半导体器件的制造方法和电子器件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102044451A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102044451A(43)申请公布日2011.05.04(21)申请号201010515572.5(22)申请日2010.10.22(30)优先权数据2009-2432582009.10.22JP(71)申请人瑞萨电子株式会社地址日本神奈川(72)发明人藤岛敦原田晴彦(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038代理人屠长存(51)Int.Cl.H01L21/50(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书3页说明书20页附图43页(54)发明名称半导体器件的制造方法和电子器件的制造方法(57)摘要本发明涉及半导体器件的制造方法和电子器件的制造方法。可靠地去除形成在引线表面之上(或附着于引线表面)的异物。将激光束施加到形成在由密封体(第一密封体)、从密封体露出(突出)的引线和堤坝杆围绕的区域中(或附着于其)的残留树脂(密封体)。可以通过在去除残留树脂之后清洗引线表面来可靠地去除形成在引线表面之上(或附着于引线表面)的异物。因此，在后续的镀敷步骤中，可以改善要在引线表面之上形成的镀敷膜的可靠性(可润湿性、与引线的粘附性)。CN10245ACCNN110204445102044455A权利要求书1/3页1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体封装体，该半导体封装体包括用于密封半导体芯片的第一密封体、从第一密封体露出的多个引线、与引线整体地形成的堤坝杆、以及在由第一密封体、引线和堤坝杆围绕的区域中形成的第二密封体；(b)通过使用切割器去除堤坝杆的部分和第二密封体的部分；(c)在步骤(b)之后，用激光束照射第二密封体的其它部分以便去除第二密封体的其它部分；(d)在步骤(c)之后，清洗每个引线的表面；和(e)在步骤(d)之后，在每个引线的表面上形成镀敷膜。2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在步骤(a)中制备的半导体封装体的引线的每个表面之上，形成第三密封体，该第三密封体的体积小于第一密封体和第二密封体中的每个的体积；和其中，在步骤(d)之前，用如下的激光束照射第三密封体：该激光束的输出值被设置为比在步骤(c)中使用的用于去除第三密封体的激光束的输出值低。3.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体封装体，该半导体封装体包括用于密封半导体芯片的第一密封体、从第一密封体露出的多个引线、与引线整体地形成的堤坝杆、以及在由第一密封体、引线和堤坝杆围绕的区域中形成的第二密封体；(b)通过使用切割器去除堤坝杆的部分和第二密封体的部分；和(c)在步骤(b)之后，用激光束照射第二密封体的其它部分以便去除第二密封体的其它部分。4.根据权利要求3所述的用于制造半导体器件的方法，其中要在步骤(b)中被去除的第二密封体的部分的量大于要在步骤(c)中被去除的第二密封体的其它部分的量。5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，其中要在步骤(b)中使用的切割器的宽度小于引线之间的距离。6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，其中在步骤(d)中将其水压被设置为50到150kgf/cm2的清洗用水注射到引线的表面。7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，其中在步骤(c)中以相对于第二密封体的表面的第一角度照射激光束。8.根据权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，其中引线的每个表面具有上表面、在上表面的相对侧上的下表面以及在上表面与下表面之间的侧表面；和其中侧表面的平坦程度小于上表面或下表面的平坦程度。9.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法，其中在每个引线的侧表面相对于激光束的照射方向倾斜时执行步骤(c)。10.根据权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，其中在步骤(c)中通过聚光透镜照射激光束。11.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：2CCNN110204445102044455A权利要求书2/3页(a)提供半导体封装体，该半导体封装体包括用于密封半导体芯片的第一密封体、从第一密封体露出的多个引线、与引线整体地形成的堤坝杆、以及在由第一密封体、引线和堤坝杆围绕的区域中形成的第二密封体；(b)通过使用切割器去除堤坝杆的部分和第二密封体的部分；(c)在步骤(b)之后，用激光束照射第二密封体的其它部分以便去除第二密封体的其它部分；和(d)在步骤(c)之后，使每个引线弯曲，其中在步骤(b)中使用的切割器的宽度小于引线中的相邻引线之间的距离；其中在步骤(b)中在引线的每个表面之上形成凸起部；和其中第二密封体的其它部分在由第一密封体、引线和凸起部围绕的区域中形成。12.根据权利要求11所述的用于制造半导体器件的方法，其