一种N型双面电池的互联技术.pdf
和裕****az
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一种N型双面电池的互联技术.pdf
本发明是一种N型双面电池的互联技术,其特征在于:所述N型双面电池的正面和背面均设置有细栅线,采用导电材料将电池正面细栅线相互连接并与下一片电池片的背面细栅线相连接,下一片电池片的背面细栅线也通过此导电材料相互连接。本发明采用在表面设置多跟导电材料的方式来改善电流的收集,降低串联电阻,同时将细栅线线宽降低或者面积降低来降低金属化带来的复合,从而提高电池的效率同时降低电池的成本。
一种N型双面电池互联工艺.pdf
本发明是一种N型双面电池互联工艺,将N型双面电池均匀分割成2‑5个独立的电池单元,每个电池单元的正面设置有正面细栅线,背面设置有背面细栅线。每个电池单元也可以设置若干垂直于细栅线的主栅线,当N型双面电池正背面无主栅设置时,用导电材料将上一片电池单元的正面细栅线相互连接并且与下一片电池单元背面细栅线相连接,下一片电池单元背面细栅线也通过所述导电材料相连接。当在N型双面电池的正背面设置数个垂直于细栅线的主栅线时,将上一片电池单元的正面主栅线与下一片电池单元背面主栅线相连接。本发明采用将电池片分开并采用多主栅方
N型双面电池结构.pdf
本发明提供一种N型双面电池结构,包括基体,基体为N型,基体的正面为掺硼的发射极,发射极上沉积有第一减反钝化膜,第一减反钝化膜上有正面电极,正面电极穿透第一减反钝化膜与发射极形成欧姆接触;基体的背面生长一层薄膜,即隧穿氧化层,隧穿氧化层上设有掺杂多晶硅层,掺杂多晶硅层上沉积有第二减反钝化膜,第二减反钝化膜上设置有背面电极,背面电极穿透第二减反钝化膜与掺杂多晶硅层形成欧姆接触;该种N型双面电池结构,通过在表面设置隧穿氧化层,在基体和背表面场区域之间形成势垒,阻止了空穴向背场区域的流动,从而大大减少了背场区域和
一种N型双面电池的制备方法.pdf
本发明公开了一种N型双面电池的制备方法,包括:步骤1,对碱制绒后的N型硅片进行湿氧氧化,形成双面氧化硅层;步骤2,对所述N型硅片的第一面均匀旋涂光刻胶层;步骤3,去除所述N型硅片的第二面的氧化硅层;步骤4,去除所述N型硅片的第一面表面的光刻胶层;步骤5,对所述N型硅片的第二面进行硼扩散,形成硼硅玻璃层;步骤6,对所述N型硅片的第二面旋涂光刻胶层;步骤7,去除所述N型硅片的第一面的氧化硅层;步骤8,去除所述N型硅片的第二面表面的光刻胶层;步骤9,对所述N型硅片的第一面进行磷扩散,形成磷硅玻璃层。所述N型双面
一种N型PERT双面电池制备方法.pdf
本发明涉及一种N型PERT双面太阳电池的制备方法,包括如下步骤:S1:制绒;S2:正面硼掺杂制结;S3:背面刻蚀去除边缘及背面PN结;S4:背面磷掺杂制结;S5:去除背面PSG以及正面BSG;S6:碱、酸洗:使用碱和双氧水混合液对硅片表面进行微量刻蚀并去除残留杂质,使用HF酸溶液酸洗中和碱液并去除表面氧化硅层;S7:湿氧钝化;S8:正面沉积氧化铝;S9:正面PECVD沉积SiNx;S10:背面PECVD沉积SiNx;S11:丝网印刷和烧结;S12:激光隔离。本发明能去除硼扩面表面掺杂极高的富硼层,改善方阻