浅沟隔离槽.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102117762A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102117762A(43)申请公布日2011.07.06(21)申请号201010027221.X(22)申请日2010.01.05(71)申请人上海华虹NEC电子有限公司地址201206上海市浦东新区川桥路1188号(72)发明人钱文生丁宇(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人丁纪铁(51)Int.Cl.H01L21/762(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图4页(54)发明名称浅沟隔离槽(57)摘要本发明公开了一种浅沟隔离槽，由纵向相接的上下两部分组成，下部分宽度大于上部分宽度，形成步骤为：做上部分宽度隔离槽的光刻、刻蚀，刻蚀深度小于所述浅沟隔离槽的深度，去光刻胶；淀积一层薄氧化层；利用刻蚀工艺将槽底部的氧化层去除、留下侧壁氧化层；做干法的各向同性刻蚀，刻蚀后最终达到所述浅沟隔离槽的深度；去除侧壁氧化层，生长线性氧化层，接着，做高密度等离子体氧化层淀积。本发明能有效地解决金属硅化物生长沉淀的过程中沿着浅沟隔离槽边缘向下延伸从而造成器件漏电和隔离变差的问题。CN10276ACCNN110211776202117768A权利要求书1/1页1.一种浅沟隔离槽，其特征在于：由纵向相接的上下两部分组成，下部分宽度大于上部分宽度，采用如下步骤形成：步骤一、做上部分宽度隔离槽的光刻、刻蚀，刻蚀深度小于所述浅沟隔离槽的深度，去光刻胶；步骤二、淀积一层薄氧化层，厚度在以内；步骤三、利用刻蚀工艺将槽底部的氧化层去除、留下侧壁氧化层；步骤四、做干法的各向同性刻蚀，刻蚀后最终达到所述浅沟隔离槽的深度；步骤五、去除侧壁氧化层，生长线性氧化层，厚度在以内，接着，做高密度等离子体氧化层淀积。2.如权利要求1所述的浅沟隔离槽，其特征在于：步骤五所述线性氧化层的厚度为200～3.如权利要求1所述的浅沟隔离槽，其特征在于：所述上部分宽度大于0.1微米；所述浅沟隔离槽的深度小于2CCNN110211776202117768A说明书1/2页浅沟隔离槽技术领域[0001]本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺，特别是涉及一种浅沟隔离槽。背景技术[0002]在半导体制程技术中，浅沟隔离槽(ShallowTrenchIsolation，简称STI)是主流的器件隔离结构，它有着节约面积，隔离效果良好的特点，被广泛应用在各类深亚微米半导体制程中。[0003]现有形成STI的工艺过程中会引起边缘凹陷(Divot)的问题。由于STI边缘的凹陷小角的存在，常常导致在金属硅化物(Silicide)生长沉淀的过程中沿着凹陷小角向下延伸，如图1所示，形成于N+层和P+层的金属硅化物分别都向下延伸和其对应的PW即P阱和NW即N阱相连，这会造成漏电流(Leakage)增大，影响隔离效果。对于一些小尺寸器件，这将是很严重的问题。发明内容[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种浅沟隔离槽，能防止器件漏电、增强隔离效果。[0005]为解决上述技术问题，本发明提供的浅沟隔离槽，由纵向相接的上下两部分组成，下部分宽度大于上部分宽度，所述上部分宽度大于0.1微米；所述浅沟隔离槽的深度小于采用如下步骤形成：[0006]步骤一、做上部分宽度隔离槽的光刻、刻蚀，刻蚀深度小于所述浅沟隔离槽的深度，去光刻胶；[0007]步骤二、淀积一层薄氧化层，厚度在以内；[0008]步骤三、利用刻蚀工艺将槽底部的氧化层去除、留下侧壁氧化层；[0009]步骤四、做干法的各向同性刻蚀，刻蚀后最终达到所述浅沟隔离槽的深度；[0010]步骤五、去除侧壁氧化层，生长线性氧化层，厚度在以内，优先选择在200～接着，做高密度等离子体氧化层淀积。[0011]本发明通过增加一次有源区刻蚀，能够上部比下部窄的浅沟隔离，有效地解决了金属硅化物生长沉淀的过程中沿着STI边缘向下延伸从而造成器件漏电和隔离变差的问题。附图说明[0012]下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：[0013]图1是现有浅沟隔离槽结构示意图；[0014]图2是本发明浅沟隔离槽结构示意图；[0015]图3是本发明浅沟隔离槽制造方法流程图；[0016]图4A-图4G是本发明浅沟隔离槽制造过程中的结构示意图。3CCNN110211776202117768A说明书2/2页具体实施方式[0017]如图2所示，为本发明浅沟隔离槽结构示意图，由纵向相接的上下两部分组成，下部分宽度大于上部分宽度，所述上部分宽度大于0.1微米；所述浅沟隔离槽的深度小于其中上部分处于N+层和P+层中、和P阱以及N阱不相连接，边缘凹陷问题只存在于所述上部分，形成于所述N+层和P+层的金属硅化物最多只能向下延伸到所述上部分的底部，不能和P阱、N阱相连，