氢化非晶硅薄膜的晶化处理研究.docx
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氢化非晶硅薄膜的晶化处理研究.docx
氢化非晶硅薄膜的晶化处理研究氢化非晶硅薄膜的晶化处理研究摘要:氢化非晶硅薄膜在太阳能电池、薄膜晶体管和存储器等领域具有广泛的应用前景。然而,氢化非晶硅薄膜具有不稳定性和低光电转化效率等缺点。因此,研究如何有效晶化处理氢化非晶硅薄膜,以提高其性能非常重要。本文综述了近年来氢化非晶硅薄膜晶化处理的研究进展,包括热退火、金属催化剂和激光晶化等方法。同时,还介绍了在晶化过程中对非晶硅薄膜物理性质和结构的影响,并总结了晶化处理对氢化非晶硅薄膜光电转化效率的提高。最后,对未来氢化非晶硅薄膜晶化处理研究的发展趋势进行了
PECVD法制备氢化纳米晶硅薄膜及其晶化特性的研究.doc
PECVD法制备氢化纳米晶硅薄膜及其晶化特性的研究氢化纳米晶硅(hydrogenatednanocrystallinesilicon,nc-Si:H)薄膜是硅的纳米晶粒镶嵌在氢化非晶硅(hydrogenatedamorphoussilicon,a-Si:H)网络里的一种硅纳米结构材料。它具有高电导率、宽带隙、高吸收系数、光致发光等光电特性,已经引起了学术界的广泛关注和研究。一方面,nc-Si:H薄膜材料具有量子限制效应,因此可以通过控制薄膜中的晶粒尺寸等来调节薄膜的带隙,以应用于对不同波段的光的吸收。另一
P型非晶硅薄膜及非晶硅薄膜电池产业化研究的中期报告.docx
P型非晶硅薄膜及非晶硅薄膜电池产业化研究的中期报告本研究旨在探索P型非晶硅薄膜及非晶硅薄膜电池的产业化路径,对于中期成果,我们做出如下总结:一、技术路线我们经过对P型非晶硅薄膜及非晶硅薄膜电池多种技术路线进行评估,最终选择以化学气相沉积(CVD)为关键技术,采用非晶硅薄膜和单晶硅薄膜异质结构的复合技术路线。在中期阶段,我们已经完成CVD反应器的搭建以及非晶硅薄膜的制备,正在进行单晶硅薄膜的制备工作。二、产业化前景在多领域需求的推动下,P型非晶硅薄膜及非晶硅薄膜电池产业化前景十分广阔。据初步市场调研,行业市
非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究.docx
非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究摘要:非晶硅薄膜作为一种重要的半导体材料,在太阳能电池、显示器件和光电器件等领域具有广泛的应用。然而,非晶硅薄膜的性能与结晶硅相比仍存在着一定的差距。准分子激光晶化作为一种具有潜力的技术,在改善非晶硅薄膜的结晶性能方面具有重要作用。本文旨在综述非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究,并对其机理和应用进行分析和探讨。1.引言随着信息技术和光电子技术的快速发展,对高效、低成本、大面积的半导体材料的需求不断增加。非晶硅薄膜由于其优异的光学和电学性能,受到了广泛
氢化非晶硅光学薄膜制备方法.pdf
本发明适用于薄膜制备技术领域,提供了一种氢化非晶硅光学薄膜制备方法,包括以下步骤:A、将膜层放置在旋转平台上,通过旋转平台对膜层进行旋转,旋转速度为60~250r/min;B、对旋转平台上的膜层进行加热,使其温度为100~200℃;C、在旋转平台对应的圆周位置安置孪生靶材,且孪生靶材分别连接中频的正负极;D、对旋转平台所处的反应室进行真空处理,使其压力为‑0.1~6Pa;E、通过孪生靶材分别注射溅射气体和反应气体,溅射气体为氩气,反应气体为氢气,所述溅射压力为‑1~1Pa,氢化硅薄膜厚度为240~300n