扩链剂、聚氨酯及其改性方法、抛光层、抛光垫及抛光方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110573547A(43)申请公布日2019.12.13(21)申请号201880024840.8(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所(22)申请日2018.04.2711105代理人王利波(30)优先权数据2017-0953782017.05.12JP(51)Int.Cl.C08G18/65(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/304(2006.01)2019.10.12B24B37/24(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2018/0172002018.04.27(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/207670JA2018.11.15(71)申请人株式会社可乐丽地址日本冈山县(72)发明人大下梓纱竹越穰加藤充冈本知大加藤晋哉权利要求书1页说明书25页附图4页(54)发明名称扩链剂、聚氨酯及其改性方法、抛光层、抛光垫及抛光方法(57)摘要本发明提供作为具有席夫碱的二醇或其衍生物的含席夫碱的扩链剂，另外，还提供使用其制造的聚氨酯及其改性方法、包含聚氨酯的抛光层、使用了该抛光层的抛光方法。CN110573547ACN110573547A权利要求书1/1页1.一种含席夫碱的扩链剂，其是用作聚氨酯制造原料的扩链剂，所述含席夫碱的扩链剂是含席夫碱的二醇、含席夫碱的二胺或它们的衍生物。2.根据权利要求1所述的含席夫碱的扩链剂，其由下述通式(1)表示，R1－N＝C－R2···(1)式(1)中，R1为烷基、烯基、羟基苯基、氨基苯基、羟基苄基亚氨基、氨基苄基亚氨基、或含有它们的基团，在R1为含有烷基或烯基的基团时，R2为含有二羟基苯基的基团，在R1为含有羟基苯基或氨基苯基的基团时，R2为含有羟基苯基的基团，在R1为含有羟基苄基亚氨基或氨基苄基亚氨基的基团时，R2为含有羟基苯基的基团，R1和R2各自任选具有取代基。3.根据权利要求1或2所述的含席夫碱的扩链剂，其为2,4-二羟基苯-1-亚氨基丁烷、2,4-二羟基苯-1-亚氨基丙烷、N,N’-双亚水杨基乙二胺、2-亚水杨基氨基苯酚、4-[(3-二甲氨基丙基亚氨基)甲基]苯-1,3-二醇、或者3-〔{4-[(3-羟基丙基亚氨基)甲基]苯亚甲基}氨基〕丙烷-1-醇。4.一种聚氨酯，其具有席夫碱。5.根据权利要求4所述的聚氨酯，其包含来自含席夫碱的扩链剂的单体单元。6.根据权利要求5所述的聚氨酯，其是至少包含如下单体单元的聚氨酯：来自包含所述含席夫碱的扩链剂的扩链剂的单体单元、来自高分子二醇的单体单元、以及来自有机二异氰酸酯的单体单元。7.根据权利要求5或6所述的聚氨酯，其中，来自所述含席夫碱的扩链剂的单体单元具有选自席夫碱、醛基、羧基、羟基及氨基中的至少1种官能团。8.一种聚氨酯的改性方法，该方法具备：准备具有席夫碱的聚氨酯的工序；以及进行使选自醛基、羧基、羟基及氨基中至少1种官能团得以保持的后处理的工序。9.一种抛光层，其包含具有选自醛基、羧基、羟基及氨基中至少1种官能团的聚氨酯。10.根据权利要求9所述的抛光层，其具有羧基且在pH3.0下的zeta电位为-1.0mV以下。11.根据权利要求9或10所述的抛光层，其中，所述聚氨酯为非发泡体。12.根据权利要求9～11中任一项所述的抛光层，其包含无纺布、和含浸赋予至无纺布中的所述聚氨酯。13.根据权利要求9～12中任一项所述的抛光层，其在50℃的水中饱和溶胀后于50℃下的储能模量为50～1200MPa，且与水的接触角为80度以下。14.一种抛光垫，其包含权利要求9～13中任一项所述的抛光层。15.一种抛光方法，该方法具备：将具备抛光层的抛光垫固定于抛光装置的抛光台上的工序，所述抛光层具有羧基且在pH3.0下的zeta电位为-1.0mV以下；以与所述抛光垫的所述抛光层的抛光面相对的方式将被抛光物保持于抛光装置的保持架的工序；以及一边向所述抛光面与所述被抛光物之间供给酸性的抛光浆料，一边通过使所述抛光垫与所述被抛光物相对地滑动而对所述被抛光物进行抛光的工序。2CN110573547A说明书1/25页扩链剂、聚氨酯及其改性方法、抛光层、抛光垫及抛光方法技术领域[0001]本发明涉及作为聚氨酯的制造原料使用的新型的扩链剂、新型的聚氨酯及其改性方法、抛光层、抛光垫及抛光方法。背景技术[0002]聚氨酯可以通过使包含扩链剂、高分子二醇及有机二异氰酸酯的原料进行反应来制造。例如，下述专利文献1公开了一种由含酰胺基二醇构成的扩链剂，其作为聚氨酯树脂的原料成分使用，所述聚氨酯树脂的原料成分能够制造机械的强度优异且具备优异的热稳定性的热塑性聚氨酯树脂。[0003]然而，作为为了对半导体晶片进行镜面加工、或者为了在半导体基板上