发光部件、发光装置和图像形成装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108428707A(43)申请公布日2018.08.21(21)申请号201810127280.0(22)申请日2018.02.08(30)优先权数据2017-0244332017.02.13JP2017-1817242017.09.21JP2017-1817272017.09.21JP2017-1817302017.09.21JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京港区赤坂9丁目7番3号(72)发明人近藤崇(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人杨贝贝臧建明(51)Int.Cl.H01L27/146(2006.01)权利要求书2页说明书36页附图26页(54)发明名称发光部件、发光装置和图像形成装置(57)摘要本发明公开了一种发光部件、发光装置和图像形成装置，该发光部件具备：基板；发光元件，该发光元件设置在所述基板上；晶闸管，通过该晶闸管变为ON状态，使所述发光元件发光或使该发光元件的发光量增加；以及光透射抑制层，该光透射抑制层以使所述发光元件与所述晶闸管层叠的方式设置于该发光元件和该晶闸管之间，抑制该晶闸管射出的光透射。CN108428707ACN108428707A权利要求书1/2页1.一种发光部件，其特征在于，具备：基板；发光元件，所述发光元件设置在所述基板上；晶闸管，通过该晶闸管变为ON状态，使所述发光元件发光或使该发光元件的发光量增加；以及光透射抑制层，所述光透射抑制层以使所述发光元件与所述晶闸管层叠的方式设置于该发光元件和该晶闸管之间，抑制该晶闸管射出的光透射。2.根据权利要求1所述的发光部件，其中，所述发光元件射出的光与所述晶闸管射出的光的波长不同。3.根据权利要求1或2所述的发光部件，其中，所述光透射抑制层包含半导体层，该半导体层的带隙能量小于相当于所述晶闸管射出的光的带隙能量。4.根据权利要求1或2所述的发光部件，其中，所述发光元件及所述晶闸管分别通过层叠多个半导体层而构成，所述光透射抑制层具有与在所述发光元件侧相接的构成该发光元件的半导体层和在所述晶闸管侧相接的构成该晶闸管的半导体层中的任意一个半导体层相同的导电型，并包含与该任意一个半导体层相比杂质浓度高的半导体层。5.根据权利要求1或2所述的发光部件，其中，所述发光元件及所述晶闸管分别通过层叠多个半导体层而构成，所述光透射抑制层以保持在使所述发光元件侧相接的构成该发光元件的半导体层和在所述晶闸管侧相接的构成该晶闸管的半导体层直接接合的情况下的电流容易流通的方向的方式构成。6.根据权利要求1或2所述的发光部件，其中，所述发光元件、所述晶闸管及所述光透射抑制层分别通过层叠多个半导体层而构成，构成所述晶闸管的多个半导体层中与所述光透射抑制层相接的半导体层和构成该光透射抑制层的多个半导体层中与该晶闸管相接的层具有相同的导电型，构成所述发光元件的多个半导体层中与所述光透射抑制层相接的半导体层和构成该光透射抑制层的多个半导体层中与该发光元件相接的半导体层具有相同的导电型，所述光透射抑制层的所述多个半导体层中与所述晶闸管相接的半导体层的杂质浓度比所述晶闸管的所述多个半导体层中与所述光透射抑制层相接的半导体层的杂质浓度高，并且所述光透射抑制层的所述多个半导体层中与所述发光元件相接的半导体层的杂质浓度比所述发光元件的所述多个半导体层中与所述光透射抑制层相接的半导体层的杂质浓度高。7.根据权利要求1所述的发光部件，其中，所述晶闸管具备电压降低层，所述电压降低层降低该晶闸管的上升电压。8.根据权利要求7所述的发光部件，其中，所述电压降低层的带隙能量比构成所述晶闸管的其他半导体层的任一个的带隙能量小。2CN108428707A权利要求书2/2页9.一种发光部件，其特征在于，具备：基板；多个发光元件，所述多个发光元件设置在所述基板上；多个晶闸管，所述多个晶闸管经由光透射抑制层分别层叠在所述多个发光元件上，通过该多个晶闸管变为ON状态，使该发光元件发光或使该发光元件的发光量增加；多个传递元件，所述多个传递元件经由所述光透射抑制层分别层叠在与多个所述发光元件具有相同层结构的下部元件上，通过该多个传递元件依次变为ON状态，使所述晶闸管处于可依次向ON状态转换的状态；以及连接配线，所述连接配线设置成使得所述下部元件不作为发光元件进行动作。10.一种发光装置，其特征在于，具备：多个根据权利要求1所述的发光部件，所述多个发光部件依次射出光；以及光学单元，所述光学单元二维发射从所述发光部件射出的光。11.一种图像形成装置，其特征在于，具备：图像保持部件；充电单元，所述充电单元对所述图像保持部件充电；根据权利要求10所述的发光装置，所述发光装置使通过所述充电单元充电的所述图像保持部