

全离子注入高效n型晶体硅太阳电池研究.docx
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全离子注入高效n型晶体硅太阳电池研究.docx
全离子注入高效n型晶体硅太阳电池研究简介晶体硅太阳能电池是目前应用最广泛的一类太阳能电池,其主要特点是高转换效率和良好的稳定性。为了进一步提高n型晶体硅太阳能电池的转换效率,研究人员将离子注入技术引入到n型晶体硅太阳能电池中,得到了一定的改善。本文将从离子注入的原理、实验过程以及研究成果三方面对全离子注入高效n型晶体硅太阳电池进行深入探讨。离子注入原理离子注入是一种常用的半导体加工技术,它可以通过高能离子的轰击将材料中的原子或离子注入到半导体材料中。在n型晶体硅太阳电池中,通过向p型区域注入磷或氮等n型杂
全离子注入高效n型晶体硅太阳电池研究的中期报告.docx
全离子注入高效n型晶体硅太阳电池研究的中期报告本项目旨在研究全离子注入技术对于提高n型晶体硅太阳电池性能的影响。本中期报告总结了已完成的研究工作和初步结果,并提出了未来研究的方向和计划。研究内容本项目主要研究以下几个方面:1.利用全离子注入技术制备n型晶体硅太阳电池;2.研究全离子注入对n型晶体硅材料性能的影响;3.优化制备过程,提高n型晶体硅太阳电池的光电转换效率;研究进展目前,我们已经完成了如下工作:1.采用溅射技术在p型晶体硅上制备n型层,并进行全离子注入处理;2.测量了不同离子注入剂量下n型层的电
n型晶体硅双面太阳电池.pdf
本发明提供一种n型晶体硅双面太阳电池,包括衬底,衬底采用n型晶体硅片,n型晶体硅片的正面掺杂形成p+型晶体硅层,p+型晶体硅层上局部设置p++型硅膜层,p+型晶体硅层和p++型硅膜层共同正表面沉积正面钝化减反射层,正面金属电极层穿透正面钝化减反射层并与p++型硅膜层接触;n+型晶体硅层和n++型硅膜层的共同正表面沉积背面钝化减反射层。本发明的正面和背面金属电极层与衬底表面掺杂层之间设置了重掺杂硅膜层形成的钝化接触层,既避免了金属电极直接接触硅片表面掺杂层造成的接触区复合,又扩展了硅片表面掺杂区的掺杂浓度范
高效率N型离子注入太阳电池技术的研究.pptx
,目录PartOnePartTwo技术定义和原理技术发展历程技术优缺点分析技术应用领域PartThree研究背景和意义研究现状和发展趋势国内外研究现状比较分析研究中存在的问题和挑战PartFour离子注入技术的研究晶体结构变化和损伤修复研究表面处理和电极制备技术研究组件封装和性能测试技术研究PartFive离子注入工艺参数优化研究晶体结构和表面态优化研究组件封装和系统集成优化研究长期稳定性和可靠性研究PartSix技术应用前景预测和分析经济效益和社会效益分析技术推广和产业化发展策略探讨对未来能源结构和可持
n型晶体硅太阳电池最新研究进展的分析与评估.pdf
·126·材料导报:综述篇2010年8月(上)第24卷第8期n型晶体硅太阳电池最新研究进展的分析与评估杨灼坚,沈辉(中山大学太阳能系统研究所,广州510006)摘要n型晶体硅具有体少子寿命长、无光致衰减等优点,非常适合制作高效低成本太阳电池。结合PC1D模拟,对n型晶体硅太阳电池的最新研究成果进行了分析,指出n型晶体硅太阳电池要实现产业化必须先解决P型硅表面钝化、硼扩散和硼发射极金属化等问题。最后预测了n型晶体硅太阳电池的产业化前景。关键词n型晶体硅太阳电池PC1D模拟AnalysisandReviewo