一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110993485A(43)申请公布日2020.04.10(21)申请号201911181492.8(22)申请日2019.11.27(71)申请人江苏富乐德半导体科技有限公司地址224200江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号申请人上海申和热磁电子有限公司(72)发明人王斌贺贤汉欧阳鹏孙泉马敬伟戴洪兴(74)专利代理机构上海申浩律师事务所31280代理人赵建敏(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/48(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法(57)摘要本发明涉及半导体技术领域。一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；步骤一，用1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化；步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗；步骤三，氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗；步骤四，将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干。通过以上钝化工序，可有效去除产品表面亲水性键合结构(Si-OH)，从而降低氮化硅表面漏电流随环境变化的漂移值，提高产品绝缘可靠性。CN110993485ACN110993485A权利要求书1/1页1.一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；步骤一，用1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化；步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗；步骤三，氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗；步骤四，将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干。2.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于：步骤一中，浸泡钝化的时间为10～20min。3.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于：步骤一中，1％～5％浓度氢氟酸溶液采用49％的氢氟酸溶液稀释获得。4.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于：步骤二中，浸泡清洗时间为3～5min。5.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于：步骤三中，浸泡清洗时间为1～5min。6.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于：步骤四中，热风烘干的温度为80±5℃，时间5～10min。2CN110993485A说明书1/2页一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体是氮化硅陶瓷覆铜基板。背景技术[0002]氮化硅陶瓷覆铜基板是一种高机械强度、高导热和具有电绝缘性的电路基板，主要应用于大功率及发热较大的半导体模块及功率半导体器件。目前市场上氮化硅陶瓷覆铜基板的制程主要包括：氮化硅和铜进行活性金属钎焊烧结、图形转移及蚀刻、表面处理等。[0003]氮化硅陶瓷覆铜基板经过碱性蚀刻体系清除焊料层后，其表面容易残存亲水性键合结构(Si-OH)，而这种亲水性键合结构用常规的清洗工艺(去离子水超声浸泡-异丙醇浸泡-热风烘干)无法去除，这会导致Si3N4陶瓷覆铜基板电绝缘性能出现漂移，主要表现在产品岛间漏电流值存在一定的漂移性。尤其在湿度大，高电压使用环境下将可能引起绝缘不良，导致产品或器件失效。发明内容[0004]针对现有技术存在的问题，本发明提供一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，以解决以上至少一个技术问题。[0005]为了达到上述目的，本发明提供了一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，其特征在于，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；[0006]步骤一，用1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化；[0007]步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗；[0008]步骤三，氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗；[0009]步骤四，将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干。[0010]进一步优选地，步骤一中，浸泡钝化的时间为10～20min。[0011]进一步优选地，步骤一中，1％～5％浓度氢氟酸溶液采用49％的氢氟酸溶液稀释获得。[0012]进一步优选地，步骤二中，浸泡清洗时间为3～5min。[0013]进一步优选地，步骤三中，浸泡清洗时间为1～5min。[0014]进一步优选地，步骤四中，热风烘干的温度为80±5℃，时间5～10min。[0015]有益效果：通过以上钝化工序，可有效去除产品表面亲水性键合结构(Si-OH)，从而降低氮化硅表面漏电流随环境变化的漂移值，提高产品绝缘可靠性。具体实施方式[0016]下面对本发明做进一步的说明。[0017]一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；[0018