氢化非晶硅(amorphousSiH)物理知识大全.doc
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氢化非晶硅(amorphousSiH)物理知识大全苏霍姆林斯基说:让学生变得聪明的办法不是补课不是增加作业量而是阅读、阅读、再阅读。学生知识的获取、能力的提高、思想的启迪、情感的熏陶、品质的铸就很大程度上来源于阅读。我们应该重视它欢迎阅读氢化非晶硅(amorphousSi:H)物理知识大全。氢化非晶硅(amorphousSi:H)氢化非晶硅(amorphousSi:H)含有大量硅氢键的非晶硅称为氢化非晶硅即a-Si:H或非晶硅氢合金a-Si:H中含氢量达3~50。a-Si:H通常采用辉光放电
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氢化非晶硅薄膜的晶化处理研究氢化非晶硅薄膜的晶化处理研究摘要:氢化非晶硅薄膜在太阳能电池、薄膜晶体管和存储器等领域具有广泛的应用前景。然而,氢化非晶硅薄膜具有不稳定性和低光电转化效率等缺点。因此,研究如何有效晶化处理氢化非晶硅薄膜,以提高其性能非常重要。本文综述了近年来氢化非晶硅薄膜晶化处理的研究进展,包括热退火、金属催化剂和激光晶化等方法。同时,还介绍了在晶化过程中对非晶硅薄膜物理性质和结构的影响,并总结了晶化处理对氢化非晶硅薄膜光电转化效率的提高。最后,对未来氢化非晶硅薄膜晶化处理研究的发展趋势进行了
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课外百科物理知识点之氢化非晶硅氢化非晶硅是一种材料,也被称为a-Si:H。它是一种非结晶材料,由硅和氢组成。氢化非晶硅在光电子学、太阳能电池、液晶显示器和薄膜晶体管等领域有着广泛的应用。下面是关于氢化非晶硅的一些重要物理知识点。1.非晶硅的结构:非晶硅的结构没有规则的长程周期性,原子呈无定型排列。这是与晶体硅(具有有序晶格结构)的主要区别。2.氢化非晶硅的制备:氢化非晶硅可以通过热分解硅烷气体制备。在高温下,硅烷分子(如SiH4)会分解,产生硅原子并沉积在衬底上形成非晶硅薄膜。同时,氢气也参与反应,与硅原
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氢化非晶硅膜高速淀积的研究氢化非晶硅膜高速淀积的研究摘要:氢化非晶硅膜是一种在太阳能电池、液晶显示器和光通信领域中应用广泛的材料。本文主要探讨了氢化非晶硅膜高速淀积的研究,包括淀积过程、淀积条件的优化以及淀积速度的提高。通过研究,我们发现使用高功率密度的射频感应加热可以显著提高淀积速度,并且优化工艺参数可以改善膜的质量和光电性能。此外,在淀积过程中添加掺杂气体可以进一步提高氢化非晶硅膜的导电性能。关键词:氢化非晶硅膜,高速淀积,优化工艺,掺杂气体引言:氢化非晶硅膜由于其高功效、低成本和可大面积制备的特点,
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本发明适用于薄膜制备技术领域,提供了一种氢化非晶硅光学薄膜制备方法,包括以下步骤:A、将膜层放置在旋转平台上,通过旋转平台对膜层进行旋转,旋转速度为60~250r/min;B、对旋转平台上的膜层进行加热,使其温度为100~200℃;C、在旋转平台对应的圆周位置安置孪生靶材,且孪生靶材分别连接中频的正负极;D、对旋转平台所处的反应室进行真空处理,使其压力为‑0.1~6Pa;E、通过孪生靶材分别注射溅射气体和反应气体,溅射气体为氩气,反应气体为氢气,所述溅射压力为‑1~1Pa,氢化硅薄膜厚度为240~300n