在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107039350A(43)申请公布日2017.08.11(21)申请号201611025934.6约翰·古肯伯格阿蒂拉·梅基什(22)申请日2009.09.08(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限(30)优先权数据责任公司1128761/191,4792008.09.08US代理人王田61/199,3532008.11.14US(51)Int.Cl.12/554,4492009.09.04USH01L21/84(2006.01)(62)分案原申请数据H01L27/12(2006.01)200980139256.82009.09.08(71)申请人乐仕特拉公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人蒂埃里·潘盖斯特芬·格勒克纳彼得·德多伯拉尔谢里夫·阿布达拉丹尼尔·库哈尔斯基吉安洛伦佐·马西尼横山公成权利要求书1页说明书12页附图18页(54)发明名称在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件(57)摘要本发明揭示在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件，且所述单片集成可包含以不同的硅层厚度在单一CMOS晶片上制造光子和电子装置。可利用块体CMOS工艺在绝缘体上半导体(SOI)晶片上且/或利用SOICMOS工艺在SOI晶片上制造所述装置。可利用双重SOI工艺和/或选择性区域生长工艺来制造所述不同的厚度。可在CMOS晶片上利用一次或一次以上氧植入和/或利用CMOS晶片上的CMOS沟槽氧化物来制造覆层。可利用外延横向过生长在所述CMOS沟槽氧化物上沉积硅。可利用选择性背面蚀刻来制造覆层。可通过在选择性蚀刻的区上沉积金属来制造反射表面。可将集成于所述CMOS晶片中的二氧化硅或硅锗用作蚀刻终止层。CN107039350ACN107039350A权利要求书1/1页1.一种用于半导体处理的方法，所述方法包括：在包含光子装置和电子装置的光电收发器中，所述光子装置和所述电子装置由针对所述光子装置和所述电子装置具有不同硅层厚度的两个互补金属氧化物半导体CMOS晶片通过将每一个晶片的至少一部分键合在一起而形成，其中第一个CMOS晶片者包括所述光子装置且第二个CMOS晶片包括所述电子装置；利用接收到的一个或多个连续波光学信号作为源信号将光学信号和电信号传送至所述光电收发器以及传送来自所述光电收发器的光学信号和电学信号。2.根据权利要求1所述的方法，包括利用穿硅通孔将所述电子装置中的一者或多者电耦合至所述光子装置的一者或多者。3.根据权利要求1所述的方法，包括利用所述晶片的所述部分之间的金属层来将所述电子装置中的一者或多者电耦合至所述光子装置中的一者或多者。4.一种用于半导体处理的系统，所述系统包括：光电收发器，其包括光子装置和电子装置，所述光子装置和电子装置由针对所述光子装置和所述电子装置具有不同硅层厚度的两个互补金属氧化物半导体CMOS晶片通过将每一个晶片的至少一部分键合在一起而形成，其中第一个CMOS晶片包括所述光子装置且第二个CMOS晶片包括所述电子装置，且其中所述光电收发器经操作以利用接收到的一个或多个连续波光学信号作为源信号来传送光学信号和电信号。5.根据权利要求4所述的系统，其中所述电子装置中的一者或多者利用穿硅通孔电耦合至所述光子装置中的一者或多者。6.根据权利要求4所述的系统，其中所述电子装置中的一者或多者利用金属柱电耦合至所述光子装置中的一者或多者。2CN107039350A说明书1/12页在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件[0001]分案申请的相关信息[0002]本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2009年9月8日、申请号为200980139256.8、发明名称为“在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件”的发明专利申请案。[0003]对相关申请案的交叉参考/以引用的方式并入[0004]本申请案参考2009年9月4日申请的第12/554,449号美国专利申请案和2008年9月8日申请的第61/191,479号临时申请案和2008年11月14日申请的第61/199,353号临时申请案并主张其优先权，所述申请案在此以全文引用的方式并入本文中。[0005]上述申请案中的每一者在此以全文引用的方式并入本文中。[0006]联邦政府资助的研究或开发[0007][不适用][0008]缩微胶片/版权参考[0009][不适用]技术领域[0010]本发明的某些实施例涉及半导体处理。更明确来说，本发明的某些实施例涉及一种用于在CMOS工艺中单片集成光子元件和电子元件的方法和系统。背景技术[0011]随着数据网络逐步增加以满足不断增长的带宽要求，铜数据通道的缺陷正变得显而易见。因辐射的电磁能量引起的信号衰减和串扰是此类系统的设计者所面临的主要阻碍。可通过均衡