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中性水基清洗剂及其制备方法和半导体封装清洗方法.pdf
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中性水基清洗剂及其制备方法和半导体封装清洗方法.pdf
本发明公开了一种中性水基清洗剂及其制备方法和半导体封装清洗方法。本发明中性水基清洗剂由以下质量百分含量的成分组成：非离子表面活性剂0.5‑2％、阴离子表面活性剂0.5‑2％、醇醚类溶剂15‑30％、水溶性有机弱酸0.05‑0.2％、去离子水余量。本发明中性水基清洗剂清洗能力特别是对半导体器件上焊接后残留有优异的清洗能力，对其他污染物有也良好的去污能力，在此基础上其对敏感金属和特殊功能脆弱材料有良好的兼容性和保护作用，而且还具有环保，无闪点、安全等优点。其制备方法工艺条件易控，制备的中性水基清洗剂性能稳定。
2023-11-19
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半导体硅片中性水基清洗剂及其制备方法.pdf
本发明公开了半导体硅片中性水基清洗剂及其制备方法，按重量份计，所述清洗剂包括：非离子表面活性剂12～21份、阴离子表面活性剂8～19份、醇醚类溶剂25～40份、胺类化合物6～18份、抗静电剂3～12份、增溶剂1～4份、去离子水25～70份。与现有技术相比，本发明具有以下优点：(1)本发明所述半导体硅片中性水基清洗剂能够快速渗透到硅片表面，促进污染物的剥离；(2)所述清洗剂对硅片表面无腐蚀和氧化等副作用，保证硅片表面的平整度；(3)所述清洗剂对环境友好，对土壤和水体安全。
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一种中性水基清洗剂及其制备方法.pdf
本发明公开了包括如下重量份组分：山梨糖醇酐脂肪酸酯30‑70份、卵磷脂5‑10份、乙二醇10‑50份、乳化剂5‑10份、直链烷基苯磺酸钠30‑80份、脂肪醇醚硫酸钠30‑80份、甲基硅油5‑15份、杀菌剂3‑8份、抛光剂4‑9份、进口参透剂5‑10份、光亮剂3‑7份、消泡剂5‑10份、去离子水50‑100份。本发明属于清洗剂技术领域，具体是一种中性水基清洗剂及其制备方法，去污能力强、无腐蚀、无污染、常温清洗的中性水基清洗剂，有效解决了目前市场上清洗剂腐蚀性强的问题。
2023-08-04
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本发明公开了一种水基清洗剂及其制备方法和应用。所述水基清洗剂包括如下重量百分比的组分：非离子表面活性剂1‑5％、含氟表面活性剂0.05‑0.2％、醇醚类溶剂15‑25％、碱性助洗剂0.5‑5％、水余量。所述水基清洗剂对电子线路板上焊接后残留有优异的清洗能力，对其他污染物、焊接残留物也良好的去除能力，对敏感金属和脆弱功能型材料有良好的兼容性和保护作用，有效保证了电子线路板的性能稳定；而且所述水基清洗剂以水为主要介质，环保，无闪点、安全，分散体系稳定。所述水基清洗剂制备方法能够有效保证制备的水基清洗剂分散体系
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一种高集成封装用水基清洗剂及其清洗方法.pdf
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2023-11-14
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