层压膜.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108368610A(43)申请公布日2018.08.03(21)申请号201680064665.6(74)专利代理机构上海胜康律师事务所31263代理人樊英如张华(22)申请日2016.11.04(51)I(30)优先权数据nt.Cl.2015-2170142015.11.04JPC23C16/54(2006.01)C23C16/40(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C23C16/26(2006.01)2018.05.04C08J7/14(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2016/0827832016.11.04(87)PCT国际申请的公布数据WO2017/078133EN2017.05.11(71)申请人利乐拉瓦尔集团及财务有限公司地址瑞士普利申请人学校法人庆应义塾(72)发明人铃木哲也二神油谷白仓眀良小野一哉权利要求书2页说明书14页附图7页(54)发明名称层压膜(57)摘要本发明的目的在于以低成本提供具有优异阻隔性的薄膜层压膜。本发明的另一个目的在于提供一种制造薄膜层压膜的方法，其中借助于具有低设备成本和运行成本的大气压等离子体CVD将多个薄膜涂覆在塑料膜上，并且还在于提供一种能够长时间连续操作并能够产生高速涂布的薄膜层压膜生产设备。根据本发明的薄膜包括塑料膜、包含氧化硅作为主要成分的第一氧化硅基薄膜和第一无定形碳基薄膜。第一无定形碳基薄膜形成在第一氧化硅基薄膜上。第一氧化硅基薄膜具有直径在10-200nm范围内的针孔。CN108368610ACN108368610A权利要求书1/2页1.薄膜层压膜，其包括：塑料膜；包含氧化硅作为主要组成的第一氧化硅基薄膜；和第一无定形碳基薄膜，其中所述第一无定形碳基薄膜形成在所述第一氧化硅基薄膜上，并且，所述第一氧化硅基薄膜具有直径在10-200nm范围内的针孔。2.根据权利要求1所述的薄膜层压膜，其中所述第一无定形碳基薄膜的一部分贴合至所述针孔中。3.根据权利要求1或2所述的薄膜层压膜，其还包括第二氧化硅基薄膜和/或第二无定形碳基薄膜。4.薄膜层压膜，其包括：塑料膜；在所述塑料膜的一个表面上形成的第一无定形碳基薄膜；在所述第一无定形碳基薄膜的一个表面上形成的第一氧化硅基薄膜；和在所述第一氧化硅基薄膜的一个表面上形成的第二无定形碳基薄膜，其中所述第一氧化硅基薄膜具有直径在10-200nm范围内的针孔。5.根据权利要求4所述的薄膜层压膜，其中所述第二无定形碳基薄膜的一部分贴合至所述针孔中。6.根据权利要求1-5中任一项所述的薄膜层压膜，其中，在不存在针孔的位置处，所述第一无定形碳基薄膜的厚度为10-150nm，并且在不存在针孔的位置处，所述第一氧化硅基薄膜的厚度为5-100nm。7.根据权利要求1-6中任一项所述的薄膜层压膜，其中，所述塑料膜为聚酯基膜或尼龙膜。8.制造薄膜层压膜的方法，其包括：在大气压下向碳基原料气体施加高频脉冲电压的步骤，所述碳基原料气体是包含惰性气体的稀释气体和烃气体的混合物，由此所述碳基原料气体形成放电等离子体，使形成为放电等离子体的所述碳基原料气体与其上要形成膜的表面接触，并且在所述表面上形成无定形碳基薄膜；以及在大气压下向金属氧化物原料气体施加高频脉冲电压的步骤，所述金属氧化物原料气体是包含惰性气体的稀释气体、气化的含硅有机金属化合物和氧气的混合物，由此所述金属氧化物原料气体形成放电等离子体，并且使形成为放电等离子体的所述金属氧化物原料气体与其上要形成膜的表面接触，并在所述表面上形成氧化硅基薄膜。9.制造薄膜层压膜的方法，其包括：制备塑料膜的步骤；在大气压下将高频脉冲电压施加到碳基原料气体的步骤，所述碳基原料气体是包含惰性气体的稀释气体和烃气体的混合物，由此所述碳基原料气体形成放电等离子体，以及使形成为放电等离子体的所述碳基原料气体与所述塑料膜的一个表面接触，以形成第一无定形碳基薄膜，在大气压下向金属氧化物原料气体施加高频脉冲电压的步骤，所述金属氧化物原料气2CN108368610A权利要求书2/2页体是包含惰性气体的稀释气体、气化的含硅有机金属化合物和氧气的混合物，由此所述金属氧化物原料气体形成放电等离子体，以及使形成为放电等离子体的所述金属氧化物原料气体与所述第一无定形碳基薄膜的一个表面接触以形成第一氧化硅基薄膜，以及在大气压下将高频脉冲电压施加到碳基原料气体的步骤，所述碳基原料气体是包含惰性气体的稀释气体和烃气体的混合物，由此所述碳基原料气体形成放电等离子体，以及使形成为放电等离子体的所述碳基原料气体与所述第一氧化硅基薄膜的一个表面接触以形成第二无定形碳基薄膜。10.根据权利要求8或9所述的薄膜层压膜的制造方法，其中，所述有机金