抛光层用非多孔性成型体、抛光垫及抛光方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107073678A(43)申请公布日2017.08.18(21)申请号201580057176.3(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所(22)申请日2015.10.2711105代理人王利波(30)优先权数据2014-2230782014.10.31JP(51)Int.Cl.B24B37/24(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B24B37/22(2006.01)2017.04.20H01L21/304(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2015/0053712015.10.27(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/067588JA2016.05.06(71)申请人株式会社可乐丽地址日本冈山县(72)发明人门胁清文加藤晋哉冈本知大加藤充竹越穰权利要求书1页说明书13页附图2页(54)发明名称抛光层用非多孔性成型体、抛光垫及抛光方法(57)摘要本发明提供一种抛光层用非多孔性成型体，其是热塑性聚氨酯的非多孔性成型体，其中，热塑性聚氨酯在-70～-50℃范围的损耗角正切(tanδ)的最大值为4.00×10-2以下。优选热塑性聚氨酯通过使数均分子量650～1400的高分子二醇、有机二异氰酸酯和扩链剂聚合而得到，且来自于有机二异氰酸酯的异氰酸酯基的氮的含有比例为5.7～6.5质量％。CN107073678ACN107073678A权利要求书1/1页1.一种抛光层用非多孔性成型体，其是热塑性聚氨酯的非多孔性成型体，其中，所述热塑性聚氨酯在-70～-50℃范围的损耗角正切(tanδ)的最大值为4.00×10-2以下。2.根据权利要求1所述的抛光层用非多孔性成型体，其中，所述热塑性聚氨酯通过使数均分子量650～1400的高分子二醇、有机二异氰酸酯和扩链剂聚合而得到，且来自于所述有机二异氰酸酯的异氰酸酯基的氮的含有比例为5.7～6.5质量％。3.根据权利要求1或2所述的抛光层用非多孔性成型体，其中，所述热塑性聚氨酯的厚度0.5mm的片对波长660nm的激光的激光透射率为70％以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的抛光层用非多孔性成型体，其中，用50℃的温水使所述热塑性聚氨酯饱和溶胀后的拉伸弹性模量为130～800MPa。5.根据权利要求1～4中任一项所述的抛光层用非多孔性成型体，其中，所述热塑性聚氨酯的拉伸弹性模量的水饱和溶胀时保持率为55％以上，所述拉伸弹性模量的水饱和溶胀时保持率由下式算出，A/B×100A为用50℃的温水使其饱和溶胀时的拉伸弹性模量，B为未使其饱和溶胀时的拉伸弹性模量。6.根据权利要求1～5中任一项所述的抛光层用非多孔性成型体，其中，所述热塑性聚氨酯的片与水的接触角为80度以下。7.一种抛光垫，其含有权利要求1～6中任一项所述的抛光层用非多孔性成型体作为抛光层。8.根据权利要求7所述的抛光垫，其包含所述抛光层和缓冲层，所述缓冲层叠层于所述抛光层且具有比所述抛光层的硬度更低的硬度。9.一种化学机械抛光方法，该方法包括使用权利要求7或8所述的抛光垫。2CN107073678A说明书1/13页抛光层用非多孔性成型体、抛光垫及抛光方法技术领域[0001]本发明涉及抛光垫，详细而言，涉及用于对半导体晶片、半导体器件、硅晶片、硬盘、玻璃基板、光学产品或各种金属等进行抛光的抛光垫。背景技术[0002]作为用于对半导体晶片进行镜面加工、对半导体器件的绝缘膜、导电体膜的表面进行平坦化的抛光方法，已知有化学机械抛光(CMP)。CMP是使用含有磨料及反应液的抛光浆料(以下也简称为浆料)通过抛光垫对晶片等被抛光材料的表面进行抛光的方法。[0003]以往，作为CMP用的抛光垫，广泛使用了无纺布型的抛光垫。无纺布型的抛光垫是包含含浸有聚氨酯的无纺布的柔软抛光垫。由于无纺布型的抛光垫柔软，因此具有与被抛光材料的接触性良好的优点。另外，由于在无纺布中具有空隙，因此还具有浆料的保持性良好的优点。另一方面，由于无纺布型的抛光垫柔软，因此具有对被抛光面进行平坦化的性能(称为平坦性)差的缺点。另外，无纺布型的抛光垫具有在无纺布的空隙被磨料、抛光屑堵塞时容易在被抛光面产生擦痕的缺点。另外，在磨料、抛光屑进入无纺布的空隙深处时，无法通过清洗而充分地除去，由此，也存在寿命缩短的缺点。[0004]另外，作为与无纺布型的抛光垫不同类型的抛光垫，已知有以具有闭孔气泡结构的高分子发泡体为主体的抛光垫。与无纺布型的抛光垫相比，以高分子发泡体为主体的抛光垫具有高刚性，因此平坦性优异。另外，由于以高分子发泡体为主体的抛光垫具有闭孔气泡结构，因此，磨料、抛光屑不容易如无纺布型的抛光垫那样进入空隙深处。因此，通过清洗进行的磨料、抛光屑的除去比较容易