垂直腔面发射激光器制造方法及垂直腔面发射激光器.pdf
书生****ma
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垂直腔面发射激光器制造方法及垂直腔面发射激光器.pdf
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器制造方法,包括:形成主动区平台的步骤;以及对所形成的主动区平台进行侧壁氧化以形成氧化孔的步骤;在上述两个步骤之间还包括:为主动区平台侧壁表面覆盖水汽透过率为1×10<base:Sup>0</base:Sup>~5×10<base:Sup>?2</base:Sup>g/(m<base:Sup>2</base:Sup>·D)的保护膜的步骤。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器,使用上述制造方法得到。相比现有技术,本发明可使得主动区平台的侧壁氧化过程均匀一致,从而提高产品的良率
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本发明公开了一种垂直腔面发射激光器制造方法,包括:形成主动区平台的步骤;以及对所形成的主动区平台进行侧壁氧化以形成氧化孔的步骤;在上述两个步骤之间还包括:为主动区平台侧壁表面覆盖水汽透过率为1×10<base:Sup>0</base:Sup>~5×10<base:Sup>?2</base:Sup>g/(m<base:Sup>2</base:Sup>·D)的保护膜的步骤。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器,使用上述制造方法得到。相比现有技术,本发明可使得主动区平台的侧壁氧化过程均匀一致,从而提高产品的良率
垂直腔面发射激光器.pdf
本发明提供了一种垂直腔面发射激光器,涉及激光器的技术领域,包括:有源区结构以及位于有源区结构相对两侧的材料为Al<base:Sub>x</base:Sub>Ga<base:Sub>(1?x)</base:Sub>As/Al<base:Sub>y</base:Sub>Ga<base:Sub>(1?y)</base:Sub>As的N?DBR和Al<base:Sub>m</base:Sub>Ga<base:Sub>(1?m)</base:Sub>As/Al<base:Sub>n</base:Sub>Ga<bas
垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法.pdf
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法,该垂直腔面发射激光器阵列包括:形成在基板上的接触层;形成在所述接触层上的台面结构,每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、在所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及在所述有源区上的第二导电型的第二半导体多层反射镜;形成在所述台面结构周围的接触层上的第一金属层,所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘;形成在所述第一金属层上的绝缘膜;以及形成在绝缘膜上的第二金属层,所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘。所述台面结构并联电连接。
垂直腔面发射激光器的形成方法.pdf
一种垂直腔面发射激光器的形成方法,包括:提供衬底,包括第一区和第二区,包括:基底;位于基底上的第一反射镜结构;位于第一反射镜结构上的有源层;位于有源层上的第二反射镜结构;在第二区内形成第一凹槽,贯穿所述第二反射镜结构及有源层,并嵌入第一反射镜结构;在第一凹槽内、第一区表面和第二区表面形成初始保护层,填充满第一凹槽;在初始保护层上形成暴露出第一凹槽内的初始保护层表面以及部分第一区上的初始保护层表面的掩膜结构,包括阻挡层和位于阻挡层上的光刻胶层;以掩膜结构为掩膜刻蚀初始保护层,直至暴露出衬底表面,在第一区表面