一种强效去污多晶硅片用清洗液及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109777653A(43)申请公布日2019.05.21(21)申请号201910054813.1C11D3/20(2006.01)(22)申请日2019.01.21C11D3/60(2006.01)(71)申请人安徽华顺半导体发展有限公司地址239300安徽省滁州市天长市杨村镇工业园区(72)发明人李广森(74)专利代理机构合肥汇融专利代理有限公司34141代理人张雁(51)Int.Cl.C11D1/83(2006.01)C11D3/04(2006.01)C11D3/32(2006.01)C11D3/33(2006.01)C11D3/37(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种强效去污多晶硅片用清洗液及其制备方法(57)摘要本发明提供一种强效去污多晶硅片用清洗液及其制备方法，涉及多晶硅生产技术领域。所述清洗液由以下重量份的原料制成：二辛基琥珀酸磺酸钠4-6份、二异辛基丁二酸酯磺酸钠2-4份、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠6-8份、硬脂酸甘油酯8-10份、聚氧乙烯烷基醇酰胺1-3份、氢氧化钠1-2份、螯合剂0.6-0.8份、交联剂0.3-0.5份、增稠剂1-2份、增溶剂0.8-1.0份、消泡剂1.2-1.4份、去离子水200-240份。本发明克服了现有技术的不足，能够有效分解硅片上的油污并且去除粘附的杂物和切割残留的碎屑，从而有效提高清洗液的去污能力，各组分有效结合，清洗更加精细化，清洗效果好，清洗液去污能力强，适宜推广。CN109777653ACN109777653A权利要求书1/1页1.一种强效去污多晶硅片用清洗液，其特征在于，所述清洗液由以下重量份的原料制成：二辛基琥珀酸磺酸钠4-6份、二异辛基丁二酸酯磺酸钠2-4份、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠6-8份、硬脂酸甘油酯8-10份、聚氧乙烯烷基醇酰胺1-3份、氢氧化钠1-2份、螯合剂0.6-0.8份、交联剂0.3-0.5份、增稠剂1-2份、增溶剂0.8-1.0份、消泡剂1.2-1.4份、去离子水200-240份。2.根据权利要求1所述的一种强效去污多晶硅片用清洗液，其特征在于，所述清洗液由以下重量份的原料制成：二辛基琥珀酸磺酸钠5份、二异辛基丁二酸酯磺酸钠3份、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠7份、硬脂酸甘油酯9份、聚氧乙烯烷基醇酰胺2份、氢氧化钠1.5份、螯合剂0.7份、交联剂0.4份、增稠剂1.5份、增溶剂0.9份、消泡剂1.3份、去离子水220份。3.根据权利要求1所述的一种强效去污多晶硅片用清洗液，其特征在于，所述螯合剂为乙二胺四乙酸二钠。4.根据权利要求1所述的一种强效去污多晶硅片用清洗液，其特征在于，所述交联剂为N-羟甲基丙烯酰胺、甲叉双丙烯酰胺和1，4-丁二醇二缩水甘油醚中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的一种强效去污多晶硅片用清洗液，其特征在于，所述增稠剂为氯化钠、聚丙烯酸钠和羧甲基纤维素中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的一种强效去污多晶硅片用清洗液，其特征在于，所述增溶剂为十二烷基硫酸钠、月桂醇硫酸钠和山梨醇中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的一种强效去污多晶硅片用清洗液，其特征在于，所述消泡剂甲基硅油、聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚和聚氧丙烯甘油醚中的一种或多种。8.一种强效去污多晶硅片用清洗液的制备方法，其特征在于，所述清洗液的制备方法包括以下步骤：(1)将二辛基琥珀酸磺酸钠、二异辛基丁二酸酯磺酸钠和脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠混合后加入高速分散机内，再加入螯合剂，升温至50-60℃，调整转速至600-800r/min，高速分散20-30min得物料A备用；(2)将硬脂酸甘油酯、聚氧乙烯烷基醇酰胺和交联剂混合后加入搅拌机内，调整转速至100-140r/min，搅拌10-20min后将其混合物置于保温箱中，升温至60-80℃，保温改性30-50min得物料B备用；(3)将制得的物料A和物料B混合后在80-100℃条件下进行恒温水浴加热，调整转速至160-180r/min，保温搅拌1-2h后加入氢氧化钠和增稠剂，继续保温搅拌40-60min得清洗液原料备用；(4)向制得的清洗液原液中加入去离子水，并且加入增溶剂和消泡剂，再将其混合液加入超声震荡仪中，超声混合2-4h得到产品。2CN109777653A说明书1/4页一种强效去污多晶硅片用清洗液及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及多晶硅生产技术领域，具体涉及一种强效去污多晶硅片用清洗液及其制备方法。背景技术[0002]随着人们环保意识的加强，太阳能作为绿色资源已被广泛应用。其中多晶硅材料为太阳能光伏的主要材料，约占世界光伏电池的85％以上。多晶硅作为光伏产业的前端产品，在整个产业链中占据重要地位。目前多晶硅片在其加工过程中，需要