层叠结构、发光部件、发光装置和图像形成装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108428714A(43)申请公布日2018.08.21(21)申请号201810127276.4G03G15/04(2006.01)(22)申请日2018.02.08G03G15/32(2006.01)(30)优先权数据2017-0244332017.02.13JP2017-1817242017.09.21JP2017-1817272017.09.21JP2017-1817302017.09.21JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京港区赤坂9丁目7番3号(72)发明人近藤崇(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人马爽臧建明(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)权利要求书1页说明书30页附图19页(54)发明名称层叠结构、发光部件、发光装置和图像形成装置(57)摘要本发明公开了一种层叠结构、发光部件、发光装置和图像形成装置，该层叠结构具备：晶闸管，所述晶闸管至少具有依次排列的阳极层、第一栅极层、第二栅极层和阴极层的四层；以及以与所述晶闸管串联连接的方式设置的发光元件，所述晶闸管具有半导体层，所述半导体层的带隙能量小于所述四层中的任一层的带隙能量。CN108428714ACN108428714A权利要求书1/1页1.一种层叠结构，其特征在于，具备：晶闸管，所述晶闸管至少具有依次排列的阳极层、第一栅极层、第二栅极层和阴极层的四层；以及以与所述晶闸管串联连接的方式设置的发光元件，所述晶闸管具有半导体层，所述半导体层的带隙能量小于所述四层中的任一层的带隙能量。2.根据权利要求1所述的层叠结构，其中，所述发光元件具有发光层，所述半导体层是带隙能量小于所述发光元件所具有的所述发光层的带隙能量的半导体层。3.根据权利要求1或2所述的层叠结构，其中，所述半导体层设置在所述阳极层与所述第一栅极层之间。4.根据权利要求3所述的层叠结构，其中，在所述第一栅极层设置有栅电极。5.根据权利要求1或2所述的层叠结构，其中，所述半导体层设置在所述第二栅极层与所述阴极层之间。6.根据权利要求5所述的层叠结构，其中，在所述第二栅极层设置有栅电极。7.一种发光部件，其特征在于，具备：多个传递元件，所述多个传递元件依次变为ON状态；以及多个根据权利要求1所述的层叠结构，其分别与多个所述传递元件连接，当多个所述传递元件依次变为ON状态时，多个所述层叠结构的每一个所具有的晶闸管可依次向ON状态转换，当多个所述层叠结构的每一个所具有的所述晶闸管依次变为ON状态时，多个所述层叠结构的每一个所具有的发光元件依次发光或增加发光量。8.一种发光装置，其特征在于，具备：根据权利要求7所述的发光部件；以及光学单元，所述光学单元二维发射从所述发光部件射出的光。9.一种图像形成装置，其特征在于，具备：图像保持部件；曝光单元，所述曝光单元包括对所述图像保持部件充电的充电单元和根据权利要求7所述的发光部件，且经由所述光学单元使所述图像保持部件曝光；显影单元，所述显影单元将通过所述曝光单元曝光且形成于所述图像保持部件上的静电潜像显影；以及转印单元，所述转印单元将显影在所述图像保持部件上的图像转印到被转印体上。2CN108428714A说明书1/30页层叠结构、发光部件、发光装置和图像形成装置技术领域本发明涉及一种层叠结构、发光部件、发光装置和图像形成装置。背景技术在日本特开平1-238962号公报中记载有一种发光元件阵列，其将多个可从外部控制阈值电压或阈值电流的发光元件进行一维、二维或三维排列，将控制各发光元件的阈值电压或者阈值电流的电极相互电连接，并将从外部施加电压或电流的时钟线连接在各发光元件上。在日本特开2009-286048号公报中记载有一种自扫描型光源头，其具备：基板；面发光型半导体激光器，其以阵列状配设在基板上；以及作为开关元件的晶闸管，其排列在基板上，使上述面发光型半导体激光器的发光有选择地导通/断开。在日本特开2001-308385号公报中记载有一种自扫描型发光装置，其构成pnpnpn六层半导体结构的发光元件，在两端的p型第一层和n型第六层以及中央的p型第三层及n型第四层上设置电极，使pn层承担发光二极管功能，使pnpn四层承担晶闸管功能。然而，例如，在具备传递部和发光部的自扫描型发光元件阵列中，若将发光部的发光元件作为由与传递部相同的半导体多层膜构成的晶闸管，则难以对发光部中的发光元件的发光特性等和传递部的传递特性等分别进行设定，难以实现驱动的高速化、光的高输出化、高效率化、低功耗化、低成本化等。因此，若将晶闸管和发光元件层叠，并将具有传递功能的晶闸管与具有发光功能的发光元件分离，则容易对晶闸管和发光元件进行分别设定。但是，由于将晶闸管和