碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113458905A(43)申请公布日2021.10.01(21)申请号202110338843.2(22)申请日2021.03.30(30)优先权数据2020-0631492020.03.31JP(71)申请人株式会社电装地址日本爱知县(72)发明人巴赫曼·苏丹尼笹山和俊日比靖(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人蔡胜有冷永华(51)Int.Cl.B24B9/06(2006.01)B28D5/00(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图10页(54)发明名称碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法(57)摘要本发明涉及碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法。提供了SiC晶片的制造方法，其可以增加可以由所制造的SiC单晶锭制备的SiC晶片的收率和半导体芯片的成品收率。在由SiC单晶锭80形成圆柱部时，圆柱部的直径逐渐改变。具体地，将被配置成具有截头圆锥形状的SiC单晶锭80制成其直径从SiC单晶锭80的上表面朝向下表面增加的圆柱部，而不是都具有相同直径的圆柱部。CN113458905ACN113458905A权利要求书1/2页1.一种通过将碳化硅单晶锭切片来制造碳化硅晶片的碳化硅晶片的制造方法，包括：制备具有截头圆锥形状的所述碳化硅单晶锭，所述截头圆锥形状包括上表面和直径大于所述上表面的下表面；通过对具有截头圆锥形状的所述碳化硅单晶锭进行研磨加工而去除所述碳化硅单晶锭的外缘部，来形成具有从所述上表面朝向所述下表面增加的不同直径的复数段的圆柱部；以及将所述圆柱部切片成所述碳化硅晶片。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其中交替地重复形成圆柱部和切片的步骤；以及部分地形成所述复数段的圆柱部，以及此后对所形成的圆柱部进行切片。3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其中通过形成所述圆柱部从所述碳化硅单晶锭的所述上表面到所述下表面形成复数段的所述圆柱部，以及此后在将所述复数段的圆柱部保持为一体的同时对所述圆柱部进行切片。4.根据权利要求3所述的碳化硅晶片的制造方法，包括：形成所述复数段的圆柱部，以及此后在将所述复数段的圆柱部保持为一体的同时，在所述复数段的圆柱部的外周位置上的相同位置处形成缺口或定向平面。5.根据权利要求1至4中任一项所述的碳化硅晶片的制造方法，其中在形成所述圆柱部时，复数个所述圆柱部的段数为3至5中的任一者。6.一种使用根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法来制造半导体衬底的半导体衬底的制造方法，包括：在形成所述圆柱部之后，将支撑衬底附着到所述圆柱部的待自其通过切片获得所述碳化硅晶片的表面上；以及在附着至所述支撑衬底之后，在被所述支撑衬底支撑的状态下通过进行切片来获得所述碳化硅晶片。7.一种使用根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法来制造半导体衬底的半导体衬底的制造方法，其中所述切片包括通过对所述圆柱部进行激光照射来形成激光迹线以及通过使所述圆柱部在所述激光迹线处断裂来移除所述碳化硅晶片，以及所述方法还包括：在形成所述圆柱部之后并且在形成所述激光迹线之前，将支撑衬底附着到所述圆柱部的待自其通过所述切片获得所述碳化硅晶片的表面上；以及在附着至所述支撑衬底之后，在所述圆柱部被所述支撑衬底支撑的状态下通过使所述圆柱部在所述激光迹线处断裂来获得所述碳化硅晶片。8.根据权利要求6或7所述的半导体衬底的制造方法，其中所述支撑衬底为碳化硅支撑衬底。9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体衬底的制造方法，其中，在附着所述支撑衬底时，使用下述支撑衬底：其具有的直径与当通过将所述复数段的圆柱部中的任一段的所述圆柱部切片而获得所述碳化硅晶片时所使用的直径相同。10.一种使用通过根据权利要求9所述的半导体衬底的制造方法形成的所述半导体衬2CN113458905A权利要求书2/2页底来制造半导体装置的半导体装置的制造方法，包括：制备其中所述碳化硅晶片被所述支撑衬底支撑的所述半导体衬底；以及通过对所述半导体衬底进行半导体加工来形成半导体元件，其中在形成所述半导体元件时，还对通过将所述复数段的圆柱部中的任一段的所述圆柱部切片而获得的具有不同直径的所述碳化硅晶片进行使用相同设备的所述半导体加工。3CN113458905A说明书1/10页碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法技术领域[0001]本公开涉及碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法。背景技术[0002]SiC已知为可用作功率MOSFET等的材料的半导体材料。SiC晶片通过经由升华重结晶法等生长SiC