半导体硅片中性水基清洗剂及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108300592A(43)申请公布日2018.07.20(21)申请号201810095063.8C11D3/60(2006.01)(22)申请日2018.01.31(71)申请人无锡乐东微电子有限公司地址214000江苏省无锡市新吴区景贤路52号(72)发明人朱汪龙朱玲(74)专利代理机构南京经纬专利商标代理有限公司32200代理人余俊杰(51)Int.Cl.C11D1/83(2006.01)C11D3/20(2006.01)C11D3/26(2006.01)C11D3/28(2006.01)C11D3/37(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称半导体硅片中性水基清洗剂及其制备方法(57)摘要本发明公开了半导体硅片中性水基清洗剂及其制备方法，按重量份计，所述清洗剂包括：非离子表面活性剂12～21份、阴离子表面活性剂8～19份、醇醚类溶剂25～40份、胺类化合物6～18份、抗静电剂3～12份、增溶剂1～4份、去离子水25～70份。与现有技术相比，本发明具有以下优点：(1)本发明所述半导体硅片中性水基清洗剂能够快速渗透到硅片表面，促进污染物的剥离；(2)所述清洗剂对硅片表面无腐蚀和氧化等副作用，保证硅片表面的平整度；(3)所述清洗剂对环境友好，对土壤和水体安全。CN108300592ACN108300592A权利要求书1/1页1.半导体硅片中性水基清洗剂，其特征在于，按重量份计，所述清洗剂包括：非离子表面活性剂12～21份、阴离子表面活性剂8～19份、醇醚类溶剂25～40份、胺类化合物6～18份、抗静电剂3～12份、增溶剂1～4份、去离子水25～70份。2.根据权利要求1所述的半导体硅片中性水基清洗剂，其特征在于，所述非离子表面活性剂为月桂醇聚氧乙烯醚、丙二醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚或椰油脂肪酸二乙醇酰胺。3.根据权利要求1所述的半导体硅片中性水基清洗剂，其特征在于，所述阴离子表面活性剂为十二烷基硫酸钠、聚丙烯酰胺或脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸酯盐。4.根据权利要求1所述的半导体硅片中性水基清洗剂，其特征在于，所述醇醚类溶剂为丙二醇甲醚、丙二醇丁醚或二丙二醇二甲醚。5.根据权利要求1所述的半导体硅片中性水基清洗剂，其特征在于，所述胺类化合物为盐酸双胍、聚亚酰胺或5-氨基四氮唑。6.根据权利要求1所述的半导体硅片中性水基清洗剂，其特征在于，所述抗静电剂为聚乙二醇酯、聚乙二醇醚、多元醇脂肪酸酯或脂肪酸乙氧基醚。7.根据权利要求1所述的半导体硅片中性水基清洗剂，其特征在于，所述增溶剂为丙二醇或异丙醇。8.权利要求1～7任一所述半导体硅片中性水基清洗剂的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将增溶剂和抗静电剂溶于去离子水中，溶解温度控制在30～40℃，混合均匀后常温保存；(2)将非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、醇醚类溶剂和胺类化合物依次加入步骤(1)制得的溶液中，前一组分混合均匀后加入下一组分，混合温度控制在25～32℃；(3)调节步骤(2)所得混合溶液的pH为7.0，即制得半导体硅片中性水基清洗剂。2CN108300592A说明书1/4页半导体硅片中性水基清洗剂及其制备方法技术领域[0001]本发明属于工业化学领域，涉及一种工业清洗剂，具体为半导体硅片中性水基清洗剂及其制备方法。背景技术[0002]随着半导体芯片设计的越来越小，铜材料以其良好的导电性和良好的抗电子迁移性，被普遍用作芯片导线材料，在芯片制造过程中，必须对硅片进行化学机械抛光，目前，硅片化学机械抛光是将硅片置于抛光垫上，使用抛光液对硅片进行抛光，典型的清洗液有去离子水、过氧化氢溶液和稀氨水，它们主要用于清洗前一工艺中残留液，比如经化学机械抛光工艺后，表面残留的抛光液，经过刻蚀去强光阻工艺后，残留的去强光阻液以及经过沉积工艺后的残留液等，有必要在化学机械研磨后清洗液中加入化学试剂以降低硅片的表面张力，并对表面活性剂或表面活性剂混合物进行仔细的选择以获得更好的清洗效果，以避免可能产生的化学残留物问题。[0003]现有技术中的清洗液多为弱酸或弱碱性。如中国专利申请CN201210556512.7，公开了一种半导体工业清洗剂及其应用，所述清洗剂包括酸剂、表面活性剂、抗静电剂、增溶剂、缓释剂、杀菌剂和去离子水。其具有极高的表面活性特性使其具有极低的表面张力。其独特的网状化学结构使其具有高挂线性和高悬浮性，能够有效抵御微生物的侵袭，保证在使用过程中不腐败变质，不发臭，还可以为用户节约成本，减少废液的排放，有利于环境保护，自然界的生物降解性好，可长期滞留在水和土壤中。该清洗剂为酸性，在用其对芯片材料进行处理时，易导致金属腐蚀，即使后期采用去离子水漂洗，也会因芯片表面的张力导致清洗不彻底