垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106505410A(43)申请公布日2017.03.15(21)申请号201610791440.2(22)申请日2016.08.31(30)优先权数据2015-1739922015.09.03JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京都(72)发明人近藤崇村上朱实城岸直辉早川纯一朗樱井淳(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李辉黄纶伟(51)Int.Cl.H01S5/40(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图8页(54)发明名称垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法(57)摘要本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该垂直腔面发射激光器阵列包括：形成在基板上的接触层；形成在所述接触层上的台面结构，每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、在所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及在所述有源区上的第二导电型的第二半导体多层反射镜；形成在所述台面结构周围的接触层上的第一金属层，所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘；形成在所述第一金属层上的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上的第二金属层，所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘。所述台面结构并联电连接。CN106505410ACN106505410A权利要求书1/2页1.一种垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，包括：形成在基板上的接触层；形成在所述接触层上的多个台面结构，每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及所述有源区域上的第二导电型的第二半导体多层反射镜；形成在所述台面结构周围的所述接触层上的第一金属层，所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘；形成在所述第一金属层上的绝缘膜；以及形成在所述绝缘膜上的第二金属层，所述第二金属层的一部分作为所述第二导电型的电极焊盘，其中，所述台面结构并联电连接。2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，所述第二导电型的电极焊盘形成在多层体上，所述多层体包括形成在所述接触层上的所述第一金属层和形成在所述第一金属层上的所述绝缘膜。3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，所述第二导电型的电极焊盘形成在直接形成于所述接触层上的所述绝缘层上。4.根据权利要求1至3的任一项所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，所述第一金属层和所述第二金属层各自由单一的连续金属层构成。5.根据权利要求1至4的任一项所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，所述第一导电型的电极焊盘和所述第二导电型的电极焊盘各自具有足够大的面积，以使多个接合线能够连接到其上。6.根据权利要求1至5的任一项所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，所述第一导电型的电极焊盘和所述第二导电型的电极焊盘各自具有与所述基板的宽度基本上相同的宽度。7.根据权利要求1至6的任一项所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，所述第一金属层的大小和所述第二金属层的大小在形成有所述多个台面结构的区域中基本上相同。8.根据权利要求1至7的任一项所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，所述第一金属层覆盖所述第一半导体多层反射镜的侧表面的至少一部分。9.根据权利要求1至8的任一项所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，所述第二金属层覆盖所述台面结构的整个侧表面，所述绝缘膜设置在所述第二金属层与所述台面结构的侧表面之间。10.根据权利要求1至9的任一项所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，每个台面结构包括第一台面和第二台面，所述第一台面包括所述第二半导体多层反射镜和所述有源区，所述第二台面包括所述第一半导体多层反射镜并且所述第二台面的外形大于所述第一台面的外形。11.根据权利要求10所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，所述第一金属层覆盖所述第一半导体多层反射镜的侧表面和所述第一半导体多层反射镜的顶面的一部分。2CN106505410A权利要求书2/2页12.一种垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，包括：具有台面结构的多个发光部；形成在所述台面结构周围的底面上的第一金属层，所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘；形成在所述第一金属层上的绝缘膜；以及形成在所述绝缘膜上的第二金属层，所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘，其中，所述台面结构并联电连接。13.一种垂直腔面发射激光器阵列的制造方法，其特征在于，包括：蚀刻半导体层使得接触层露出以形成半导体层的台面结构，所述半导体层形成在基板上并且包括接触层、第一导电型的第一半导体多层反射镜、有源区、以及第二导电型的第二半导体多层反射镜；形成第一金属层，所述第一金属层覆盖包括所述台面结构周围的所述接触层的区域，所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘；形成绝缘膜，所述绝缘膜形