抛光垫及使用了该抛光垫的抛光方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109478507A(43)申请公布日2019.03.15(21)申请号201780043880.2(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所(22)申请日2017.07.2611105代理人王利波(30)优先权数据2016-1503892016.07.29JP(51)Int.Cl.H01L21/304(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B24B37/24(2006.01)2019.01.15C08J5/14(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2017/0270952017.07.26(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/021428JA2018.02.01(71)申请人株式会社可乐丽地址日本冈山县(72)发明人竹越穣加藤充冈本知大加藤晋哉权利要求书1页说明书15页附图1页(54)发明名称抛光垫及使用了该抛光垫的抛光方法(57)摘要本发明提供一种具有在pH10.0下的zeta电位为+0.1mV以上的抛光面的抛光垫。优选提供一种含有具有叔胺的聚氨酯的抛光垫。进一步优选具有叔胺的聚氨酯为至少含有具有叔胺的扩链剂的聚氨酯反应原料的反应物。另外，提供一种一边供给使用了这些抛光垫的碱性抛光浆料一边进行的抛光方法。CN109478507ACN109478507A权利要求书1/1页1.一种抛光垫，其具有在pH10.0下的zeta电位为+0.1mV以上的抛光面。2.根据权利要求1所述的抛光垫，其含有具有叔胺的聚氨酯。3.根据权利要求2所述的抛光垫，其中，所述具有叔胺的聚氨酯为至少含有具有叔胺的扩链剂的聚氨酯反应原料的反应物。4.根据权利要求3所述的抛光垫，其中，所述具有叔胺的扩链剂含有选自2,2’-甲基亚氨基二乙醇，2,2’-乙基亚氨基二乙醇，2,2’-正丁基亚氨基二乙醇，2,2’-叔丁基亚氨基二乙醇、3-(二甲基氨基)-1,2-丙二醇，3-(二乙基氨基)-1,2-丙二醇中的至少1种。5.根据权利要求3或4所述的抛光垫，其中，所述聚氨酯反应原料含有0.5～30质量％的所述具有叔胺的扩链剂。6.根据权利要求3～5中任一项所述的抛光垫，其中，所述聚氨酯反应原料还含有不具有叔胺的扩链剂，所述具有叔胺的扩链剂相对于所述具有叔胺的扩链剂和所述不具有叔胺的扩链剂的总量的含有比例为5～95摩尔％。7.根据权利要求2～6中任一项所述的抛光垫，其中，所述具有叔胺的聚氨酯为热塑性聚氨酯，所述热塑性聚氨酯是至少含有所述具有叔胺的扩链剂、高分子二醇和有机二异氰酸酯的所述聚氨酯反应原料的反应物。8.根据权利要求7所述的抛光垫，其中，所述高分子二醇含有30～100质量％的聚乙二醇。9.根据权利要求7或8所述的抛光垫，其中，所述高分子二醇的数均分子量为450～3000。10.根据权利要求7～9中任一项所述的抛光垫，其中，所述有机二异氰酸酯具有的来自异氰酸酯基的氮含量为4.5～7.6质量％。11.根据权利要求1～10中任一项所述的抛光垫，其在50℃的水中饱和溶胀之后、在50℃下的储能模量为50～1200MPa，且与水的接触角为80度以下。12.根据权利要求1～11中任一项所述的抛光垫，其为非发泡体。13.一种抛光方法，其具备以下工序：将权利要求1～12中任一项所述的抛光垫固定于抛光装置的平台上的工序；将被抛光物以与所述抛光垫的所述抛光面对面的方式保持于抛光装置的保持架的工序；一边在所述抛光面和所述被抛光物之间供给碱性抛光浆料，一边通过使所述抛光垫和所述被抛光物相对地滑动，从而对所述被抛光物进行抛光的工序。2CN109478507A说明书1/15页抛光垫及使用了该抛光垫的抛光方法技术领域[0001]本发明涉及一种抛光垫及使用了该抛光垫的抛光方法。详细而言，本发明涉及一种优选用于化学机械抛光(CMP)的抛光垫及使用了该抛光垫的抛光方法。背景技术[0002]作为对半导体晶片进行镜面加工的工序、在半导体基板上形成电路时对具有氧化膜等绝缘膜、导电体膜的被抛光物的表面进行平坦化的工序中所使用的抛光方法，已知有CMP。CMP为在被抛光物的表面一边供给含有磨料及反应液的抛光浆料(以下，也简称为浆料)、一边通过抛光垫的抛光面将被抛光物的被抛光面高精度地抛光的方法。[0003]作为CMP用的抛光垫，已知有以具有闭孔气泡结构的高分子发泡体为主体的抛光垫。以高分子发泡体为主体的抛光垫与无纺布类型的抛光垫相比具有高的刚性，因此平坦化性能优异。作为以高分子发泡体为主体的抛光垫，广泛使用由将双组分固化型聚氨酯进行注塑发泡成形而得到的发泡聚氨酯成形体构成的抛光垫。从耐磨损性优异的方面考虑，发泡聚氨酯成形体优选作为抛光垫的材料使用。[0004]但是，近年来，伴随形成于半导体基板上的