聚氨酯的改性方法、聚氨酯、抛光垫及抛光垫的改性方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112105667A(43)申请公布日2020.12.18(21)申请号201980031163.7(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所(22)申请日2019.04.2611105代理人王利波(30)优先权数据2018-0926082018.05.11JP(51)Int.Cl.C08G18/83(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B24B37/24(2006.01)2020.11.09C08G18/67(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C08G18/68(2006.01)PCT/JP2019/0180222019.04.26C08G18/69(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01L21/304(2006.01)WO2019/216279JA2019.11.14(71)申请人株式会社可乐丽地址日本冈山县(72)发明人大下梓纱加藤充竹越穣冈本知大加藤晋哉权利要求书2页说明书20页附图3页(54)发明名称聚氨酯的改性方法、聚氨酯、抛光垫及抛光垫的改性方法(57)摘要本发明使用包括准备具有烯属不饱和键的聚氨酯的工序、以及用含有具有共轭双键的化合物的液体对聚氨酯进行处理的工序的聚氨酯的改性方法，或者使用包括准备具有共轭双键的聚氨酯的工序、以及用含有具有烯属不饱和键的化合物的液体对聚氨酯进行处理的工序的聚氨酯的改性方法。CN112105667ACN112105667A权利要求书1/2页1.一种聚氨酯的改性方法，该方法包括：准备具有烯属不饱和键的聚氨酯的工序；以及用含有具有共轭双键的化合物的液体对所述聚氨酯进行处理的工序。2.根据权利要求1所述的聚氨酯的改性方法，其中，所述聚氨酯包含来自于具有烯属不饱和键的化合物的聚合物结构单元。3.根据权利要求2所述的聚氨酯的改性方法，其中，所述具有烯属不饱和键的化合物包含选自顺-2-丁烯-1,4-二醇、4,5-双(羟甲基)咪唑、5-降冰片烯-2,3-二甲醇、顺-2-壬烯-1-醇、顺-3-壬烯-1-醇、顺-3-辛烯-1-醇、聚丁二烯二醇中的至少1种化合物。4.一种聚氨酯的改性方法，该方法包括：准备具有共轭双键的聚氨酯的工序；以及用含有具有烯属不饱和键的化合物的液体对所述聚氨酯进行处理的工序。5.根据权利要求4所述的聚氨酯的改性方法，其中，所述聚氨酯为包含来自于具有共轭双键的化合物的聚合物结构单元的聚氨酯。6.根据权利要求5所述的聚氨酯的改性方法，其中，所述具有共轭双键的化合物包含选自4,5-双(羟甲基)咪唑、4-羟甲基-5-甲基咪唑、聚呋喃二甲酸乙二醇酯中的至少1种化合物。7.一种聚氨酯，其具有烯属不饱和键。8.根据权利要求7所述的聚氨酯，其是对所述烯属不饱和键加成具有共轭双键的化合物而得到的。9.根据权利要求8所述的聚氨酯，其具有羧酸基。10.一种聚氨酯，其具有共轭双键。11.根据权利要求10所述的聚氨酯，其是对所述共轭双键加成具有烯属不饱和键的化合物而得到的。12.根据权利要求11所述的聚氨酯，其具有羧酸基。13.一种抛光垫，其至少在抛光面包含权利要求7～9中任一项所述的聚氨酯，且在pH3.0下的zeta电位为-1.0mV以下。14.一种抛光垫，其至少在抛光面包含权利要求10～12中任一项所述的聚氨酯，且在pH3.0下的zeta电位为-1.0mV以下。15.一种抛光垫的改性方法，该方法包括：准备至少在抛光面包含具有反应性部位的树脂的抛光垫的工序；以及使化合物与所述反应性部位进行反应而导入官能团的工序。16.根据权利要求15所述的抛光垫的改性方法，其中，所述官能团为阴离子性官能团或阳离子性官能团。17.根据权利要求15所述的抛光垫的改性方法，其中，所述官能团为羧酸基、磺酸基、磷酸基、氨基、羟基或咪唑基。18.根据权利要求15～17中任一项所述的抛光垫的改性方法，其中，通过导入所述官能团而使所述抛光面的zeta电位发生变化。19.根据权利要求18所述的抛光垫的改性方法，其中，2CN112105667A权利要求书2/2页所述抛光面的所述zeta电位变化3mV以上。3CN112105667A说明书1/20页聚氨酯的改性方法、聚氨酯、抛光垫及抛光垫的改性方法技术领域[0001]本发明涉及聚氨酯的改性方法、新型聚氨酯、以及抛光垫。背景技术[0002]作为对半导体晶片进行镜面加工、或者为了在半导体基板上形成电路而使具有氧化膜等绝缘膜、导电体膜的被抛光物的表面平坦化的工序中所使用的抛光方法，已知有化学机械抛光(CMP)。CMP是一边向被抛光物的表面供给包含磨粒和反应液的浆料一边用抛光垫对被抛光物进行高精度地抛光的方法。作为CMP中使用的抛光垫的原材料，优选使用聚氨酯。[0003]近年来