氢化非晶硅光学薄膜制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108914071A(43)申请公布日2018.11.30(21)申请号201810908618.6(22)申请日2018.08.10(71)申请人深圳市都乐精密制造有限公司地址518000广东省深圳市龙岗区龙城街道爱联嶂背工业区园湖路横四巷8号(72)发明人谢小静(74)专利代理机构北京中索知识产权代理有限公司11640代理人宋涛(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)C23C14/14(2006.01)C23C14/50(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称氢化非晶硅光学薄膜制备方法(57)摘要本发明适用于薄膜制备技术领域，提供了一种氢化非晶硅光学薄膜制备方法，包括以下步骤：A、将膜层放置在旋转平台上，通过旋转平台对膜层进行旋转，旋转速度为60～250r/min；B、对旋转平台上的膜层进行加热，使其温度为100～200℃；C、在旋转平台对应的圆周位置安置孪生靶材，且孪生靶材分别连接中频的正负极；D、对旋转平台所处的反应室进行真空处理，使其压力为-0.1～6Pa；E、通过孪生靶材分别注射溅射气体和反应气体，溅射气体为氩气，反应气体为氢气，所述溅射压力为-1～1Pa，氢化硅薄膜厚度为240～300nm。借此，本发明能够有效改善氢化硅薄膜的透过率、折射率和消光系数。CN108914071ACN108914071A权利要求书1/1页1.一种氢化非晶硅光学薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将膜层放置在旋转平台上，通过旋转平台对膜层进行旋转，旋转速度为60～250r/min；B、对旋转平台上的膜层进行加热，使其温度为100～200℃；C、在旋转平台对应的圆周位置安置孪生靶材，且所述孪生靶材分别连接中频的正负极；D、对旋转平台所处的反应室进行真空处理，使其压力为-0.1～6Pa；E、通过孪生靶材分别注射溅射气体和反应气体，所述溅射气体为氩气，所述反应气体为氢气，所述溅射压力为-1～1Pa，所述氢化硅薄膜厚度为240～300nm。2.根据权利要求1所述的氢化非晶硅光学薄膜制备方法，其特征在于，所述旋转速度为200r/min。3.根据权利要求1所述的氢化非晶硅光学薄膜制备方法，其特征在于，所述靶材材质为P型非晶硅靶材。4.根据权利要求3所述的氢化非晶硅光学薄膜制备方法，其特征在于，所述孪生靶材均采用P型非晶硅靶材，且所述孪生靶材安装有两组。5.根据权利要求1所述的氢化非晶硅光学薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤D中的压力为5Pa。6.根据权利要求1所述的氢化非晶硅光学薄膜制备方法，其特征在于，所述溅射压了为0.5Pa，所述溅射时间为42min。7.根据权利要求6所述的氢化非晶硅光学薄膜制备方法，其特征在于，所述溅射气体与反应气体比例为4:1。8.根据权利要求1所述的氢化非晶硅光学薄膜制备方法，其特征在于，所述氢化硅薄膜厚度为270nm。2CN108914071A说明书1/4页氢化非晶硅光学薄膜制备方法技术领域[0001]本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其涉及一种氢化非晶硅光学薄膜制备方法。背景技术[0002]氢化非晶硅薄膜制备技术已成为备受关注课题，由于其非凡的光电特性使得其在微电子技术领域和太阳能技术领域具有重大的实用意义和广阔的应用前景。在其传统的制备工艺中，存在至少如下两个缺陷：①衬底温度很高，容易导致薄膜的掺杂；②薄膜层生长缓慢，商业化成本很高。为此，人们提出了多种氢化非晶硅薄膜的制备新方法，但仍然未能很好的解决上述技术问题，实现氢化非晶硅薄膜的低温快速生长。[0003]综上可知，现有技术在实际使用上显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。发明内容[0004]针对上述的缺陷，本发明的目的在于提供一种氢化非晶硅光学薄膜制备方法，其可以有效改善氢化硅薄膜的透过率、折射率和消光率。[0005]为了实现上述目的，本发明提供一种氢化非晶硅光学薄膜制备方法，包括以下步骤：[0006]A、将膜层放置在旋转平台上，通过旋转平台对膜层进行旋转，旋转速度为60～250r/min；[0007]B、对旋转平台上的膜层进行加热，使其温度为100～200℃；[0008]C、在旋转平台对应的圆周位置安置孪生靶材，且所述孪生靶材分别连接中频的正负极；[0009]D、对旋转平台所处的反应室进行真空处理，使其压力为-0.1～6Pa；[0010]E、通过孪生靶材分别注射溅射气体和反应气体，所述溅射气体为氩气，所述反应气体为氢气，所述溅射压力为-1～1Pa，所述氢化硅薄膜厚度为240～300nm。[0011]根据本发明的氢化非晶硅光学薄膜制备方法，所述旋转速度为200r/min。[0012]根据本发明的氢化非晶硅光学薄膜制备方法，所述靶材材质