成膜含锗膜的装置的使用方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN101814431101814431B(45)授权公告日2014.08.20(21)申请号201010115677.1(22)申请日2010.02.11(30)优先权数据2009-0368312009.02.19JP(73)专利权人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人古泽纯和冈田充弘(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277代理人刘新宇李茂家(51)Int.Cl.H01L21/205(2006.01)H01L21/00(2006.01)审查员吴海涛权权利要求书2页利要求书2页说明书8页说明书8页附图4页附图4页(54)发明名称形成含锗膜的装置的使用方法(57)摘要本发明提供一种成膜含锗膜的装置的使用方法，该使用方法按照以下顺序进行以下处理：第一成膜处理，利用CVD在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成含锗的第一成品膜；第一清洁处理，对成膜副产物进行蚀刻；第二清洁处理，去除残留在反应容器内的锗；以及第二成膜处理，利用CVD在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成不含锗的第二成品膜。其中，在第二清洁处理中，一边从未容纳成品用被处理体的反应容器内排气，一边向反应容器内供给包含氧化气体和氢气的第二清洁气体的同时对反应容器内加热来活化第二清洁气体。CN101814431BCN10843BCN101814431B权利要求书1/2页1.一种形成含锗膜的装置的使用方法，该方法具备以下工序：进行第一成膜处理的工序，其利用化学气相沉积在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成含锗的第一成品膜，这里，在将锗源气体供给到上述反应容器内的同时对上述反应容器内加热来活化上述锗源气体，并通过上述第一成膜处理使含锗的成膜副产物附着在上述反应容器内，上述含锗的第一成品膜为SiGe膜；进行第一清洁处理的工序，其在上述第一成膜处理之后对上述成膜副产物进行蚀刻，这里，一边从未容纳成品用被处理体的上述反应容器内排气，一边向上述反应容器内供给包含卤素的第一清洁气体的同时对上述反应容器内加热来活化上述第一清洁气体，上述第一清洁气体的卤素为氟气；进行第二清洁处理的工序，其在上述第一清洁处理之后去除残留在上述反应容器内的锗，这里，一边从未容纳成品用被处理体的上述反应容器内排气，一边向上述反应容器内供给包含氧化气体和氢气的第二清洁处理气体的同时对上述反应容器内加热来活化上述第二清洁气体，且上述氧化气体选自由氧气、臭氧气体、以及氮和氧的化合物气体所组成的组；以及进行第二成膜处理的工序，其在上述第二清洁处理之后利用化学气相沉积在容纳于上述反应容器内的成品用被处理体上形成不含锗的第二成品膜，这里，在将成膜处理气体供给到上述反应容器内的同时对上述反应容器内加热来活化上述成膜处理气体，还具备进行预涂处理的工序，该预涂处理在上述第二清洁处理与上述第二成膜处理之间利用与上述第二成品膜相同组成的覆膜来覆盖上述反应容器的内表面。2.根据权利要求1所述的方法，上述预涂处理使用高于上述第一成膜处理的处理温度。3.根据权利要求1所述的方法，其中，上述第二清洁气体的上述氧化气体由氮和氧的化合物气体构成。4.根据权利要求1所述的方法，其中，上述第二清洁处理使用750℃～950℃的处理温度以及13.3Pa～931Pa的处理压力。5.根据权利要求4所述的方法，其中，上述第一清洁处理使用200℃～400℃的处理温度以及1064Pa～199950Pa的处理压力。6.根据权利要求1所述的方法，其中，上述第一成膜处理通过同时供给上述锗源气体和硅源气体来形成硅锗膜作为上述第一成品膜。7.根据权利要求6所述的方法，其中，上述第一成膜处理使用300℃～650℃的处理温度以及10Pa～130Pa的处理压力。8.根据权利要求6所述的方法，其中，上述第二成膜处理以上述硅源气体作为上述成膜处理气体来供给。9.一种形成含锗膜的装置的使用方法，其中，上述装置具备：反应容器，其以在上下设置间隔来层叠的状态容纳多个被处理体而构成；支承构件，其在上述反应容器内支承上述被处理体；加热器，其配置在上述反应容器周围并用于加热上述被处理体；排气系统，其从上述反应容器内排气；2CN101814431B权利要求书2/2页气体供给系统，其向上述反应容器内供给硅源气体、锗源气体、用于清洁上述反应容器内的气体；以及控制部，其控制上述装置的动作；上述方法具备以下工序：进行第一成膜处理的工序，其利用化学气相沉积在容纳于上述反应容器内的成品用被处理体上形成含硅锗的第一成品膜，这里，在将上述硅源气体和上述锗源气体供给到上述反应容器内的同时对上述反应容器内加热来活化上述硅源气体和上述锗源气体，并通过上述第一成膜处理使含硅锗的成膜副产物