一种硅片清洗液及使用该清洗液清洗硅片的方法.pdf
元容****少女
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一种硅片清洗液及使用该清洗液清洗硅片的方法.pdf
本发明公开了一种硅片清洗液及使用该清洗液清洗硅片的方法,硅片清洗液主要由乙醇、丙酮、硅酸钠及去离子水经混合配制而成,乙醇的质量百分比浓度为7~12%,丙酮的质量百分比浓度为3~7%,硅酸钠的质量百分比浓度为1~3%,余量为去离子水,优点在于清洗液中的丙酮可以清洗掉硅片上的有机物,因为硅片上残留的有机杂质主要有胶水、合成蜡、油脂、纤维及切削液残留物,而这些有机杂质能较好地溶于丙酮;清洗液中的乙醇可以有效地除去硅片清洗完后在其表面上残留的丙酮;此外,硅酸钠可以缓减反应的速度,从而减少了对硅片的损伤;清洗硅片时
一种蚀刻硅片后清洗液.pdf
本发明公开了一种专用于蚀刻后的微米级孔穴结构的清洗液。该清洗液主要成分为氢氟酸、添加剂、表面活性剂以及超纯水。本发明的制备的清洗液表面张力极低,对孔穴结构有很强的钻蚀能力,更利于药液进入孔穴进行溶解清洗,并且孔内结构表面清洗后更加均一。其中添加剂在HF药液体系中具有良好的溶解度和分散性,且更容易在氮化硅和多晶硅表面形成空间位阻,腐蚀速率极低。表面活性剂的引入能够降低蚀刻液的表面张力,其表面张力可维持在25mN/m以内。本发明所述的清洗液可满足芯片结构制造中的<10um孔径的孔内氧化物残留和多晶硅残渣的快速
一种硅片清洗用添加剂、清洗液及硅片制绒后清洗方法.pdf
本发明提供了一种用于硅片制绒后清洗用添加剂、清洗液以及硅片制绒后清洗方法。其中硅片清洗用添加剂中各组分的质量百分含量为:3%?5%的软水剂、3%?6%的氧化剂、0.01%?0.05%的低泡耐碱渗透剂、1%?3%的缓冲剂,余量为水;其中,所述氧化剂选自于由次氯酸钠、亚氯酸钠、高氯酸钠以及过硼酸钠所组成的群组,所述低泡耐碱渗透剂为磺酸盐类表面活性剂。通过在清洗液中添加本发明的添加剂,实际生产中,能够大幅度降低了成本,并清洁更彻底,能够提高单晶电池效率0.01%?0.05%。在降低生产成本的同时,也降低了污水处
一种强效去污多晶硅片用清洗液及其制备方法.pdf
本发明提供一种强效去污多晶硅片用清洗液及其制备方法,涉及多晶硅生产技术领域。所述清洗液由以下重量份的原料制成:二辛基琥珀酸磺酸钠4‑6份、二异辛基丁二酸酯磺酸钠2‑4份、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠6‑8份、硬脂酸甘油酯8‑10份、聚氧乙烯烷基醇酰胺1‑3份、氢氧化钠1‑2份、螯合剂0.6‑0.8份、交联剂0.3‑0.5份、增稠剂1‑2份、增溶剂0.8‑1.0份、消泡剂1.2‑1.4份、去离子水200‑240份。本发明克服了现有技术的不足,能够有效分解硅片上的油污并且去除粘附的杂物和切割残留的碎屑,从而有效提高
清洗液稀释系统及清洗液稀释方法.pdf
本发明公开了一种清洗液稀释系统及清洗液稀释方法,属于医疗器械技术领域。本发明通过获取所述第一清洗液储存装置的液位状态;在所述液位状态满足预设状态时,启动所述第一驱动装置、开关装置以及第二驱动装置,通过所述第二清洗液储存装置中的清洗液对所述第一清洗液储存装置中的清洗液进行稀释,得到所述第一清洗液储存装置中的目标稀清洗液;根据所述目标稀清洗液进行清洗;实时检测清洗液的液位状态,可灵活调节稀释的比例并自动对清洗液进行稀释,提高清洗液的使用效果。