氧化锆组合物、预煅烧体和烧结体、以及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109689593A(43)申请公布日2019.04.26(21)申请号201780057928.5(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司720(22)申请日2017.09.2001代理人马倩李志强(30)优先权数据2016-1831292016.09.20JP(51)Int.Cl.C04B35/488(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日A61C13/083(2006.01)2019.03.20C01G25/02(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2017/0339802017.09.20(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/056330JA2018.03.29(71)申请人可乐丽则武齿科株式会社地址日本冈山县仓敷市酒津１６２１番地(72)发明人伊藤承央权利要求书3页说明书23页附图6页(54)发明名称氧化锆组合物、预煅烧体和烧结体、以及其制造方法(57)摘要组合物含有：55%以上为单斜晶体的氧化锆粉末、和可抑制氧化锆的相转移的稳定剂。平均粒径为0.06μm~0.17μm。稳定剂中的至少一部分未固溶于氧化锆。CN109689593ACN109689593A权利要求书1/3页1.组合物，其含有：55%以上为单斜晶体的氧化锆粉末、和可抑制氧化锆的相转移的稳定剂，氧化锆粒子和所述稳定剂的粒子的平均粒径为0.06μm~0.17μm，所述稳定剂中的至少一部分未固溶于氧化锆。222.根据权利要求1所述的组合物，其中，BET比表面积为7.5m/g~25m/g。3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，氧化锆的80%以上为单斜晶体。4.根据权利要求1~3中任一项所述的组合物，其中，所述平均粒径为0.10μm~0.14μm。5.根据权利要求1~4中任一项所述的组合物，其中，所述平均粒径低于0.13μm。6.根据权利要求1~5中任一项所述的组合物，其中，所述稳定剂为氧化钇。7.根据权利要求6所述的组合物，其中，相对于氧化锆和氧化钇的总计mol，含有3mol%~7.5mol%的氧化钇。8.根据权利要求6或7所述的组合物，其中，在X射线衍射图案中存在氧化钇的峰。9.根据权利要求6~8中任一项所述的组合物，其中，基于以下的数学式1而算出的fy为1%以上，其中，Iy(111)表示利用CuKα线的X射线衍射图案中的氧化钇的(111)面的峰强度，Im(111)和Im(11-1)表示所述X射线衍射图案中的氧化锆的单斜晶系的(111)面和(11-1)面的峰强度，It(111)表示所述X射线衍射图案中的氧化锆的四方晶系的(111)面的峰强度，Ic(111)表示所述X射线衍射图案中的氧化锆的立方晶系的(111)面的峰强度，[数学式1]。10.根据权利要求9所述的组合物，其中，所述fy为15%以下。11.根据权利要求9或10所述的组合物，其中，所述组合物中的氧化钇的含有率为3mol%以上且低于4.5mol%，所述fy为2%以上。12.根据权利要求9或10所述的组合物，其中，所述组合物中的氧化钇的含有率为4.5mol%以上且低于5.8mol%，所述fy为3%以上。13.根据权利要求9或10所述的组合物，其中，所述组合物中的氧化钇的含有率为5.8mol%以上且7.5mol%以下，所述fy为4%以上。14.预煅烧体，其含有：55%以上为单斜晶体的氧化锆、和可抑制氧化锆的相转移的稳定剂，所述稳定剂中的至少一部分未固溶于氧化锆。3315.根据权利要求14所述的预煅烧体，其中，密度为2.7g/cm~4.0g/cm。16.根据权利要求14或15所述的预煅烧体，其中，弯曲强度为15MPa~70MPa。17.根据权利要求14~16中任一项所述的预煅烧体，其中，氧化锆的80%以上为单斜晶体。2CN109689593A权利要求书2/3页18.根据权利要求14~17中任一项所述的预煅烧体，其中，所述稳定剂为氧化钇。19.根据权利要求18所述的预煅烧体，其中，相对于氧化锆和氧化钇的总计mol，含有3mol%~7.5mol%的氧化钇。20.根据权利要求18或19所述的预煅烧体，其中，在X射线衍射图案中存在氧化钇的峰。21.根据权利要求18~20中任一项所述的预煅烧体，其中，基于以下的数学式2而算出的fy为1%以上，其中，Iy(111)表示利用CuKα线的X射线衍射图案中的氧化钇的(111)面的峰强度，Im(111)和Im(11-1)表示所述X射线衍射图案中的氧化锆的单斜晶系的(111)面和(11-1)面的峰强度，It(111)表示所述X射线衍射图案中的氧化锆的四方晶系的(111)面的峰强度，Ic(111)表示所述X射线衍射图案中的氧化锆的立方晶系的(111)