的开口的宽度比用于形成所述正面侧的所述沟槽的开口的宽度大。5.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法,其中,所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是通过各向异性蚀刻形成的。6.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法,其中,所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是通过各向异性蚀刻形成的。7.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法,其中,所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是通过各向异性干蚀法形成的。8.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法,其中,所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是通过各向异性干蚀法形成的。9.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法,其中,所述切割部件包括划片刀,并且利用所述划片刀朝向所述正面侧的所述沟槽形成比所述正面侧的所述沟槽宽的背面侧的沟槽。10.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法,其中,所述切割部件包括划片刀,并且利用所述划片刀朝向所述正面侧的所述沟槽形成比所述正面侧的所述沟槽宽的背面侧的沟槽。11.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法,其中,所述切割部件包括激光器单元,并且利用从所述激光器单元发射的激光朝向所述正面侧的所述沟槽形成比所述正面侧的所述沟槽宽的背面侧的沟槽。12.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法,其中,所述切割部件包括激光器单元,并且利用从所述激光器单元发射的激光朝向所述正面侧的所述沟槽形成比所述正面侧的所述沟槽宽的背面侧的沟槽。13.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法,其中,多个所述凹部形成在所述基板的正面的外边缘区域中,并且2CN105702626A权利要求书2/2页利用从多个所述凹部中选择的凹部来定位所述切割部件。14.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法,其中,所述凹部的形状是十字形、T形和L形中的至少一种。15.一种定位切割部件的方法,包括:在基板的背面上,使所述基板变薄以到达凹部而不到达正面侧的沟槽,所述基板在所述正面侧包括沿着所述基板的切割区域在所述正面侧的所述沟槽和比所述正面侧的所述沟槽深的所述凹部;以及利用在所述基板的所述背面露出的所述凹部作为定位标记来定位切割部件,所述切割部件从所述基板的所述背面沿着所述基板的所述正面侧的所述沟槽切割出背面侧的沟槽。3CN105702626A说明书1/10页制造半导体芯片的方法以及定位切割部件的方法技术领域[0001]本发明涉及制造半导体芯片的方法以及定位切割部件的方法。背景技术[0002]日本专利公报No.2003-124151提出了一种划片方法,其中用