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氢化非晶硅(amorphousSiH)物理知识大全苏霍姆林斯基说:让学生变得聪明的办法不是补课不是增加作业量而是阅读、阅读、再阅读。学生知识的获取、能力的提高、思想的启迪、情感的熏陶、品质的铸就很大程度上来源于阅读。我们应该重视它欢迎阅读氢化非晶硅(amorphousSi:H)物理知识大全。氢化非晶硅(amorphousSi:H)氢化非晶硅(amorphousSi:H)含有大量硅氢键的非晶硅称为氢化非晶硅即a-Si:H或非晶硅氢合金a-Si:H中含氢量达3~50。a-Si:H通常采用辉光放电法或溅射法制备其电导及光电性质密切依赖于制备条件。a-Si:H中的氢能够补偿非晶硅中大量存在的悬挂键使其缺陷态密度大大降低从而导致a-Si:H具有显著的掺杂效应电导率可改变约10个量级。a-Si:H具有比晶体硅更高的光电导响应光电导与暗电导比值可达104~105。a-Si:H的光学带隙约1.7eV对整个太阳光谱的吸收系数大于104cm-11m厚的a-Si:H薄膜可以实现对太阳光谱的完全吸收因此它成为廉价太阳电池的基础材料。a-Si:H的另一重要用途是用a-Si:H制作的薄膜场效应管作为液晶显示屏的开关矩阵。感谢阅读氢化非晶硅(amorphousSi:H)物理知识大全希望大家从中得到启发。