发光部件、发光装置和图像形成装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108428715A(43)申请公布日2018.08.21(21)申请号201810127278.3G03G15/04(2006.01)(22)申请日2018.02.08G03G15/32(2006.01)(30)优先权数据2017-0244332017.02.13JP2017-1817242017.09.21JP2017-1817272017.09.21JP2017-1817302017.09.21JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京港区赤坂9丁目7番3号(72)发明人近藤崇(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人杨贝贝臧建明(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)权利要求书2页说明书32页附图22页(54)发明名称发光部件、发光装置和图像形成装置(57)摘要本发明公开了一种发光部件、发光装置和图像形成装置，该发光部件具备：发光元件；晶闸管，包含带隙能量为相当于所述发光元件发出的光的波长的带隙能量以下的半导体层，通过所述晶闸管变为ON状态，使该发光元件发光或使该发光元件的发光量增加；以及光吸收层，所述光吸收层以使所述发光元件与所述晶闸管层叠的方式设置于该发光元件和该晶闸管之间，且吸收该发光元件发出的光。CN108428715ACN108428715A权利要求书1/2页1.一种发光部件，其特征在于，具备：发光元件；晶闸管，包含带隙能量为相当于所述发光元件发出的光的波长的带隙能量以下的半导体层，通过所述晶闸管变为ON状态，使该发光元件发光或使该发光元件的发光量增加；以及光吸收层，所述光吸收层以使所述发光元件与所述晶闸管层叠的方式设置于该发光元件和该晶闸管之间，且吸收该发光元件发出的光。2.根据权利要求1所述的发光部件，其中，所述光吸收层包含半导体层，所述半导体层的带隙能量为相当于所述发光元件发出的光的波长的带隙能量以下。3.根据权利要求1或2所述的发光部件，其中，所述发光元件及所述晶闸管分别通过层叠多个半导体层而构成，所述光吸收层具有与在所述发光元件侧相接的构成该发光元件的半导体层和在所述晶闸管侧相接的构成该晶闸管的半导体层中的任意一个半导体层相同的导电型，并包含与该任意一个半导体层相比杂质浓度高的半导体层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光部件，其中，所述发光元件及所述晶闸管分别通过层叠多个半导体层而构成，所述光吸收层以保持在使所述发光元件侧相接的构成该发光元件的半导体层和在所述晶闸管侧相接的构成该晶闸管的半导体层直接接合的情况下的电流容易流通的方向的方式构成。5.根据权利要求1或2所述的发光部件，其中，所述发光元件、所述晶闸管及所述光吸收层分别通过层叠多个半导体层而构成，构成所述晶闸管的多个半导体层中与所述光吸收层相接的半导体层和构成该光吸收层的多个半导体层中与该晶闸管相接的半导体层具有相同的导电型，构成所述发光元件的多个半导体层中与所述光吸收层相接的半导体层和构成该光吸收层的多个半导体层中与该发光元件相接的半导体层具有相同的导电型，所述光吸收层的所述多个半导体层中与所述晶闸管相接的半导体层的杂质浓度比所述晶闸管的所述多个半导体层中与所述光吸收层相接的半导体层的杂质浓度高，并且所述光吸收层的所述多个半导体层中与所述发光元件相接的半导体层的杂质浓度比所述发光元件的所述多个半导体层中与所述光吸收层相接的半导体层的杂质浓度高。6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光部件，其中，所述发光元件的发光光谱与所述晶闸管的发光光谱不同。7.一种发光装置，其特征在于，具备：多个根据权利要求1所述的发光部件；多个传递元件，通过所述多个传递元件依次变为ON状态，使多个所述晶闸管可依次向ON状态转换；以及光学单元，所述光学单元二维发射从所述发光部件射出的光。8.一种图像形成装置，其特征在于，具备：图像保持部件；充电单元，所述充电单元对所述图像保持部件充电；2CN108428715A权利要求书2/2页根据权利要求7所述的发光装置，所述发光装置使通过所述充电单元充电的所述图像保持部件曝光；显影单元，所述显影单元将通过所述发光装置曝光且形成于所述图像保持部件上的静电潜像显影；以及转印单元，所述转印单元将显影在所述图像保持部件上的图像转印到被转印体上。3CN108428715A说明书1/32页发光部件、发光装置和图像形成装置技术领域[0001]本发明涉及一种发光部件、发光装置和图像形成装置。背景技术[0002]在日本特开平1-238962号公报中记载有一种发光元件阵列，其将多个可从外部控制阈值电压或阈值电流的发光元件进行一维、二维或三维排列，将控制各发光元件的阈值电压或者阈值电流的电极相互电连接，并将从外部施加电压或电